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메모리 (10402)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 시계 시계 메모리 메모리 메모리 메모리 액세스 액세스 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
MTFC32GJGDQ-AIT TR Micron Technology Inc. mtfc32gjgdq-ait tr -
RFQ
 ECAD 7280 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lbga MTFC32G 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 100-lbga (14x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 256gbit 플래시 32g x 8 MMC -
MT47H128M8CF-3 AIT:H Micron Technology Inc. MT47H128M8CF-3 AIT : h -
RFQ
 ECAD 9338 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 60-TFBGA MT47H128M8 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 60-FBGA (8x10) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 1,000 333 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 450 ps 음주 128m x 8 평행한 15ns
MT53D512M16D1DS-046 WT:D TR Micron Technology Inc. MT53D512M16D1DS-046 WT : D TR 7.7400
RFQ
 ECAD 8057 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 200-WFBGA MT53D512 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 MT53D512M16D1DS-046WT : DTR 귀 99 8542.32.0036 2,000 2.133 GHz 휘발성 휘발성 8gbit 음주 512m x 16 - -
MT48H16M32L2F5-8 TR Micron Technology Inc. MT48H16M32L2F5-8 TR -
RFQ
 ECAD 3252 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 90-VFBGA MT48H16M32 sdram- 모바일 lpsdr 1.7V ~ 1.9V 90-VFBGA (8x13) 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 125MHz 휘발성 휘발성 512mbit 7.5 ns 음주 16m x 32 평행한 -
MT29F128G08CBCEBJ4-37ITRES:E TR Micron Technology Inc. MT29F128G08CBCEBJ4-37ITRES : E TR -
RFQ
 ECAD 5084 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 132-VBGA MT29F128G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 132-VBGA (12x18) - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 267 MHz 비 비 128gbit 플래시 16g x 8 평행한 -
MT62F1G32D4DS-031 AUT:B TR Micron Technology Inc. MT62F1G32D4DS-031 AUT : B TR 37.4700
RFQ
 ECAD 4010 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 200-WFBGA sdram- 모바일 lpddr5 1.05V 200-WFBGA (10x14.5) - 557-MT62F1G32D4DS-031AUT : BTR 2,000 3.2GHz 휘발성 휘발성 32gbit 음주 1g x 32 평행한 -
M29W640GT70ZS6F TR Micron Technology Inc. M29W640GT70ZS6F TR -
RFQ
 ECAD 4086 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-lbga M29W640 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 64-FBGA (11x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,800 비 비 64mbit 70 ns 플래시 8m x 8, 4m x 16 평행한 70ns
MT53E256M64D4NZ-053 WT:B TR Micron Technology Inc. MT53E256M64D4NZ-053 WT : B TR -
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 ECAD 7217 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) MT53E256 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 MT53E256M64D4NZ-053WT : BTR 쓸모없는 0000.00.0000 1,000 1.866 GHz 휘발성 휘발성 16gbit 음주 256m x 64 - -
PZ28F064M29EWTA Micron Technology Inc. PZ28F064M29ewta -
RFQ
 ECAD 1538 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-VFBGA PZ28F064M29 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 48-BGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 비 비 64mbit 60 ns 플래시 8m x 8, 4m x 16 평행한 60ns
EDBM432B3PF-1D-F-D Micron Technology Inc. EDBM432B3PF-1D-FD -
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 ECAD 3615 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 168-VFBGA EDBM432 sdram- 모바일 lpddr2 1.14V ~ 1.95V 168-FBGA (12x12) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,680 533 MHz 휘발성 휘발성 12gbit 음주 384m x 32 평행한 -
MTFC8GLWDM-3L AAT Z TR Micron Technology Inc. MTFC8GLWDM-3L AAT Z TR -
RFQ
 ECAD 9539 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 153-TFBGA MTFC8 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 153-TFBGA (11.5x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 64gbit 플래시 8g x 8 MMC -
MT49H8M36SJ-TI:B Micron Technology Inc. MT49H8M36SJ-TI : b -
RFQ
 ECAD 1087 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 144-TFBGA MT49H8M36 음주 1.7V ~ 1.9V 144-FBGA (18.5x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0028 1,120 휘발성 휘발성 288mbit 음주 8m x 36 평행한 -
M29W800DB70ZM6F TR Micron Technology Inc. M29W800DB70ZM6F TR -
RFQ
 ECAD 7920 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 - M29W800 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V - 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0071 2,500 비 비 8mbit 70 ns 플래시 1m x 8, 512k x 16 평행한 70ns
M28W320FCB70N6F TR Micron Technology Inc. M28W320FCB70N6F TR -
RFQ
 ECAD 1964 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) M28W320 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 48-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,500 비 비 32mbit 70 ns 플래시 2m x 16 평행한 70ns
MT29F128G08CFAAAWP-IT:A TR Micron Technology Inc. MT29F128G08CFAAAWP-IT : A TR -
RFQ
 ECAD 1332 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F128G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 128gbit 플래시 16g x 8 평행한 -
MT40A512M8RH-083E IT:B TR Micron Technology Inc. MT40A512M8RH-083E IT : B TR -
