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메모리 (10402)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	시계 시계	메모리 메모리	메모리 메모리	액세스 액세스	메모리 메모리	메모리 메모리	메모리 메모리	쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
M25PE20-VMN6TPBA TR	-	RFQ	9521	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	M25PE20	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	도 8-	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)			귀 99	8542.32.0071	2,500	75MHz	비 비	2mbit		플래시	256k x 8	SPI	15ms, 3ms
MT47H256M8THN-25E : M TR	-	RFQ	2739	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 85 ° C (TC)	표면 표면	63-TFBGA	MT47H256M8	sdram -ddr2	1.7V ~ 1.9V	63-FBGA (8x10)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0036	2,000	400MHz	휘발성 휘발성	2gbit	400 PS	음주	256m x 8	평행한	15ns
EDBM432B3PD-1D-FR TR	-	RFQ	1788	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	-	-	EDBM432	sdram- 모바일 lpddr2	1.14V ~ 1.95V	-	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)			쓸모없는	0000.00.0000	1,000	533 MHz	휘발성 휘발성	12gbit		음주	384m x 32	평행한	-
MT53B2DAANK-DC	-	RFQ	2694	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는		표면 표면	366-WFBGA		sdram- 모바일 lpddr4		366-WFBGA (15x15)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		쓸모없는	0000.00.0000	1,190		휘발성 휘발성			음주
MT28F800B3SG-9 BET	-	RFQ	9228	Micron Technology Inc.	-	상자	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	44-SOIC (0.496 ", 12.60mm 너비)	MT28F800B3	플래시 - 아니오	3V ~ 3.6V	44-	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0071	500		비 비	8mbit	90 ns	플래시	1m x 8, 512k x 16	평행한	90ns
MT48LC2M32B2TG-7 : G TR	-	RFQ	8470	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	86-TFSOP (0.400 ", 10.16mm 너비)	MT48LC2M32B2	sdram	3V ~ 3.6V	86-TSOP II	다운로드	rohs 비준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0002	1,000	143 MHz	휘발성 휘발성	64mbit	5.5 ns	음주	2m x 32	평행한	14ns
MT47H32M16BN-37E IT : D TR	-	RFQ	7565	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	84-TFBGA	MT47H32M16	sdram -ddr2	1.7V ~ 1.9V	84-FBGA (10x12.5)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0024	1,000	267 MHz	휘발성 휘발성	512mbit	500 PS	음주	32m x 16	평행한	15ns
Mt28ew128aba1hpn-0sit tr	-	RFQ	1932	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	56-VFBGA	MT28ew128	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	56-VFBGA (7x9)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)			3A991B1A	8542.32.0071	2,500		비 비	128mbit	95 ns	플래시	16m x 8, 8m x 16	평행한	60ns
MT46V64M8P-75 : d	-	RFQ	5808	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비)	MT46V64M8	sdram -ddr	2.3V ~ 2.7V	66-tsop	-	Rohs3 준수	4 (72 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0024	1,000	133 MHz	휘발성 휘발성	512mbit	750 ps	음주	64m x 8	평행한	15ns
M25P40-VMC6TGB TR	-	RFQ	4545	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	8-udfn n 패드	M25P40	플래시 - 아니오	2.3V ~ 3.6V	8-UFDFPN (MLP8) (4x3)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)			귀 99	8542.32.0071	4,000	75MHz	비 비	4mbit		플래시	512k x 8	SPI	15ms, 5ms
N25Q128A11BSF40F TR	-	RFQ	4304	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)	N25Q128A11	플래시 - 아니오	1.7V ~ 2V	16-SOP2	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	108 MHz	비 비	128mbit		플래시	16m x 8	SPI	8ms, 5ms
MT53B1024M32D4NQ-053 WT : C.	-	RFQ	6005	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	표면 표면	200-VFBGA	MT53B1024	sdram- 모바일 lpddr4	1.1V	200-VFBGA (10x14.5)	-		1 (무제한)			귀 99	8542.32.0036	1,360	1.866 GHz	휘발성 휘발성	32gbit		음주	1g x 32	-	-
MT41K2G8KJR-125 : a	-	RFQ	5773	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	78-TFBGA	MT41K2G8	sdram -ddr3l	1.283V ~ 1.45V	78-FBGA (9.5x13)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)			쓸모없는	0000.00.0000	1,020	800MHz	휘발성 휘발성	16gbit	13.5 ns	음주	2G X 8	평행한	-
M25P80S-VMN6TP TR	-	RFQ	8207	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	M25P80	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	도 8-	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)			귀 99	8542.32.0071	2,500	75MHz	비 비	8mbit		플래시	1m x 8	SPI	15ms, 5ms
MT29F4G08ABADAWP-E : D TR	-	RFQ	9414	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	MT29F4G08	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	48-tsop i	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		쓸모없는	0000.00.0000	1,000		비 비	4gbit		플래시	512m x 8	평행한	-
