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메모리 (10402)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	시계 시계	메모리 메모리	메모리 메모리	액세스 액세스	메모리 메모리	메모리 메모리	메모리 메모리	쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
MT42L64M64D2KH-25 IT : a	-	RFQ	4303	Micron Technology Inc.	-	대부분	쓸모없는	-25 ° C ~ 85 ° C (TC)	표면 표면	216-WFBGA	MT42L64M64	sdram- 모바일 lpddr2	1.14V ~ 1.3V	216-FBGA (12x12)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)			귀 99	8542.32.0036	1,000	400MHz	휘발성 휘발성	4gbit		음주	64m x 64	평행한	-
MT29GZ5A5BPGGA-53ITES.87J TR	-	RFQ	8413	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	149-WFBGA	MT29GZ5A5	-Nand, dram -lpddr4	1.8V	149-WFBGA (8x9.5)	-		3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	2,000	1866 MHz	비 비, 휘발성	4GBIT (NAND), 4GBIT (LPDDR4)		플래시, 램	512m x 8 (NAND), 128m x 32 (LPDDR4)	평행한	-
MT28F640J3BS-115 GMET	-	RFQ	9289	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	64-FBGA	MT28F640J3	플래시	2.7V ~ 3.6V	64-FBGA (10x13)	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		비 비	64mbit	115 ns	플래시	8m x 8, 4m x 16	평행한	-
MT46V64M8P-5B : D TR	-	RFQ	6278	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비)	MT46V64M8	sdram -ddr	2.5V ~ 2.7V	66-tsop	-	Rohs3 준수	4 (72 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0024	1,000	200MHz	휘발성 휘발성	512mbit	700 PS	음주	64m x 8	평행한	15ns
MT29F256G08EBHAFB16A3WC1	-	RFQ	3859	Micron Technology Inc.	-	대부분	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	주사위	MT29F256G08	플래시 -Nand (TLC)	2.5V ~ 3.6V	주사위	-		1 (무제한)			쓸모없는	0000.00.0000	1	333 MHz	비 비	256gbit		플래시	32g x 8	평행한	-
MT40A4G4VA-062EPS : b	-	RFQ	1343	Micron Technology Inc.	-	대부분	쓸모없는	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	78-TFBGA	MT40A4G4	sdram -ddr4	1.14V ~ 1.26V	78-FBGA (10x11)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)		557-MT40A4G4VA-062EPS : b	쓸모없는		1,520	1.6GHz	휘발성 휘발성	16gbit	19 ns	음주	4G X 4	평행한	15ns
MT29VZZZAD9FQKSM-046 W.12I TR	59.7600	RFQ	6997	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인								-				557-MT29VZZZAD9FQKSM-046W.12ITR			2,000
MT46H1DAMA-DC	-	RFQ	5997	Micron Technology Inc.	-	대부분	쓸모없는				MT46H1D				-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		쓸모없는	0000.00.0000	1,000
MT49H16M36FM-25E : B TR	-	RFQ	4951	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	144-TFBGA	MT49H16M36	음주	1.7V ~ 1.9V	144-µBGA (18.5x11)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B2A	8542.32.0028	1,000	400MHz	휘발성 휘발성	576mbit	15 ns	음주	16m x 36	평행한	-
MT48LC8M32LFB5-8 IT TR	-	RFQ	7229	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	90-VFBGA	MT48LC8M32	sdram- 모바일 lpsdr	3V ~ 3.6V	90-VFBGA (8x13)	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0024	1,000	125MHz	휘발성 휘발성	256mbit	7 ns	음주	8m x 32	평행한	15ns
MT25QU512ABB8E12-1SIT TR	-	RFQ	2737	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	24-TBGA	MT25QU512	플래시 - 아니오	1.7V ~ 2V	24-T-PBGA (6x8)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	2,500	133 MHz	비 비	512mbit		플래시	64m x 8	SPI	8ms, 2.8ms
MT29F512G08AUEBBK8-12 : B TR	-	RFQ	3317	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	-	MT29F512G08	플래시 -Nand (SLC)	2.7V ~ 3.6V	152-TLGA (14x18)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)			쓸모없는	0000.00.0000	1,000	83MHz	비 비	512gbit		플래시	64g x 8	평행한	-
MT48LC16M8A2FB-7E : g	-	RFQ	7024	Micron Technology Inc.	-	상자	sic에서 중단되었습니다	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	60-FBGA	MT48LC16M8A2	sdram	3V ~ 3.6V	60-FBGA (8x16)	다운로드	rohs 비준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0002	1,000	133 MHz	휘발성 휘발성	128mbit	5.4 ns	음주	16m x 8	평행한	14ns
MT46H64M32LFMA-5 WT : b	-	RFQ	6304	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-25 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	168-WFBGA	MT46H64M32	sdram- 모바일 lpddr	1.7V ~ 1.95V	168-WFBGA (12x12)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)			귀 99	8542.32.0036	1,000	200MHz	휘발성 휘발성	2gbit	5 ns	음주	64m x 32	평행한	15ns
MT41K512M8RH-125 M AIT : E TR	-	RFQ	7432	Micron Technology Inc.	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	78-TFBGA	MT41K512M8	sdram -ddr3l	1.283V ~ 1.45V	78-FBGA (9x10.5)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)			귀 99	8542.32.0036	2,000	800MHz	휘발성 휘발성	4gbit	13.75 ns	음주	512m x 8	평행한	-
