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MT53D1024M64D8PM-053 WT:D Micron Technology Inc. MT53D1024M64D8PM-053 WT : d -
RFQ
ECAD 2455 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - MT53D1024 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,190 1.866 GHz 휘발성 휘발성 64gbit 음주 1G X 64 - -
MT29F128G08AMCABH2-10Z:A TR Micron Technology Inc. MT29F128G08AMCABH2-10Z : A TR -
RFQ
ECAD 5853 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-tbga MT29F128G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 100-TBGA (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100MHz 비 비 128gbit 플래시 16g x 8 평행한 -
M25P20-VMP6GB Micron Technology Inc. M25P20-VMP6GB -
RFQ
ECAD 7214 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-vdfn d 패드 M25P20 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 8-VFQFPN (6x5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 490 75MHz 비 비 2mbit 플래시 256k x 8 SPI 15ms, 5ms
MT51J256M32HF-80:B Micron Technology Inc. MT51J256M32HF-80 : b -
RFQ
ECAD 8979 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 170-TFBGA MT51J256 sgram -gddr5 1.31V ~ 1.39V, 1.46V ~ 1.55V 170-FBGA (12x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0071 1,260 2GHz 휘발성 휘발성 8gbit 숫양 256m x 32 평행한 -
EDW4032CABG-50-N-F-D Micron Technology Inc. EDW4032CABG-50-NFD -
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ECAD 1804 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) - - EDW4032 sgram -gddr5 1.31V ~ 1.39V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 1,440 1.25GHz 휘발성 휘발성 4gbit 숫양 128m x 32 평행한 -
MT46V32M16P-6T L:F Micron Technology Inc. MT46V32M16P-6T L : F. -
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ECAD 1785 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V32M16 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 32m x 16 평행한 15ns
MT47H256M8THN-25E:M TR Micron Technology Inc. MT47H256M8THN-25E : M TR -
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ECAD 2739 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 63-TFBGA MT47H256M8 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 63-FBGA (8x10) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 400MHz 휘발성 휘발성 2gbit 400 PS 음주 256m x 8 평행한 15ns
MT47H64M8B6-25E IT:D TR Micron Technology Inc. MT47H64M8B6-25E IT : D TR -
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ECAD 3246 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 60-FBGA MT47H64M8 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 60-FBGA 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 400MHz 휘발성 휘발성 512mbit 400 PS 음주 64m x 8 평행한 15ns
MT46H16M16LFBF-6 IT:A Micron Technology Inc. MT46H16M16LFBF-6 IT : a -
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ECAD 8252 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 60-VFBGA MT46H16M16 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 60-VFBGA (8x9) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 166 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5 ns 음주 16m x 16 평행한 12ns
MT53D1024M32D4NQ-046 AAT:D Micron Technology Inc. MT53D1024M32D4NQ-046 AAT : d -
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ECAD 1652 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 200-VFBGA MT53D1024 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 200-VFBGA (10x14.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,360 2.133 GHz 휘발성 휘발성 32gbit 음주 1g x 32 - -
MT29C2G24MAABAHAMD-5 IT TR Micron Technology Inc. MT29C2G24MAABAHAMD-5 IT TR -
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ECAD 2404 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 130-VFBGA MT29C2G24 플래시 -Nand, n lpdram 1.7V ~ 1.95V 130-VFBGA (8x9) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200MHz 비 비, 휘발성 2GBIT (NAND), 1GBIT (LPDRAM) 플래시, 램 128m x 16 (NAND), 64m x 16 (lpdram) 평행한 -
MT44K64M18RB-107E IT:A TR Micron Technology Inc. MT44K64M18RB-107E IT : A TR -
RFQ
ECAD 2532 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 168-TBGA MT44K64M18 rldram 3 1.28V ~ 1.42V 168-BGA (13.5x13.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 933 MHz 휘발성 휘발성 1.125gbit 8 ns 음주 64m x 18 평행한 -
M58WR032KL70ZA6U TR Micron Technology Inc. M58WR032KL70ZA6U TR -
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ECAD 1711 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-VFBGA M58WR032 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 44-VFBGA (7.5x5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 66MHz 비 비 32mbit 70 ns 플래시 2m x 16 평행한 70ns
M29W512GH7AN6E Micron Technology Inc. M29W512GH7AN6E -
RFQ
ECAD 2015 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) M29W512 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 56-tsop - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 576 비 비 512mbit 70 ns 플래시 64m x 8, 32m x 16 평행한 70ns
PC28F128J3D75E Micron Technology Inc. PC28F128J3D75E -
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ECAD 5448 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-TBGA PC28F128 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 64-ESYBGA (10x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 864 비 비 128mbit 75 ns 플래시 16m x 8, 8m x 16 평행한 75ns
EDFP112A3PF-JD-F-D Micron Technology Inc. EDFP112A3PF-JD-FD -
