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메모리 (10402)

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MT48LC2M32B2P-7:G Micron Technology Inc. MT48LC2M32B2P-7 : g -
RFQ
 ECAD 9144 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 86-TFSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC2M32B2 sdram 3V ~ 3.6V 86-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 MT48LC2M32B2P7G 귀 99 8542.32.0002 1,000 143 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5.5 ns 음주 2m x 32 평행한 14ns
MT28EW256ABA1LJS-0SIT Micron Technology Inc. mt28ew256aba1ljs-0sit 9.4500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT28ew256 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 56-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 576 비 비 256mbit 75 ns 플래시 32m x 8, 16m x 16 평행한 60ns
MT47H256M4CF-25E:H TR Micron Technology Inc. MT47H256M4CF-25E : H TR -
RFQ
 ECAD 5670 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 60-TFBGA MT47H256M4 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 60-FBGA (8x10) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0032 1,000 400MHz 휘발성 휘발성 1gbit 400 PS 음주 256m x 4 평행한 15ns
MT60B1G16HC-52B IT:G TR Micron Technology Inc. MT60B1G16HC-52B IT : G TR 18.2400
RFQ
 ECAD 5155 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 557-MT60B1G16HC-52 비트 : GTR 3,000
NAND512W3A2SN6F TR Micron Technology Inc. NAND512W3A2SN6F TR -
RFQ
 ECAD 3147 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) NAND512 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,500 비 비 512mbit 50 ns 플래시 64m x 8 평행한 50ns
MT49H32M18CFM-25:B Micron Technology Inc. MT49H32M18CFM-25 : b -
RFQ
 ECAD 9062 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 144-TFBGA MT49H32M18 음주 1.7V ~ 1.9V 144-µBGA (18.5x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0028 1,000 400MHz 휘발성 휘발성 576mbit 20 ns 음주 32m x 18 평행한 -
MT53D2048M32D8QD-062 WT ES:D Micron Technology Inc. MT53D2048M32D8QD-062 WT ES : D. -
RFQ
 ECAD 2693 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - MT53D2048 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V - - 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 1,360 1.6GHz 휘발성 휘발성 64gbit 음주 2G X 32 - -
NAND08GW3F2AN6E Micron Technology Inc. NAND08GW3F2AN6E -
RFQ
 ECAD 9135 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) NAND08G 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 -Nand08gw3f2an6e 3A991B1A 8542.32.0051 96 비 비 8gbit 25 ns 플래시 1g x 8 평행한 25ns
PC28F256P33T85A Micron Technology Inc. PC28F256P33T85A -
RFQ
 ECAD 3315 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 64-TBGA PC28F256 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 64-EASYBGA (8x10) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 144 52MHz 비 비 256mbit 85 ns 플래시 16m x 16 평행한 85ns
MT29F4T08EUHBFM4-T:B Micron Technology Inc. MT29F4T08EUHBFM4-T : b -
RFQ
 ECAD 4224 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) - - MT29F4T08 플래시 -Nand (TLC) 1.7V ~ 1.95V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 557-MT29F4T08EUHBFM4-T : b 쓸모없는 8542.32.0071 1,120 비 비 4tbit 플래시 512g x 8 평행한 -
MT29F512G08CUEDBJ6-12IT:D TR Micron Technology Inc. MT29F512G08CUEDBJ6-12IT : D TR -
RFQ
 ECAD 9769 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 132-lbga MT29F512G08 플래시 -Nand (MLC) 2.7V ~ 3.6V 132-LBGA (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 2,000 83MHz 비 비 512gbit 플래시 64g x 8 평행한 -
MTFC16GAPALBH-AAT Micron Technology Inc. MTFC16GAPALBH-AAT -
RFQ
 ECAD 1589 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 153-TFBGA MTFC16 플래시 - NAND 1.7V ~ 1.9V 153-TFBGA (11.5x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,520 비 비 128gbit 플래시 16g x 8 MMC -
MT42L192M32D3LE-3 IT:A Micron Technology Inc. MT42L192M32D3LE-3 IT : a -
RFQ
 ECAD 3943 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 -25 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 168-VFBGA MT42L192M32 sdram- 모바일 lpddr2 1.14V ~ 1.3V 168-FBGA (12x12) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0036 1,000 333 MHz 휘발성 휘발성 6gbit 음주 192m x 32 평행한 -
MT38Q40DEB10DBDXAU.Y64 TR Micron Technology Inc. MT38Q40DEB10DBDXAU.Y64 TR 12.7200
RFQ
 ECAD 2680 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 MT38Q40 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 MT38Q40DEB10DBDXAU.Y64TR 0000.00.0000 2,000
N25Q512A83G12H0F Micron Technology Inc. N25Q512A83G12H0F -
RFQ
