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메모리 (10402)

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MT29F32G08AECCBH1-10:C Micron Technology Inc. MT29F32G08AECCBH1-10 : c -
RFQ
 ECAD 9537 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-VBGA MT29F32G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 100-VBGA (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1 100MHz 비 비 32gbit 플래시 4G X 8 평행한 -
MT48H32M16LFB4-6 AT:C Micron Technology Inc. MT48H32M16LFB4-6 AT : C. -
RFQ
 ECAD 8860 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-VFBGA MT48H32M16 sdram- 모바일 lpsdr 1.7V ~ 1.95V 54-VFBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 1,560 166 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5 ns 음주 32m x 16 평행한 15ns
M29W800DT70ZE6E Micron Technology Inc. M29W800DT70ZE6E -
RFQ
 ECAD 9902 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFBGA M29W800 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 187 비 비 8mbit 70 ns 플래시 1m x 8, 512k x 16 평행한 70ns
MT42L128M64D2LL-25 IT:A Micron Technology Inc. MT42L128M64D2LL-25 IT : a -
RFQ
 ECAD 7713 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -25 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 216-WFBGA MT42L128M64 sdram- 모바일 lpddr2 1.14V ~ 1.3V 216-FBGA (12x12) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,008 400MHz 휘발성 휘발성 8gbit 음주 128m x 64 평행한 -
M25PX80-VMN6P Micron Technology Inc. M25PX80-VMN6P -
RFQ
 ECAD 5129 0.00000000 Micron Technology Inc. - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) M25PX80 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 2,000 75MHz 비 비 8mbit 플래시 1m x 8 SPI 15ms, 5ms
MT29F4G16ABADAH4-AAT:D Micron Technology Inc. MT29F4G16ABADAH4-AAT : d -
RFQ
 ECAD 7476 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA MT29F4G16 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 63-VFBGA (9x11) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 1,260 비 비 4gbit 플래시 256m x 16 평행한 -
N25Q512A83G1240F TR Micron Technology Inc. N25Q512A83G1240F TR -
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 ECAD 1814 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA N25Q512A83 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 24-T-PBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 108 MHz 비 비 512mbit 플래시 128m x 4 SPI 8ms, 5ms
MT40A512M16LY-062E AAT:E Micron Technology Inc. MT40A512M16LY-062E AAT : e 10.1250
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 ECAD 8831 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA MT40A512M16 sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 96-FBGA (7.5x13.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 MT40A512M16LY-062EAAT : e 귀 99 8542.32.0036 1,080 1.6GHz 휘발성 휘발성 8gbit 19 ns 음주 512m x 16 평행한 15ns
MT28EW256ABA1HPN-0SIT Micron Technology Inc. mt28ew256aba1hpn-0sit -
RFQ
 ECAD 6034 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 56-VFBGA MT28ew256 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 56-VFBGA (7x9) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,560 비 비 256mbit 75 ns 플래시 32m x 8, 16m x 16 평행한 60ns
MT29F128G08EBCDBJ4-37ES:D TR Micron Technology Inc. MT29F128G08EBCDBJ4-37ES : D TR -
RFQ
 ECAD 9647 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 132-VBGA MT29F128G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 132-VBGA (12x18) - 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 1,000 267 MHz 비 비 128gbit 플래시 16g x 8 평행한 -
MT29F32G08CBADBWPR:D Micron Technology Inc. MT29F32G08CBADBWPR : d -
RFQ
 ECAD 1300 0.00000000 Micron Technology Inc. - 튜브 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F32G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 960 비 비 32gbit 플래시 4G X 8 평행한 -
MT62F2G64D8EK-023 AAT:C TR Micron Technology Inc. MT62F2G64D8EK-023 AAT : C TR 126.4350
RFQ
 ECAD 4477 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 441-TFBGA sdram- 모바일 lpddr5 1.05V 441-TFBGA (14x14) - 557-MT62F2G64D8EK-023AAT : CTR 2,000 4.266 GHz 휘발성 휘발성 128gbit 음주 2G X 64 평행한 -
MT53B512M32D2DS-062 AAT:C TR Micron Technology Inc. MT53B512M32D2DS-062 AAT : C TR -
RFQ
 ECAD 3096 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 200-WFBGA MT53B512 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 1.6GHz 휘발성 휘발성 16gbit 음주 512m x 32 - -
MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR Micron Technology Inc. MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR -
RFQ
 ECAD 7005 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -25 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 162-VFBGA MT29RZ4B2 플래시 -nand, dram -lpddr2 1.8V 162-VFBGA (11.5x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 533 MHz 비 비, 휘발성 4GBIT (NAND), 2GBIT (LPDDR2) 플래시, 램 512m x 8 (NAND), 64M X 32 (LPDDR2) 평행한 -