RFQ
 ECAD 1407 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT40A512M8 sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (9x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 1.2GHz 휘발성 휘발성 4gbit 음주 512m x 8 평행한 -
MT53B512M64D8HR-053 WT ES:B Micron Technology Inc. MT53B512M64D8HR-053 WT ES : b -
RFQ
 ECAD 5506 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - MT53B512 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V - - 1 (무제한) 귀 99 8542.32.0036 1,360 1.866 GHz 휘발성 휘발성 32gbit 음주 512m x 64 - -
MT29F1T08EELCEJ4-QJ:C TR Micron Technology Inc. MT29F1T08ELCEJ4-QJ : C TR 30.2700
RFQ
 ECAD 3113 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 557-MT29F1T08ELCEJ4-QJ : CTR 2,000
M29W800DT70ZE6F TR Micron Technology Inc. M29W800DT70ZE6F TR -
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 ECAD 2596 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFBGA M29W800 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 2,500 비 비 8mbit 70 ns 플래시 1m x 8, 512k x 16 평행한 70ns
MT53B256M64D2NK-062 WT:C Micron Technology Inc. MT53B256M64D2NK-062 WT : C. -
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 ECAD 6122 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - MT53B256 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V - - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 1,190 1.6GHz 휘발성 휘발성 16gbit 음주 256m x 64 - -
M25PX80-VMP6TG0M TR Micron Technology Inc. M25PX80-VMP6TG0M TR -
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 ECAD 5081 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-vdfn d 패드 M25PX80 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 8-VFQFPN (6x5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 4,000 75MHz 비 비 8mbit 플래시 1m x 8 SPI 15ms, 5ms
MT62F2G64D8EK-023 AIT:B Micron Technology Inc. MT62F2G64D8EK-023 AIT : b 114.9600
RFQ
 ECAD 8262 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 상자 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C 표면 표면 441-TFBGA sdram- 모바일 lpddr5 1.05V 441-TFBGA (14x14) - 557-MT62F2G64D8EK-023AIT : b 1 4.266 GHz 휘발성 휘발성 128gbit 음주 2G X 64 평행한 -
MT44K32M36RB-083E:A Micron Technology Inc. MT44K32M36RB-083E : a -
RFQ
 ECAD 2017 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 168-TBGA MT44K32M36 rldram 3 1.28V ~ 1.42V 168-BGA (13.5x13.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,190 1.2GHz 휘발성 휘발성 1.125gbit 7.5 ns 음주 32m x 36 평행한 -
MT46H32M32LFB5-6 IT:B Micron Technology Inc. MT46H32M32LFB5-6 IT : b -
RFQ
 ECAD 9803 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-VFBGA MT46H32M32 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 90-VFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 1,000 166 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 5 ns 음주 32m x 32 평행한 15ns
M25P05-AVMB6TP TR Micron Technology Inc. M25P05-AVMB6TP TR -
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 ECAD 3777 0.00000000 Micron Technology Inc. - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-ufdfn 노출 패드 M25P05-A 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-ufdfpn (2x3) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 2,500 50MHz 비 비 512kbit 플래시 64k x 8 SPI 15ms, 5ms
M28W640HST70ZA6F Micron Technology Inc. M28W640HST70ZA6F -
RFQ
 ECAD 8724 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-TFBGA M28W640 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 64-TFBGA (10.5x6.39) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 64mbit 70 ns 플래시 4m x 16 평행한 70ns
M28W320FCB70ZB6F TR Micron Technology Inc. M28W320FCB70ZB6F TR -
RFQ
 ECAD 3858 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 47-TFBGA M28W320 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 47-TFBGA (6.39x6.37) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 비 비 32mbit 70 ns 플래시 2m x 16 평행한 70ns
MT29F128G08AMAAAC5-Z:A Micron Technology Inc. MT29F128G08AMAAAC5-Z : a -
RFQ
 ECAD 3409 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 52-VLGA MT29F128G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 52-VLGA (18x14) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 128gbit 플래시 16g x 8 평행한 -
MT40A512M8RH-083E:B TR Micron Technology Inc. MT40A512M8RH-083E : B TR -
RFQ
 ECAD 4444 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT40A512M8 sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (9x10.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) MT40A512M8RH-083E : Btr 쓸모없는 2,000 1.2GHz 휘발성 휘발성 4gbit 19 ns 음주 512m x 8 평행한 15ns
MT29F128G08AECBBH6-6:B TR Micron Technology Inc. MT29F128G08AECBBH6-6 : B TR -
RFQ
 ECAD 2290 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 152-VBGA MT29F128G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 152-VBGA (14x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,000 167 MHz 비 비 128gbit 플래시 16g x 8 평행한 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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