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![]() | MTFC4GMWDQ-3M AIT | - | ![]() | 1431 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 100-lbga | MTFC4 | 플래시 - NAND | 2.7V ~ 3.6V | 100-lbga (14x18) | - | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 비 비 | 32gbit | 플래시 | 4G X 8 | MMC | - | |||||
![]() | mt28ew01gaba1hpc-0aat | - | ![]() | 6867 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 64-lbga | MT28ew01 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 64-lbga (11x13) | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,104 | 비 비 | 1gbit | 105 ns | 플래시 | 128m x 8, 64m x 16 | 평행한 | 60ns | ||||
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![]() | MT29F4G08ABAFAH4-IARS : F TR | - | ![]() | 5380 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 63-VFBGA | MT29F4G08 | 플래시 - NAND | 2.7V ~ 3.6V | 63-VFBGA (9x11) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 비 비 | 4gbit | 플래시 | 512m x 8 | 평행한 | - | |||
![]() | MT44K32M36RB-083F : A TR | - | ![]() | 8787 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 168-TBGA | MT44K32M36 | rldram 3 | 1.28V ~ 1.42V | 168-BGA (13.5x13.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 1.2GHz | 휘발성 휘발성 | 1.125gbit | 6.67 ns | 음주 | 32m x 36 | 평행한 | - | |
![]() | MT44K64M18RB-083F : A TR | - | ![]() | 5923 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 168-TBGA | MT44K64M18 | rldram 3 | 1.28V ~ 1.42V | 168-BGA (13.5x13.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 1.2GHz | 휘발성 휘발성 | 1.125gbit | 6.67 ns | 음주 | 64m x 18 | 평행한 | - | |
![]() | MT46H1DAMA-DC TR | - | ![]() | 6391 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | MT46H1D | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 0000.00.0000 | 1,000 | ||||||||||||||||
![]() | MT53B128M32D1DS-062 AAT : A TR | - | ![]() | 1216 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | 표면 표면 | 200-WFBGA | MT53B128 | sdram- 모바일 lpddr4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.6GHz | 휘발성 휘발성 | 4gbit | 음주 | 128m x 32 | - | - | ||
![]() | MT53B128M32D1DS-062 AUT : A TR | - | ![]() | 9486 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | 표면 표면 | 200-WFBGA | MT53B128 | sdram- 모바일 lpddr4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.6GHz | 휘발성 휘발성 | 4gbit | 음주 | 128m x 32 | - | - | ||
![]() | MT53B384M32D2DS-062 AAT : B TR | - | ![]() | 4341 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | 표면 표면 | 200-WFBGA | MT53B384 | sdram- 모바일 lpddr4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.6GHz | 휘발성 휘발성 | 12gbit | 음주 | 384m x 32 | - | - | ||
![]() | MT53B384M32D2DS-062 AUT : B TR | - | ![]() | 8189 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | 표면 표면 | 200-WFBGA | MT53B384 | sdram- 모바일 lpddr4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.6GHz | 휘발성 휘발성 | 12gbit | 음주 | 384m x 32 | - | - | ||
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![]() | MT53D4DAKA-DC TR | - | ![]() | 1203 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | - | - | MT53D4 | sdram- 모바일 lpddr4 | - | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 0000.00.0000 | 2,000 | 휘발성 휘발성 | 음주 | ||||||||||
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![]() | EMB8132B4PM-DV-FD | - | ![]() | 3325 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | EMB8132 | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 0000.00.0000 | 1,680 | ||||||||||||||||
![]() | MT53B384M32D2NP-062 XT : b | - | ![]() | 9454 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -30 ° C ~ 105 ° C (TC) | 표면 표면 | 200-WFBGA | MT53B384 | sdram- 모바일 lpddr4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 1,360 | 1.6GHz | 휘발성 휘발성 | 12gbit | 음주 | 384m x 32 | - | - | ||
![]() | mtfc8gamalbh-aat | 11.1750 | ![]() | 5264 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 153-TFBGA | MTFC8 | 플래시 - NAND | - | 153-TFBGA (11.5x13) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,520 | 비 비 | 64gbit | 플래시 | 8g x 8 | MMC | - | |||
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![]() | MT53D512M64D8TZ-053 WT ES : B TR | - | ![]() | 4008 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | - | - | MT53D512 | sdram- 모바일 lpddr4 | 1.1V | - | - | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 1.866 GHz | 휘발성 휘발성 | 32gbit | 음주 | 512m x 64 | - | - | |||
![]() | MTFC32GAKAEJP-5M AIT TR | - | ![]() | 5747 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 153-VFBGA | MTFC32G | 플래시 - NAND | - | 153-VFBGA (11.5x13) | - | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 비 비 | 256gbit | 플래시 | 32g x 8 | MMC | - | ||||
![]() | MTFC16Gakaecn-ait | - | ![]() | 1987 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 153-VFBGA | MTFC16 | 플래시 - NAND | 1.7V ~ 1.9V | 153-VFBGA (11.5x13) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1,520 | 비 비 | 128gbit | 플래시 | 16g x 8 | MMC | - | ||||
MT29F4G08ABADAWP-IT : D TR | 6.6000 | ![]() | 202 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) | MT29F4G08 | 플래시 - NAND | 2.7V ~ 3.6V | 48-tsop i | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 비 비 | 4gbit | 플래시 | 512m x 8 | 평행한 | - | ||||
MT46H4M32LFB5-6 IT : k | - | ![]() | 6664 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | sic에서 중단되었습니다 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 90-VFBGA | MT46H4M32 | sdram- 모바일 lpddr | 1.7V ~ 1.95V | 90-VFBGA (8x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 166 MHz | 휘발성 휘발성 | 128mbit | 5 ns | 음주 | 4m x 32 | 평행한 | 15ns | ||
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![]() | MT47H512M8WTR-3 : c | - | ![]() | 4970 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 표면 | 63-TFBGA | MT47H512M8 | sdram -ddr2 | 1.7V ~ 1.9V | 63-FBGA (9x11.5) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 333 MHz | 휘발성 휘발성 | 4gbit | 450 ps | 음주 | 512m x 8 | 평행한 | 15ns | |
MT47H64M8JN-25E : g | - | ![]() | 2160 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 대부분 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 표면 | 60-TFBGA | MT47H64M8 | sdram -ddr2 | 1.7V ~ 1.9V | 60-FBGA (8x10) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 귀 99 | 8542.32.0028 | 1,000 | 400MHz | 휘발성 휘발성 | 512mbit | 400 PS | 음주 | 64m x 8 | 평행한 | 15ns |
일일 평균 RFQ 볼륨
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