MT53D4DACR-DC TR Micron Technology Inc. MT53D4DACR-DC TR -
RFQ
 ECAD 9643 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - - MT53D4 sdram- 모바일 lpddr4 - - 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 2,000 휘발성 휘발성 음주
M29F200FT5AM6F2 TR Micron Technology Inc. M29F200FT5AM6F2 TR -
RFQ
 ECAD 6118 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-SOIC (0.496 ", 12.60mm 너비) M29F200 플래시 - 아니오 4.5V ~ 5.5V 44- 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0071 500 비 비 2mbit 55 ns 플래시 256k x 8, 128k x 16 평행한 55ns
MT42L128M32D1GU-25 WT:A Micron Technology Inc. MT42L128M32D1GU-25 WT : a -
RFQ
 ECAD 8634 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 134-WFBGA MT42L128M32 sdram- 모바일 lpddr2 1.14V ~ 1.3V 134-FBGA (10x11.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,260 400MHz 휘발성 휘발성 4gbit 음주 128m x 32 평행한 -
MT58L256L32FS-8.5IT Micron Technology Inc. MT58L256L32FS-8.5IT 18.9100
RFQ
 ECAD 9504 0.00000000 Micron Technology Inc. SyncBurst ™ 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp sram- 표준 3.135V ~ 3.6V 100-TQFP (14x20.1) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 3A991B2A 8542.32.0041 1 100MHz 휘발성 휘발성 8mbit 8.5 ns SRAM 256k x 32 평행한 -
MT53D1024M32D4DT-053 WT:D Micron Technology Inc. MT53D1024M32D4DT-053 WT : d -
RFQ
 ECAD 4518 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 200-VFBGA MT53D1024 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 200-VFBGA (10x14.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,360 1.866 GHz 휘발성 휘발성 32gbit 음주 1g x 32 - -
MT48LC2M32B2B5-6A AIT:J TR Micron Technology Inc. MT48LC2M32B2B5-6A AIT : J TR -
RFQ
 ECAD 2873 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-VFBGA MT48LC2M32B2 sdram 3V ~ 3.6V 90-VFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 167 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5.4 ns 음주 2m x 32 평행한 12ns
MT53B4DCNQ-DC TR Micron Technology Inc. MT53B4DCNQ-DC TR -
RFQ
 ECAD 8032 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 200-VFBGA MT53B4 sdram- 모바일 lpddr4 200-VFBGA (10x14.5) - 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 2,000 휘발성 휘발성 음주
M25P32-VMW3GB TR Micron Technology Inc. M25P32-VMW3GB TR -
RFQ
 ECAD 6323 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) M25P32 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,500 75MHz 비 비 32mbit 플래시 4m x 8 SPI 15ms, 5ms
M58LR256KT70ZC5E Micron Technology Inc. M58LR256KT70ZC5E -
RFQ
 ECAD 4292 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 79-VFBGA M58LR256 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 79-VFBGA (9x11) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0051 1,740 66MHz 비 비 256mbit 70 ns 플래시 16m x 16 평행한 70ns
MT47H32M16HR-3:G Micron Technology Inc. MT47H32M16HR-3 : g -
RFQ
 ECAD 1294 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 84-TFBGA MT47H32M16 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-FBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0036 1,000 333 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 450 ps 음주 32m x 16 평행한 15ns
MT58L256V36PS-6 Micron Technology Inc. MT58L256V36PS-6 5.9800
RFQ
 ECAD 266 0.00000000 Micron Technology Inc. SyncBurst ™ 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp sram- 표준 3.135V ~ 3.6V 100-TQFP (14x20.1) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 3A991B2A 8542.32.0041 500 166 MHz 휘발성 휘발성 8mbit 3.5 ns SRAM 256k x 36 평행한 -
MT48LC16M16A2P-6A L:G Micron Technology Inc. MT48LC16M16A2P-6A L : G. -
RFQ
 ECAD 3368 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC16M16A2 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 16m x 16 평행한 12ns
MT29F8T08GULCEM4-QJ:C TR Micron Technology Inc. MT29F8T08GULCEM4-QJ : C TR 156.3000
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 ECAD 7737 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 557-MT29F8T08GULCEM4-QJ : CTR 2,000
MT40A512M8RH-062E:B TR Micron Technology Inc. MT40A512M8RH-062E : B TR -
RFQ
 ECAD 4538 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT40A512M8 sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (9x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 1.6GHz 휘발성 휘발성 4gbit 음주 512m x 8 평행한 -
MT49H32M9BM-25:B TR Micron Technology Inc. MT49H32M9BM-25 : B TR -
RFQ
 ECAD 3246 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 144-TFBGA MT49H32M9 음주 1.7V ~ 1.9V 144-µBGA (18.5x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 400MHz 휘발성 휘발성 288mbit 20 ns 음주 32m x 9 평행한 -
M29W640GH70ZA6E Micron Technology Inc. M29W640GH70ZA6E -
RFQ
 ECAD 9489 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFBGA M29W640 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 비 비 64mbit 70 ns 플래시 8m x 8, 4m x 16 평행한 70ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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