SIC
close

메모리 (10402)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 시계 시계 메모리 메모리 메모리 메모리 액세스 액세스 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
MT46H32M32LFJG-6:A TR Micron Technology Inc. MT46H32M32LFJG-6 : A TR -
RFQ
 ECAD 4026 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 168-VFBGA MT46H32M32 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 168-VFBGA (12x12) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 1,000 166 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 5 ns 음주 32m x 32 평행한 15ns
MT53D2048M32D8QD-053 WT:D TR Micron Technology Inc. MT53D2048M32D8QD-053 WT : D TR -
RFQ
 ECAD 8575 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - MT53D2048 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 1.866 GHz 휘발성 휘발성 64gbit 음주 2G X 32 - -
M29W400DB70ZE6E Micron Technology Inc. M29W400DB70ZE6E -
RFQ
 ECAD 7583 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFBGA M29W400 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x9) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 187 비 비 4mbit 70 ns 플래시 512k x 8, 256k x 16 평행한 70ns
MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR Micron Technology Inc. MT29E512G08CMCBBH7-6 : B TR -
RFQ
 ECAD 3875 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) - - MT29E512G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,000 167 MHz 비 비 512gbit 플래시 64g x 8 평행한 -
MT46V16M16TG-5G:F TR Micron Technology Inc. MT46V16M16TG-5G : F TR -
RFQ
 ECAD 3062 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V16M16 sdram -ddr 2.5V ~ 2.7V 66-tsop 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 256mbit 700 PS 음주 16m x 16 평행한 15ns
MT25QL512ABB8ESF-0AAT TR Micron Technology Inc. MT25QL512ABB8ESF-0AAT TR 11.5900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) MT25QL512 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 16- 형의 행위 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 133 MHz 비 비 512mbit 플래시 64m x 8 SPI 8ms, 2.8ms
N25Q00AA13GSF40F TR Micron Technology Inc. N25Q00AA13GSF40F TR -
RFQ
 ECAD 5428 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) N25Q00AA13 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 16- 형의 행위 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 108 MHz 비 비 1gbit 플래시 256m x 4 SPI 8ms, 5ms
MT46V64M8FN-6:D TR Micron Technology Inc. MT46V64M8FN-6 : D TR -
RFQ
 ECAD 8481 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA MT46V64M8 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 60-FBGA (10x12.5) 다운로드 rohs 비준수 5 (48 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 64m x 8 평행한 15ns
MT49H8M36BM-33:B Micron Technology Inc. MT49H8M36BM-33 : b -
RFQ
 ECAD 1454 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 144-TFBGA MT49H8M36 음주 1.7V ~ 1.9V 144-µBGA (18.5x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 300MHz 휘발성 휘발성 288mbit 20 ns 음주 8m x 36 평행한 -
MT46V32M16TG-5B:C Micron Technology Inc. MT46V32M16TG-5B : c -
RFQ
 ECAD 3819 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V32M16 sdram -ddr 2.5V ~ 2.7V 66-tsop - rohs 비준수 4 (72 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 32m x 16 평행한 15ns
MTFC64GBCAQTC-WT Micron Technology Inc. MTFC64GBCAQTC-WT 35.1800
RFQ
 ECAD 3604 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 557-MTFC64GBCAQTC-WT 1,520
MT25QU128ABA1ESF-0SIT TR Micron Technology Inc. MT25QU128ABA1ESF-0SIT TR -
RFQ
 ECAD 4531 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) MT25QU128 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 16- 형의 행위 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 133 MHz 비 비 128mbit 플래시 16m x 8 SPI 8ms, 2.8ms
MT28EW512ABA1LJS-0SIT Micron Technology Inc. mt28ew512aba1ljs-0sit 10.8000
RFQ
 ECAD 6310 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT28ew512 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 56-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 576 비 비 512mbit 95 ns 플래시 64m x 8, 32m x 16 평행한 60ns
MT48LC16M8A2FB-75 IT:G TR Micron Technology Inc. MT48LC16M8A2FB-75 IT : G TR -
RFQ
 ECAD 8506 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 60-FBGA MT48LC16M8A2 sdram 3V ~ 3.6V 60-FBGA (8x16) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.4 ns 음주 16m x 8 평행한 15ns
MT41K1G8RKB-107:N Micron Technology Inc. MT41K1G8RKB-107 : n -
RFQ
 ECAD 6512 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT41K1G8 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (8x10.5) - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,440 933 MHz 휘발성 휘발성 8gbit 20 ns 음주 1g x 8 평행한 -
PC28F00AG18AE Micron Technology Inc. PC28F00AG18AE -
RFQ
 ECAD 8570 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ 튜브 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 64-TBGA PC28F00A 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 64-EASYBGA (8x10) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,800 133 MHz 비 비 1gbit 96 ns 플래시 64m x 16 평행한 96ns