MT47H32M16CC-3E : b	-	RFQ	7952	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 85 ° C (TC)	표면 표면	84-TFBGA	MT47H32M16	sdram -ddr2	1.7V ~ 1.9V	84-FBGA (12x12.5)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0024	1,000	333 MHz	휘발성 휘발성	512mbit	450 ps	음주	32m x 16	평행한	15ns
MT47H128M8BT-5E L : a	-	RFQ	8225	Micron Technology Inc.	-	쟁반	sic에서 중단되었습니다	0 ° C ~ 85 ° C (TC)	표면 표면	92-TFBGA	MT47H128M8	sdram -ddr2	1.7V ~ 1.9V	92-FBGA (11x19)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0032	1,000	200MHz	휘발성 휘발성	1gbit	600 ps	음주	128m x 8	평행한	15ns
MT29F64G08CBABBWP-12 : b	-	RFQ	5083	Micron Technology Inc.	-	대부분	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	MT29F64G08	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	48-tsop i	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	960	83MHz	비 비	64gbit		플래시	8g x 8	평행한	-
MT53D512M64D4NW-046 WT : F TR	-	RFQ	4102	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는								-				557-MT53D512M64D4NW-046WT : FTR	쓸모없는		1,000
MT53D1024M32D4DT-046 WT : D TR	-	RFQ	6930	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	표면 표면	200-VFBGA	MT53D1024	sdram- 모바일 lpddr4	1.1V	200-VFBGA (10x14.5)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	MT53D1024M32D4DT-046WT : DTR	귀 99	8542.32.0036	2,000	2.133 GHz	휘발성 휘발성	32gbit		음주	1g x 32	-	-
MT29VZZZBD8FQKSM-046 W.G8J	-	RFQ	8869	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는				MT29VZZZBD8				-	Rohs3 준수			557-MT29VZZZBD8FQKSM-046W.G8J	쓸모없는		152
MT29F1G08ABBDAH4 : d	-	RFQ	8300	Micron Technology Inc.	-	대부분	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	63-VFBGA	MT29F1G08	플래시 - NAND	1.7V ~ 1.95V	63-VFBGA (9x11)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,260		비 비	1gbit		플래시	128m x 8	평행한	-
RD48F3000P0ZTQEA	-	RFQ	7352	Micron Technology Inc.	Axcell ™	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TC)	표면 표면	88-TFBGA, CSPBGA	RD48F3000	플래시 - 아니오	1.7V ~ 2V	88-SCSP (8x10)	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	-rd48f3000p0ztqea	3A991B1A	8542.32.0071	300	52MHz	비 비	128mbit	65 ns	플래시	8m x 16	평행한	65ns
MT28F640J3RG-115 GMET	-	RFQ	8505	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	MT28F640J3	플래시	2.7V ~ 3.6V	56-tsop	다운로드	rohs 비준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		비 비	64mbit	115 ns	플래시	8m x 8, 4m x 16	평행한	-
MT29F2G16ABBGAH4-AATES : g	5.4935	RFQ	8527	Micron Technology Inc.	-	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	표면 표면	63-VFBGA	MT29F2G16	플래시 -Nand (SLC)	1.7V ~ 1.95V	63-VFBGA (9x11)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지			0000.00.0000	1,260		비 비	2gbit		플래시	128m x 16	평행한	-
M28W320FCB70ZB6F TR	-	RFQ	3858	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	47-TFBGA	M28W320	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	47-TFBGA (6.39x6.37)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	2,500		비 비	32mbit	70 ns	플래시	2m x 16	평행한	70ns
MT53D512M32D2DS-053 WT : d	-	RFQ	3424	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	표면 표면	200-WFBGA	MT53D512	sdram- 모바일 lpddr4	1.1V	200-WFBGA (10x14.5)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0036	1,360	1.866 GHz	휘발성 휘발성	16gbit		음주	512m x 32	-	-
MT25QL01GBBB8ESFE01-2SIT	-	RFQ	3767	Micron Technology Inc.	-	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)	MT25QL01	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	16-SOP2	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,440	133 MHz	비 비	1gbit		플래시	128m x 8	SPI	8ms, 2.8ms
M29W800FB7aza6f Tr	-	RFQ	7214	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	48-TFBGA	M29W800	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	48-TFBGA (6x8)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)			귀 99	8542.32.0071	2,500		비 비	8mbit	70 ns	플래시	1m x 8, 512k x 16	평행한	70ns
MT48LC8M16A2P-6A XIT : L.	-	RFQ	2247	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비)	MT48LC8M16A2	sdram	3V ~ 3.6V	54-TSOP II	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0002	1,080	167 MHz	휘발성 휘발성	128mbit	5.4 ns	음주	8m x 16	평행한	12ns

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

메모리 (10402)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²