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![]() | mt29e768g08eehbbj4-3 : b tr | - | ![]() | 6002 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 132-VBGA | MT29E768G08 | 플래시 - NAND | 2.5V ~ 3.6V | 132-VBGA (12x18) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 333 MHz | 비 비 | 768gbit | 플래시 | 96g x 8 | 평행한 | - | ||
![]() | PC28F128P30T85B TR | - | ![]() | 6284 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 64-TBGA | PC28F128 | 플래시 - 아니오 | 1.7V ~ 2V | 64-ESYBGA (10x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 52MHz | 비 비 | 128mbit | 85 ns | 플래시 | 8m x 16 | 평행한 | 85ns | |
![]() | MT29F256G08CKCABH2-10 : a | - | ![]() | 9500 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 100-tbga | MT29F256G08 | 플래시 -Nand (MLC) | 2.7V ~ 3.6V | 100-TBGA (12x18) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 100MHz | 비 비 | 256gbit | 플래시 | 32g x 8 | 평행한 | - | |||
MT29C1G12MAACAFAMD-6 IT TR | - | ![]() | 4940 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 130-VFBGA | MT29C1G12 | 플래시 -Nand, n lpdram | 1.7V ~ 1.95V | 130-VFBGA (8x9) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 166 MHz | 비 비, 휘발성 | 1GBIT (NAND), 512MBIT (LPDRAM) | 플래시, 램 | 128m x 8 (NAND), 16m x 32 (lpdram) | 평행한 | - | |||
![]() | MTFC64GJDDN-3M WT TR | - | ![]() | 1330 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 169-LFBGA | MTFC64 | 플래시 - NAND | 1.65V ~ 3.6V | 169-LFBGA (14x18) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0071 | 1,000 | 비 비 | 512kbit | 플래시 | 64k x 8 | MMC | - | |||
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![]() | MT47H256M8THN-25E : h | - | ![]() | 2412 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 표면 | 63-TFBGA | MT47H256M8 | sdram -ddr2 | 1.7V ~ 1.9V | 63-FBGA (8x10) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 400MHz | 휘발성 휘발성 | 2gbit | 400 PS | 음주 | 256m x 8 | 평행한 | 15ns | |
MT48H8M32LFB5-6 : h | - | ![]() | 1510 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 90-VFBGA | MT48H8M32 | sdram- 모바일 lpsdr | 1.7V ~ 1.95V | 90-VFBGA (8x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 166 MHz | 휘발성 휘발성 | 256mbit | 5 ns | 음주 | 8m x 32 | 평행한 | 15ns | ||
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![]() | MT46V64M4P-6T : k | - | ![]() | 1704 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) | MT46V64M4 | sdram -ddr | 2.3V ~ 2.7V | 66-tsop | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 167 MHz | 휘발성 휘발성 | 256mbit | 700 PS | 음주 | 64m x 4 | 평행한 | 15ns | |
![]() | MT29F16G16ADBCAH4-IT : c | - | ![]() | 3223 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 63-VFBGA | MT29F16G16 | 플래시 - NAND | 2.7V ~ 3.6V | 63-VFBGA (9x11) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,260 | 비 비 | 16gbit | 플래시 | 1g x 16 | 평행한 | - | |||
MT48LC4M32LFF5-10 IT : g | - | ![]() | 6065 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 상자 | sic에서 중단되었습니다 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 90-VFBGA | MT48LC4M32 | sdram- 모바일 lpsdr | 3V ~ 3.6V | 90-VFBGA (8x13) | 다운로드 | rohs 비준수 | 2 (1 년) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 100MHz | 휘발성 휘발성 | 128mbit | 7 ns | 음주 | 4m x 32 | 평행한 | 15ns | ||
![]() | MT29C4G48MAAGBAAKS-5 WT TR | - | ![]() | 5113 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 137-VFBGA | MT29C4G48 | 플래시 -Nand, n lpdram | 1.7V ~ 1.95V | 137-VFBGA (13x10.5) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 200MHz | 비 비, 휘발성 | 4GBIT (NAND), 2GBIT (LPDRAM) | 플래시, 램 | 512m x 8 (NAND), 64m x 32 (lpdram) | 평행한 | - | ||
