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메모리 (10402)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	시계 시계	메모리 메모리	메모리 메모리	액세스 액세스	메모리 메모리	메모리 메모리	메모리 메모리	쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
MT47H256M4CF-25E : H TR	-	RFQ	5670	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 85 ° C (TC)	표면 표면	60-TFBGA	MT47H256M4	sdram -ddr2	1.7V ~ 1.9V	60-FBGA (8x10)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)			귀 99	8542.32.0032	1,000	400MHz	휘발성 휘발성	1gbit	400 PS	음주	256m x 4	평행한	15ns
MT60B1G16HC-52B IT : G TR	18.2400	RFQ	5155	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인								-				557-MT60B1G16HC-52 비트 : GTR			3,000
MT53D1024M32D4NQ-053 WT : d	-	RFQ	6891	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	표면 표면	200-VFBGA	MT53D1024	sdram- 모바일 lpddr4	1.1V	200-VFBGA (10x14.5)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0036	1,360	1.866 GHz	휘발성 휘발성	32gbit		음주	1g x 32	-	-
NAND512W3A2SN6F TR	-	RFQ	3147	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	NAND512	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	48-tsop	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,500		비 비	512mbit	50 ns	플래시	64m x 8	평행한	50ns
MT49H32M18CFM-25 : b	-	RFQ	9062	Micron Technology Inc.	-	쟁반	sic에서 중단되었습니다	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	144-TFBGA	MT49H32M18	음주	1.7V ~ 1.9V	144-µBGA (18.5x11)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B2A	8542.32.0028	1,000	400MHz	휘발성 휘발성	576mbit	20 ns	음주	32m x 18	평행한	-
MT53D2048M32D8QD-062 WT ES : D.	-	RFQ	2693	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	-	-	MT53D2048	sdram- 모바일 lpddr4	1.1V	-	-		1 (무제한)			쓸모없는	0000.00.0000	1,360	1.6GHz	휘발성 휘발성	64gbit		음주	2G X 32	-	-
NAND08GW3F2AN6E	-	RFQ	9135	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	NAND08G	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	48-tsop	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	-Nand08gw3f2an6e	3A991B1A	8542.32.0051	96		비 비	8gbit	25 ns	플래시	1g x 8	평행한	25ns
PC28F256P33T85A	-	RFQ	3315	Micron Technology Inc.	Strataflash ™	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TC)	표면 표면	64-TBGA	PC28F256	플래시 - 아니오	2.3V ~ 3.6V	64-EASYBGA (8x10)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	144	52MHz	비 비	256mbit	85 ns	플래시	16m x 16	평행한	85ns
MT53B384M64D4TP-062 XT : c	-	RFQ	9747	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-30 ° C ~ 105 ° C (TC)	-	-	MT53B384	sdram- 모바일 lpddr4	1.1V	-	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0036	1,120	1.6GHz	휘발성 휘발성	24gbit		음주	384m x 64	-	-
MT41K512M8RH-125 XIT : E TR	-	RFQ	1549	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	78-TFBGA	MT41K512M8	sdram -ddr3l	1.283V ~ 1.45V	78-FBGA (9x10.5)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)			귀 99	8542.32.0036	2,000	800MHz	휘발성 휘발성	4gbit	13.75 ns	음주	512m x 8	평행한	-
MT53E256M32D2FW-046 AIT : b	14.0850	RFQ	8237	Micron Technology Inc.	자동차, AEC-Q100	상자	마지막으로 마지막으로	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	200-TFBGA		sdram- 모바일 lpddr4	1.06V ~ 1.17V	200-TFBGA (10x14.5)	다운로드				557-MT53E256M32D2FW-046AIT : b			1	2.133 GHz	휘발성 휘발성	8gbit	3.5 ns	음주	256m x 32	평행한	18ns
MT28F400B3SG-8 TET TR	-	RFQ	1858	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	44-SOIC (0.496 ", 12.60mm 너비)	MT28F400B3	플래시 - 아니오	3V ~ 3.6V	44-	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0071	500		비 비	4mbit	80 ns	플래시	512k x 8, 256k x 16	평행한	80ns
MT29F512G08EBLEEJ4-T : e	10.7250	RFQ	4522	Micron Technology Inc.	-	상자	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	132-VBGA		플래시 -Nand (TLC)	2.6V ~ 3.6V	132-VBGA (12x18)	-				557-MT29F512G08EBLEEJ4-T : e			1		비 비	512gbit		플래시	64g x 8	평행한	-
MT40A512M16Z01AWC1	-	RFQ	5489	Micron Technology Inc.	-	대부분	쓸모없는	-	표면 표면	주사위	MT40A512M16	sdram -ddr4	1.14V ~ 1.26V	웨이퍼	-					쓸모없는		1		휘발성 휘발성	8gbit		음주	512m x 16	평행한	-
M28W320FCT70N6F TR	-	RFQ	6227	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	M28W320	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	48-tsop	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,500		비 비	32mbit	70 ns	플래시	2m x 16	평행한	70ns