MT29F4G08ABBEAM70M3WC1 Micron Technology Inc. MT29F4G08ABBEAM70M3WC1 -
RFQ
 ECAD 6814 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 주사위 MT29F4G08 플래시 - NAND 1.7V ~ 1.95V 주사위 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1 비 비 4gbit 플래시 512m x 8 평행한 -
MT29F128G08AKCABH2-10Z:A Micron Technology Inc. MT29F128G08AKCABH2-10Z : a -
RFQ
 ECAD 9668 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-tbga MT29F128G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 100-TBGA (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,120 100MHz 비 비 128gbit 플래시 16g x 8 평행한 -
MT46V64M8P-6T L:F TR Micron Technology Inc. MT46V64M8P-6T L : F TR -
RFQ
 ECAD 6883 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V64M8 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-tsop 다운로드 Rohs3 준수 4 (72 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 64m x 8 평행한 15ns
N25Q512A83G12H0F Micron Technology Inc. N25Q512A83G12H0F -
RFQ
 ECAD 3749 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA N25Q512A83 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 24-T-PBGA (6x8) - 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 2,500 108 MHz 비 비 512mbit 플래시 128m x 4 SPI 8ms, 5ms
MT29F1T08EMHAFJ4-3R:A TR Micron Technology Inc. MT29F1T08EMHAFJ4-3R : A TR -
RFQ
 ECAD 8071 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 132-VBGA MT29F1T08 플래시 - NAND 2.5V ~ 3.6V 132-VBGA (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 333 MHz 비 비 1tbit 플래시 128g x 8 평행한 -
MT58L256L36FS-10 Micron Technology Inc. MT58L256L36FS-10 13.7700
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Micron Technology Inc. SyncBurst ™ 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp sram- 표준 3.135V ~ 3.6V 100-TQFP (14x20.1) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 3A991B2A 8542.32.0041 500 66MHz 휘발성 휘발성 8mbit 10 ns SRAM 256k x 36 평행한 -
MTFC16GJDEC-2M WT Micron Technology Inc. MTFC16GJDEC-2M WT -
RFQ
 ECAD 4542 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 쟁반 쓸모없는 -25 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 169-WFBGA MTFC16G 플래시 - NAND 1.65V ~ 3.6V 169-WFBGA (14x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 980 비 비 128gbit 플래시 16g x 8 MMC -
MT46H8M16LFCF-10 Micron Technology Inc. MT46H8M16LFCF-10 -
RFQ
 ECAD 6359 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 60-VFBGA MT46H8M16 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.9V 60-VFBGA (8x10) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 104 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 7 ns 음주 8m x 16 평행한 15ns
MT29F2G01ABAGDM79A3WC1 Micron Technology Inc. MT29F2G01ABAGDM79A3WC1 -
RFQ
 ECAD 6241 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 주사위 MT29F2G01 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 주사위 - 쓸모없는 1 비 비 2gbit 플래시 2G x 1 SPI -
N25Q512A13G1241E Micron Technology Inc. N25Q512A13G1241E -
RFQ
 ECAD 5292 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA N25Q512A13 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 24-T-PBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 187 108 MHz 비 비 512mbit 플래시 128m x 4 SPI 8ms, 5ms
MT49H16M18BM-5:B TR Micron Technology Inc. MT49H16M18BM-5 : B TR -
RFQ
 ECAD 4492 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 144-TFBGA MT49H16M18 음주 1.7V ~ 1.9V 144-µBGA (18.5x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0028 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 288mbit 20 ns 음주 16m x 18 평행한 -
MT44K32M18RB-107E:A Micron Technology Inc. MT44K32M18RB-107E : a -
RFQ
 ECAD 3277 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 168-TBGA MT44K32M18 음주 1.28V ~ 1.42V 168-BGA (13.5x13.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,190 933 MHz 휘발성 휘발성 576mbit 8 ns 음주 32m x 18 평행한 -
M25PX80-VMN6TP00 Micron Technology Inc. M25PX80-VMN6TP00 -
RFQ
 ECAD 3767 0.00000000 Micron Technology Inc. - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) M25PX80 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 도 8- - Rohs3 준수 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 1,000 75MHz 비 비 8mbit 플래시 1m x 8 SPI 15ms, 5ms
MT48LC8M8A2P-7E:J Micron Technology Inc. MT48LC8M8A2P-7E : J. -
RFQ
 ECAD 8995 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC8M8A2 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0002 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5.4 ns 음주 8m x 8 평행한 14ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

RFQ 목록 (0 항목)
카트 목록 (0 항목)
Wishlist위시리스트 (0 항목)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

목록 비교 (0 항목)
검색을 위해 Enter를 누르거나 ESC를 닫습니다