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메모리 (10402)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	시계 시계	메모리 메모리	메모리 메모리	액세스 액세스	메모리 메모리	메모리 메모리	메모리 메모리	쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
MT47R512M4EB-25E : c	-	RFQ	2224	Micron Technology Inc.	-	쟁반	sic에서 중단되었습니다	0 ° C ~ 85 ° C (TC)	표면 표면	60-TFBGA	MT47R512M4	sdram -ddr2	1.55V ~ 1.9V	60-FBGA (9x11.5)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0036	1,000	400MHz	휘발성 휘발성	2gbit	400 PS	음주	512m x 4	평행한	15ns
mtfc64gazaotd-aat tr	36.8700	RFQ	9588	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인								-				557-MTFC64GAZAOTD-AATTR			2,000
M50FW040NB5TG TR	-	RFQ	5257	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-20 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	32-TFSOP (0.488 ", 12.40mm 너비)	M50FW040	플래시 - 아니오	3V ~ 3.6V	32-tsop	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0071	1,500	33MHz	비 비	4mbit	250 ns	플래시	512k x 8	평행한	-
MT40A1G8WE-083E AAT : B TR	-	RFQ	4842	Micron Technology Inc.	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 105 ° C (TC)	표면 표면	78-TFBGA	MT40A1G8	sdram -ddr4	1.14V ~ 1.26V	78-FBGA (8x12)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0036	2,000	1.2GHz	휘발성 휘발성	8gbit		음주	1g x 8	평행한	-
mt28ew512aba1hpc-0sit	12.9300	RFQ	704	Micron Technology Inc.	-	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	64-lbga	MT28ew512	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	64-lbga (11x13)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,104		비 비	512mbit	95 ns	플래시	64m x 8, 32m x 16	평행한	60ns
MT25QL128ABA8ESF-0SIT TR	4.9700	RFQ	13	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)	MT25QL128	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	16- 형의 행위	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	133 MHz	비 비	128mbit		플래시	16m x 8	SPI	8ms, 2.8ms
MT29F2T08EMLCEJ4-QJ : C.	60.5400	RFQ	4072	Micron Technology Inc.	-	상자	활동적인								-				557-MT29F2T08EMLCEJ4-QJ : C.			1
N25Q128A13ESF40F TR	-	RFQ	7145	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)	N25Q128A13	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	16- 형의 행위	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	108 MHz	비 비	128mbit		플래시	32m x 4	SPI	8ms, 5ms
M58WR064EB70ZB6	-	RFQ	9458	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	56-VFBGA	M58WR064	플래시 - 아니오	1.65V ~ 2.2V	56-VFBGA (7.7x9)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	2,016	66MHz	비 비	64mbit	70 ns	플래시	4m x 16	평행한	70ns
MT29F1HT08EMHBBJ4-3R : B TR	-	RFQ	5703	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	132-VBGA	MT29F1HT08	플래시 - NAND	2.5V ~ 3.6V	132-VBGA (12x18)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	333 MHz	비 비	1.5tbit		플래시	192g x 8	평행한	-
MT29F4T08GMLCEJ4-QB : C.	78.1500	RFQ	1909	Micron Technology Inc.	-	상자	활동적인								-				557-MT29F4T08GMLCEJ4-QB : C.			1
MT46V32M16BN-75 L : C.	-	RFQ	7527	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	60-TFBGA	MT46V32M16	sdram -ddr	2.3V ~ 2.7V	60-FBGA (10x12.5)	-	Rohs3 준수	5 (48 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0024	1,000	133 MHz	휘발성 휘발성	512mbit	750 ps	음주	32m x 16	평행한	15ns
MT62F1536M32D4DS-023 IT : b	37.6950	RFQ	8394	Micron Technology Inc.	-	상자	활동적인	-	표면 표면	200-WFBGA		sdram- 모바일 lpddr5	-	200-WFBGA (10x14.5)	-				557-MT62F1536M32D4DS-023IT : b			1	4.266 GHz	휘발성 휘발성	48gbit		음주	1.5GX 32	평행한	-
MT29AZ5A5CHGSQ-18AIT.87U	13.6350	RFQ	4506	Micron Technology Inc.	-	튜브	활동적인				MT29AZ5				-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	557-MT29AZ5A5CHGSQ-18AIT.87U			1,440
PF48F4400P0VBQE3	-	RFQ	1291	Micron Technology Inc.	Axcell ™	쟁반	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 85 ° C (TC)	표면 표면	88-TFBGA, CSPBGA	48F4400p0	플래시 - 아니오	1.7V ~ 2V	88-SCSP (8x11)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0051	176	52MHz	비 비	512mbit	100 ns	플래시	32m x 16	평행한	100ns