MT29F256G08CJABAWP : b	-	RFQ	8182	Micron Technology Inc.	-	대부분	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	MT29F256G08	플래시 -Nand (MLC)	2.7V ~ 3.6V	48-tsop i	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	-MT29F256G08CJABAWP : b	3A991B1A	8542.32.0071	960		비 비	256gbit		플래시	32g x 8	평행한	-
MT53B2DBNP-DC TR	-	RFQ	4159	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		표면 표면	200-WFBGA		sdram- 모바일 lpddr4		200-WFBGA (10x14.5)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		쓸모없는	0000.00.0000	2,000		휘발성 휘발성			음주
PC28F064M29EWTX	-	RFQ	7493	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	64-lbga	PC28F064	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	64-FBGA (11x13)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)			3A991B1A	8542.32.0071	184		비 비	64mbit	60 ns	플래시	8m x 8, 4m x 16	평행한	60ns
MT29F16T08GWLCEM5 : C TR	312.5850	RFQ	9743	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인								-				557-MT29F16T08GWLCEM5 : CTR			1,500
MT48H32M16LFB4-6 IT : c	7.0600	RFQ	1	Micron Technology Inc.	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	54-VFBGA	MT48H32M16	sdram- 모바일 lpsdr	1.7V ~ 1.95V	54-VFBGA (8x8)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0028	1,560	166 MHz	휘발성 휘발성	512mbit	5 ns	음주	32m x 16	평행한	15ns
MTFC8GLVEA-IT TR	-	RFQ	1604	Micron Technology Inc.	E • MMC ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	153-WFBGA	MTFC8	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	153-WFBGA (11.5x13)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		비 비	64gbit		플래시	8g x 8	MMC	-
MT46H64M32LFCX-48 IT : B TR	-	RFQ	3261	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	90-VFBGA	MT46H64M32	sdram- 모바일 lpddr	1.7V ~ 1.95V	90-VFBGA (9x13)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)			귀 99	8542.32.0036	1,000	208 MHz	휘발성 휘발성	2gbit	5 ns	음주	64m x 32	평행한	14.4ns
MT47H128M4SH-25E : h	-	RFQ	5908	Micron Technology Inc.	-	대부분	쓸모없는	0 ° C ~ 85 ° C (TC)	표면 표면	60-TFBGA	MT47H128M4	sdram -ddr2	1.7V ~ 1.9V	60-FBGA (8x10)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0028	1,518	400MHz	휘발성 휘발성	512mbit	400 PS	음주	128m x 4	평행한	15ns
mt29f4g08abadah4-itx : d	-	RFQ	9045	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	63-VFBGA	MT29F4G08	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	63-VFBGA (9x11)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,260		비 비	4gbit		플래시	512m x 8	평행한	-
MT53B2DADS-DC TR	-	RFQ	1673	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		표면 표면	200-WFBGA		sdram- 모바일 lpddr4		200-WFBGA (10x14.5)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		쓸모없는	0000.00.0000	2,000		휘발성 휘발성			음주
MT41J256M16LY-091G : N TR	-	RFQ	5857	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	96-TFBGA	MT41J256M16	sdram -ddr3	1.425V ~ 1.575V	96-FBGA (7.5x13.5)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)			쓸모없는	0000.00.0000	2,000	1GHz	휘발성 휘발성	4gbit		음주	256m x 16	평행한	-
MT53B4DBNQ-DC	-	RFQ	8876	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는		표면 표면	200-VFBGA	MT53B4	sdram- 모바일 lpddr4		200-VFBGA (10x14.5)	-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		쓸모없는	0000.00.0000	1,360		휘발성 휘발성			음주
N25Q064A13E12D1F TR	-	RFQ	6068	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	24-TBGA	N25Q064A13	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	24-T-PBGA (6x8)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)			쓸모없는	0000.00.0000	2,500	108 MHz	비 비	64mbit		플래시	16m x 4	SPI	8ms, 5ms
MT53D768M64D8JS-053 WT : d	-	RFQ	5397	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	표면 표면	366-VFBGA	MT53D768	sdram- 모바일 lpddr4	1.1V	366-VFBGA (12x12.7)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0036	1,360	1.866 GHz	휘발성 휘발성	48gbit		음주	768m x 64	-	-
MT48LC16M16A2B4-6A AAT : G TR	-	RFQ	1525	Micron Technology Inc.	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	표면 표면	54-VFBGA	MT48LC16M16A2	sdram	3V ~ 3.6V	54-VFBGA (8x8)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0024	2,000	167 MHz	휘발성 휘발성	256mbit	5.4 ns	음주	16m x 16	평행한	12ns

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

메모리 (10402)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²