 ECAD 3749 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA N25Q512A83 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 24-T-PBGA (6x8) - 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 2,500 108 MHz 비 비 512mbit 플래시 128m x 4 SPI 8ms, 5ms
MT29F256G08CBCBBJ4-37ES:B TR Micron Technology Inc. MT29F256G08CBCBBJ4-37ES : B TR -
RFQ
 ECAD 7324 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 132-VBGA MT29F256G08 플래시 -Nand (MLC) 2.7V ~ 3.6V 132-VBGA (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 267 MHz 비 비 256gbit 플래시 32g x 8 평행한 -
MT28F800B5SG-8 BET Micron Technology Inc. MT28F800B5SG-8 BET -
RFQ
 ECAD 1154 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-SOIC (0.496 ", 12.60mm 너비) MT28F800B5 플래시 - 아니오 4.5V ~ 5.5V 44- 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 500 비 비 8mbit 80 ns 플래시 1m x 8, 512k x 16 평행한 80ns
MT48LC32M8A2BB-6A:G TR Micron Technology Inc. MT48LC32M8A2BB-6A : G TR -
RFQ
 ECAD 9256 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 60-FBGA MT48LC32M8A2 sdram 3V ~ 3.6V 60-FBGA (8x16) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 32m x 8 평행한 12ns
MT48LC8M8A2TG-7E L:G Micron Technology Inc. MT48LC8M8A2TG-7E L : G. -
RFQ
 ECAD 2580 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC8M8A2 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5.4 ns 음주 8m x 8 평행한 14ns
JS28F640P33TF70A Micron Technology Inc. JS28F640P33TF70A -
RFQ
 ECAD 8713 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) JS28F640P33 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 56-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 576 40MHz 비 비 64mbit 70 ns 플래시 4m x 16 평행한 70ns
M29DW323DB7AN6F TR Micron Technology Inc. M29DW323DB7AN6F TR -
RFQ
 ECAD 5816 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) M29DW323 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,500 비 비 32mbit 70 ns 플래시 4m x 8, 2m x 16 평행한 70ns
JS28F320J3F75B TR Micron Technology Inc. JS28F320J3F75B TR -
RFQ
 ECAD 4891 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) JS28F320J3 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 56-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,600 비 비 32mbit 75 ns 플래시 4m x 8, 2m x 16 평행한 75ns
MTFC8GAMALGT-AAT TR Micron Technology Inc. mtfc8gamalgt-aat tr 11.1750
RFQ
 ECAD 5154 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) MTFC8 플래시 - NAND - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 557-MTFC8GAMALGT-AATTR 8542.32.0071 2,000 비 비 64gbit 플래시 8g x 8 MMC -
MT62F768M64D4BG-031 WT:A Micron Technology Inc. MT62F768M64D4BG-031 WT : a -
RFQ
 ECAD 2478 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 쓸모없는 -25 ° C ~ 85 ° C - - sdram- 모바일 lpddr5 - - - 557-MT62F768M64D4BG-031WT : a 쓸모없는 1 3.2GHz 휘발성 휘발성 48gbit 음주 768m x 64 평행한 -
M28W160FSB70ZA6E Micron Technology Inc. M28W160FSB70ZA6E -
RFQ
 ECAD 1407 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 - M28W160 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 136 비 비 16mbit 70 ns 플래시 1m x 16 평행한 70ns
MT29AZ5A5CHGSQ-18AAT.87U TR Micron Technology Inc. MT29AZ5A5CHGSQ-18AAT.87U TR 13.9200
RFQ
 ECAD 7371 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 MT29AZ5 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2,000
M45PE20-VMP6G Micron Technology Inc. M45PE20-VMP6G -
RFQ
 ECAD 7828 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-vdfn d 패드 M45PE20 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-vdfpn (6x5) (MLP8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 490 75MHz 비 비 2mbit 플래시 256k x 8 SPI 15ms, 3ms
MT28FW512ABA1LPC-0AAT Micron Technology Inc. MT28FW512ABA1LPC -0AAT -
RFQ
 ECAD 8298 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 64-lbga MT28FW512 플래시 - 아니오 1.7V ~ 3.6V 64-lbga (11x13) - 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,104 비 비 512mbit 105 ns 플래시 32m x 16 평행한 60ns
MT46H32M16LFBF-6 IT:B TR Micron Technology Inc. MT46H32M16LFBF-6 IT : B TR -
RFQ
 ECAD 8483 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 60-VFBGA MT46H32M16 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 60-VFBGA (8x9) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 166 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5 ns 음주 32m x 16 평행한 15ns
MT47H256M8EB-187E:C Micron Technology Inc. MT47H256M8EB-187E : c -
RFQ
 ECAD 7573 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 60-TFBGA MT47H256M8 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 60-FBGA (9x11.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 533 MHz 휘발성 휘발성 2gbit 350 ps 음주 256m x 8 평행한 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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