MT25QU512ABB8E12-0SIT	9.7900	RFQ	11	Micron Technology Inc.	-	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	24-TBGA	MT25QU512	플래시 - 아니오	1.7V ~ 2V	24-T-PBGA (6x8)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,122	133 MHz	비 비	512mbit		플래시	64m x 8	SPI	8ms, 2.8ms
MT29F512G08AUCBBH8-6 : B TR	-	RFQ	5611	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	152-lbga	MT29F512G08	플래시 -Nand (SLC)	2.7V ~ 3.6V	152-lbga (14x18)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)			쓸모없는	0000.00.0000	1,000	166 MHz	비 비	512gbit		플래시	64g x 8	평행한	-
MT46H32M32LFCG-6 : a	-	RFQ	5860	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	152-VFBGA	MT46H32M32	sdram- 모바일 lpddr	1.7V ~ 1.95V	152-VFBGA (14x14)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0032	1,000	166 MHz	휘발성 휘발성	1gbit	5 ns	음주	32m x 32	평행한	15ns
MT53D384M16D1NY-046 XT ES : d	-	RFQ	4671	Micron Technology Inc.	-	대부분	쓸모없는	-30 ° C ~ 105 ° C (TC)			MT53D384	sdram- 모바일 lpddr4	1.1V		-		1 (무제한)			쓸모없는	0000.00.0000	1,190	2.133 GHz	휘발성 휘발성	6gbit		음주	384m x 16	-	-
MT41K128M16JT-125 AIT : K TR	7.4700	RFQ	7	Micron Technology Inc.	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	96-TFBGA	MT41K128M16	sdram -ddr3l	1.283V ~ 1.45V	96-FBGA (8x14)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0036	2,000	800MHz	휘발성 휘발성	2gbit	13.75 ns	음주	128m x 16	평행한	-
MT53D8DBPM-DC	-	RFQ	7045	Micron Technology Inc.	*	상자	활동적인				MT53d8				-			영향을받지 영향을받지			0000.00.0000	1,190
MT29F64G08CBCGBWP-BES : g	-	RFQ	9902	Micron Technology Inc.	-	쟁반	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	MT29F64G08	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	48-tsop i	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	960		비 비	64gbit		플래시	8g x 8	평행한	-
M50FLW080BN5TG TR	-	RFQ	9267	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-20 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	40-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	M50FLW080	플래시 - 아니오	3V ~ 3.6V	40-tsop	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0071	1,500	33MHz	비 비	8mbit	250 ns	플래시	1m x 8	평행한	-
MT25QU128ABA8ESF-0AAT	4.7300	RFQ	1	Micron Technology Inc.	자동차, AEC-Q100	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	표면 표면	16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)	MT25QU128	플래시 - 아니오	1.7V ~ 2V	16-SOP2	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,440	133 MHz	비 비	128mbit		플래시	16m x 8	SPI	8ms, 2.8ms
MT53E1G64D8NW-046 WT : E TR	-	RFQ	6542	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)			MT53E1G64	sdram- 모바일 lpddr4	1.1V		-					쓸모없는	0000.00.0000	1,000	2.133 GHz	휘발성 휘발성	64gbit		음주	1G X 64	-	-
MT53D512M16D1Z11MWC2 ES	-	RFQ	9539	Micron Technology Inc.	-	대부분	쓸모없는				MT53D512				-		1 (무제한)			쓸모없는	0000.00.0000	1
MTFC4GMDEA-R1 IT TR	-	RFQ	3459	Micron Technology Inc.	E • MMC ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	153-WFBGA	MTFC4	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	153-WFBGA (11.5x13)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)			쓸모없는	0000.00.0000	1,000		비 비	32gbit		플래시	4G X 8	MMC	-
MT46V64M8P-5B : D TR	-	RFQ	6278	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비)	MT46V64M8	sdram -ddr	2.5V ~ 2.7V	66-tsop	-	Rohs3 준수	4 (72 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0024	1,000	200MHz	휘발성 휘발성	512mbit	700 PS	음주	64m x 8	평행한	15ns
MT40A4G4VA-062EPS : b	-	RFQ	1343	Micron Technology Inc.	-	대부분	쓸모없는	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	78-TFBGA	MT40A4G4	sdram -ddr4	1.14V ~ 1.26V	78-FBGA (10x11)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)		557-MT40A4G4VA-062EPS : b	쓸모없는		1,520	1.6GHz	휘발성 휘발성	16gbit	19 ns	음주	4G X 4	평행한	15ns
MT29F512G08AUEBBK8-12 : B TR	-	RFQ	3317	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	-	MT29F512G08	플래시 -Nand (SLC)	2.7V ~ 3.6V	152-TLGA (14x18)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)			쓸모없는	0000.00.0000	1,000	83MHz	비 비	512gbit		플래시	64g x 8	평행한	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

메모리 (10402)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²