MTFC128GAPALNS-AAT ES TR	-	RFQ	1155	Micron Technology Inc.	E • MMC ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	표면 표면	153-TFBGA	MTFC128	플래시 - NAND	-	153-TFBGA (11.5x13)	-		1 (무제한)			3A991B1A	8542.32.0071	1,000		비 비	1tbit		플래시	128g x 8	MMC	-
MT46V32M8TG-75Z : G TR	-	RFQ	8850	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비)	MT46V32M8	sdram -ddr	2.3V ~ 2.7V	66-tsop	다운로드	rohs 비준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0024	1,000	133 MHz	휘발성 휘발성	256mbit	750 ps	음주	32m x 8	평행한	15ns
MT47H32M16HR-3 : g	-	RFQ	1294	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 85 ° C (TC)	표면 표면	84-TFBGA	MT47H32M16	sdram -ddr2	1.7V ~ 1.9V	84-FBGA (8x12.5)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)			귀 99	8542.32.0036	1,000	333 MHz	휘발성 휘발성	512mbit	450 ps	음주	32m x 16	평행한	15ns
MT53B256M32D1DS-062 AAT : C TR	-	RFQ	7666	Micron Technology Inc.	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 105 ° C (TC)	표면 표면	200-WFBGA	MT53B256	sdram- 모바일 lpddr4	1.1V	200-WFBGA (10x14.5)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0036	2,000	1.6GHz	휘발성 휘발성	8gbit		음주	256m x 32	-	-
MTFC128GAXATEA-WT TR	20.4900	RFQ	6379	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-25 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	153-VFBGA		플래시 -Nand (SLC)	-	153-VFBGA (11.5x13)	-				557-MTFC128GAXATEA-WTTR			2,000		비 비	1tbit		플래시	128g x 8	UFS 3.1	-
MT46V64M8TG-5B : J.	-	RFQ	7584	Micron Technology Inc.	-	대부분	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비)	MT46V64M8	sdram -ddr	2.5V ~ 2.7V	66-tsop	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)			귀 99	8542.32.0028	1,000	200MHz	휘발성 휘발성	512mbit	700 PS	음주	64m x 8	평행한	15ns
MT51J256M32HF-80 : a	-	RFQ	8060	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	170-TFBGA	MT51J256	sgram -gddr5	1.31V ~ 1.39V, 1.46V ~ 1.55V	170-FBGA (12x14)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0071	1,260	2GHz	휘발성 휘발성	8gbit		숫양	256m x 32	평행한	-
N25Q064A13EF840E	-	RFQ	4092	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	8-vdfn d 패드	N25Q064A13	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	8-vdfpn (mlp8) (8x6)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,920	108 MHz	비 비	64mbit		플래시	16m x 4	SPI	8ms, 5ms
MT35XU02GCBA2G12-0AUT	49.0500	RFQ	1	Micron Technology Inc.	XCCELA ™ -MT35X	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	24-TBGA	MT35XU02	플래시 - 아니오	1.7V ~ 2V	24-T-PBGA (6x8)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,122	200MHz	비 비	2gbit		플래시	256m x 8	xccela 버스	-
MT53D768M64D8RG-053 WT : d	-	RFQ	5669	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	-	-	MT53D768	sdram- 모바일 lpddr4	1.1V	-	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0036	1,190	1.866 GHz	휘발성 휘발성	48gbit		음주	768m x 64	-	-
MTFC128GAOANEA-WT	-	RFQ	9395	Micron Technology Inc.	E • MMC ™	쟁반	쓸모없는	-25 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	-	MTFC128	플래시 - NAND	-	-	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		쓸모없는	0000.00.0000	1,120		비 비	1tbit		플래시	128g x 8	MMC	-
M29W128GSH70ZA6E	-	RFQ	7518	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	64-TBGA	M29W128	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	64-TBGA (10x13)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	816		비 비	128mbit	70 ns	플래시	16m x 8, 8m x 16	평행한	70ns
N25Q032A11ESE40F TR	-	RFQ	1015	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비)	N25Q032A11	플래시 - 아니오	1.7V ~ 2V	도 8-	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,500	108 MHz	비 비	32mbit		플래시	8m x 4	SPI	8ms, 5ms
MT46V8M16TG-6T IT : D TR	-	RFQ	5182	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비)	MT46V8M16	sdram -ddr	2.3V ~ 2.7V	66-tsop	다운로드	rohs 비준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0002	1,000	167 MHz	휘발성 휘발성	128mbit	700 PS	음주	8m x 16	평행한	15ns
MT41DCHA-V80A : e	-	RFQ	5747	Micron Technology Inc.	-	대부분	쓸모없는				MT41DCHA				-	Rohs3 준수	3 (168 시간)			귀 99	8542.32.0036	1,000

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

메모리 (10402)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²