![]() | MT49H64M9CBM-25E : b | - | ![]() | 9253 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 대부분 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 144-TFBGA | MT49H64M9 | 음주 | 1.7V ~ 1.9V | 144-µBGA (18.5x11) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 귀 99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 400MHz | 휘발성 휘발성 | 576mbit | 15 ns | 음주 | 64m x 9 | 평행한 | - | ||
MT48LC16M16A2B4-7E IT : g | 8.5000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 54-VFBGA | MT48LC16M16A2 | sdram | 3V ~ 3.6V | 54-VFBGA (8x8) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0024 | 1,560 | 133 MHz | 휘발성 휘발성 | 256mbit | 5.4 ns | 음주 | 16m x 16 | 평행한 | 14ns | ||
![]() | MT55L256V32PT-6 | 14.9900 | ![]() | 135 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | ZBT® | 대부분 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 100-lqfp | SRAM -ZBT | 3.135V ~ 3.465V | 100-TQFP (14x20.1) | 다운로드 | rohs 비준수 | 3 (168 시간) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 166 MHz | 휘발성 휘발성 | 8mbit | 3.5 ns | SRAM | 256k x 32 | 평행한 | - | ||
![]() | EDB1332BDBH-1DAAT-FD | - | ![]() | 4493 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | 표면 표면 | 134-VFBGA | EDB1332 | sdram- 모바일 lpddr2 | 1.14V ~ 1.95V | 134-VFBGA (10x11.5) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0032 | 2,100 | 533 MHz | 휘발성 휘발성 | 1gbit | 음주 | 32m x 32 | 평행한 | - | ||
![]() | MT29F512G08EMCBBJ5-6 : b | - | ![]() | 9114 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | - | MT29F512G08 | 플래시 -Nand (TLC) | 2.7V ~ 3.6V | 132-TBGA (12x18) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1 | 167 MHz | 비 비 | 512gbit | 플래시 | 64g x 8 | 평행한 | - | |||
![]() | MT49H8M36BM-25 : B TR | - | ![]() | 8452 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 144-TFBGA | MT49H8M36 | 음주 | 1.7V ~ 1.9V | 144-µBGA (18.5x11) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 400MHz | 휘발성 휘발성 | 288mbit | 20 ns | 음주 | 8m x 36 | 평행한 | - | |
![]() | MT29F512G08CMCCBH7-6ITR : C TR | - | ![]() | 1295 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 152-TBGA | MT29F512G08 | 플래시 -Nand (MLC) | 2.7V ~ 3.6V | 152-TBGA (14x18) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 166 MHz | 비 비 | 512gbit | 플래시 | 64g x 8 | 평행한 | - | ||
![]() | MT44K32M36RB-107E IT : a | - | ![]() | 6656 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 168-TBGA | MT44K32M36 | rldram 3 | 1.28V ~ 1.42V | 168-BGA (13.5x13.5) | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 1,190 | 933 MHz | 휘발성 휘발성 | 1.125gbit | 8 ns | 음주 | 32m x 36 | 평행한 | - | |||
![]() | MT28F800B5WG-8 BET | - | ![]() | 9896 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) | MT28F800B5 | 플래시 - 아니오 | 4.5V ~ 5.5V | 48-tsop i | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0071 | 1,000 | 비 비 | 8mbit | 80 ns | 플래시 | 1m x 8, 512k x 16 | 평행한 | 80ns | ||
![]() | MT46V32M8P-5B IT : M TR | - | ![]() | 6854 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) | MT46V32M8 | sdram -ddr | 2.5V ~ 2.7V | 66-tsop | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 200MHz | 휘발성 휘발성 | 256mbit | 700 PS | 음주 | 32m x 8 | 평행한 | 15ns | |
![]() | M25P32-VMW3GB TR | - | ![]() | 6323 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) | M25P32 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 도 8- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1,500 | 75MHz | 비 비 | 32mbit | 플래시 | 4m x 8 | SPI | 15ms, 5ms | |||
![]() | MT53B1024M32D4NQ-053 WT : C. | - | ![]() | 6005 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 표면 | 200-VFBGA | MT53B1024 | sdram- 모바일 lpddr4 | 1.1V | 200-VFBGA (10x14.5) | - | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.32.0036 | 1,360 | 1.866 GHz | 휘발성 휘발성 | 32gbit | 음주 | 1g x 32 | - | - |
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