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ECAD 3309 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TA) - - EDFP112 sdram- 모바일 lpddr3 1.14V ~ 1.95V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,190 933 MHz 휘발성 휘발성 24gbit 음주 192m x 128 평행한 -
MT49H8M36FM-25 TR Micron Technology Inc. MT49H8M36FM-25 TR -
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ECAD 9416 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 144-TFBGA MT49H8M36 음주 1.7V ~ 1.9V 144-FBGA (18.5x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 400MHz 휘발성 휘발성 288mbit 20 ns 음주 8m x 36 평행한 -
M25PE20-VMN6TPBA TR Micron Technology Inc. M25PE20-VMN6TPBA TR -
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ECAD 9521 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) M25PE20 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0071 2,500 75MHz 비 비 2mbit 플래시 256k x 8 SPI 15ms, 3ms
EDFA164A2PF-JD-F-D Micron Technology Inc. EDFA164A2PF-JD-FD -
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ECAD 9506 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - EDFA164 sdram- 모바일 lpddr3 1.14V ~ 1.95V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,260 933 MHz 휘발성 휘발성 16gbit 음주 256m x 64 평행한 -
N25Q008A11ESC40FS03 TR Micron Technology Inc. N25Q008A11ESC40FS03 TR -
RFQ
ECAD 5345 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) - - N25Q008A11 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 2,500 108 MHz 비 비 8mbit 플래시 1m x 8 SPI 8ms, 5ms
MT28F800B5WG-8 BET Micron Technology Inc. MT28F800B5WG-8 BET -
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ECAD 9896 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT28F800B5 플래시 - 아니오 4.5V ~ 5.5V 48-tsop i 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 1,000 비 비 8mbit 80 ns 플래시 1m x 8, 512k x 16 평행한 80ns
MT29VZZZAD9FQFSM-046 W.G9K TR Micron Technology Inc. MT29VZZZAD9FQFSM-046 W.G9K TR -
RFQ
ECAD 6201 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 MT29VZZZAD9 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 557-MT29VZZZAD9FQFSM-046W.G9KTR 쓸모없는 2,000
JS28F128J3F75H Micron Technology Inc. JS28F128J3F75H -
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ECAD 4461 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) JS28F128J3 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 56-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 96 비 비 128mbit 75 ns 플래시 16m x 8, 8m x 16 평행한 75ns
MT29F16G08CBACAWP:C TR Micron Technology Inc. MT29F16G08CBACAWP : C TR -
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ECAD 8722 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F16G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 16gbit 플래시 2G X 8 평행한 -
MT48LC8M16LFB4-8:G TR Micron Technology Inc. MT48LC8M16LFB4-8 : G TR -
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ECAD 9905 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-VFBGA MT48LC8M16 sdram- 모바일 lpsdr 3V ~ 3.6V 54-VFBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 125MHz 휘발성 휘발성 128mbit 7 ns 음주 8m x 16 평행한 15ns
MT53D512M32D2DS-053 AUT:D Micron Technology Inc. MT53D512M32D2DS-053 AUT : d 21.9750
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ECAD 1870 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 마지막으로 마지막으로 -40 ° C ~ 125 ° C (TC) 표면 표면 200-WFBGA MT53D512 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 MT53D512M32D2DS-053AUT : d 귀 99 8542.32.0036 1,360 1.866 GHz 휘발성 휘발성 16gbit 음주 512m x 32 - -
RC28F00AM29EWLA Micron Technology Inc. rc28f00am29ewla -
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ECAD 8574 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-lbga RC28F00 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 64-FBGA (11x13) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,104 비 비 1gbit 100 ns 플래시 128m x 8, 64m x 16 평행한 100ns
MT46H256M32L4JV-6 WT:B Micron Technology Inc. MT46H256M32L4JV-6 WT : b -
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ECAD 7724 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -25 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 168-VFBGA MT46H256M32 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 168-VFBGA (12x12) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0036 1,000 166 MHz 휘발성 휘발성 8gbit 5 ns 음주 256m x 32 평행한 15ns
MT29C4G48MAAGBBAKS-48 WT Micron Technology Inc. MT29C4G48MAAGBBAKS-48 WT -
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ECAD 6126 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -25 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 137-VFBGA MT29C4G48 플래시 -Nand, n lpdram 1.7V ~ 1.95V 137-VFBGA (13x10.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,140 208 MHz 비 비, 휘발성 4GBIT (NAND), 2GBIT (LPDRAM) 플래시, 램 512m x 8 (NAND), 64m x 32 (lpdram) 평행한 -
PC28F512P30TFA Micron Technology Inc. PC28F512P30TFA -
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ECAD 2357 0.00000000 Micron Technology Inc. Axcell ™ 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-TBGA PC28F512 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 64-EASYBGA (8x10) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,800 52MHz 비 비 512mbit 100 ns 플래시 32m x 16 평행한 100ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고