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메모리 (10402)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	시계 시계	메모리 메모리	메모리 메모리	액세스 액세스	메모리 메모리	메모리 메모리	메모리 메모리	쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
MT47H64M8B6-25E IT : D TR	-	RFQ	3246	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	60-FBGA	MT47H64M8	sdram -ddr2	1.7V ~ 1.9V	60-FBGA	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0024	1,000	400MHz	휘발성 휘발성	512mbit	400 PS	음주	64m x 8	평행한	15ns
M58WR032KL70ZA6U TR	-	RFQ	1711	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	44-VFBGA	M58WR032	플래시 - 아니오	1.7V ~ 2V	44-VFBGA (7.5x5)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	2,500	66MHz	비 비	32mbit	70 ns	플래시	2m x 16	평행한	70ns
EDFP112A3PF-JD-FD	-	RFQ	3309	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-30 ° C ~ 85 ° C (TA)	-	-	EDFP112	sdram- 모바일 lpddr3	1.14V ~ 1.95V	-	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)			쓸모없는	0000.00.0000	1,190	933 MHz	휘발성 휘발성	24gbit		음주	192m x 128	평행한	-
MT46V32M16P-6T L : F.	-	RFQ	1785	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비)	MT46V32M16	sdram -ddr	2.3V ~ 2.7V	66-tsop	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0024	1,000	167 MHz	휘발성 휘발성	512mbit	700 PS	음주	32m x 16	평행한	15ns
MT53D512M32D2DS-053 AUT : d	21.9750	RFQ	1870	Micron Technology Inc.	자동차, AEC-Q100	쟁반	마지막으로 마지막으로	-40 ° C ~ 125 ° C (TC)	표면 표면	200-WFBGA	MT53D512	sdram- 모바일 lpddr4	1.1V	200-WFBGA (10x14.5)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	MT53D512M32D2DS-053AUT : d	귀 99	8542.32.0036	1,360	1.866 GHz	휘발성 휘발성	16gbit		음주	512m x 32	-	-
MT29VZZZAD9FQFSM-046 W.G9K TR	-	RFQ	6201	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는				MT29VZZZAD9				-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	557-MT29VZZZAD9FQFSM-046W.G9KTR	쓸모없는		2,000
MT29C4G48MAAGBBAKS-48 WT	-	RFQ	6126	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-25 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	137-VFBGA	MT29C4G48	플래시 -Nand, n lpdram	1.7V ~ 1.95V	137-VFBGA (13x10.5)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)			3A991B1A	8542.32.0071	1,140	208 MHz	비 비, 휘발성	4GBIT (NAND), 2GBIT (LPDRAM)		플래시, 램	512m x 8 (NAND), 64m x 32 (lpdram)	평행한	-
PC28F512P30TFA	-	RFQ	2357	Micron Technology Inc.	Axcell ™	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	64-TBGA	PC28F512	플래시 - 아니오	1.7V ~ 2V	64-EASYBGA (8x10)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,800	52MHz	비 비	512mbit	100 ns	플래시	32m x 16	평행한	100ns
EDFA164A2PF-JD-FD	-	RFQ	9506	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	-	-	EDFA164	sdram- 모바일 lpddr3	1.14V ~ 1.95V	-	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)			쓸모없는	0000.00.0000	1,260	933 MHz	휘발성 휘발성	16gbit		음주	256m x 64	평행한	-
rc28f00am29ewla	-	RFQ	8574	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	64-lbga	RC28F00	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	64-FBGA (11x13)	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,104		비 비	1gbit	100 ns	플래시	128m x 8, 64m x 16	평행한	100ns
N25Q008A11ESC40FS03 TR	-	RFQ	5345	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	-	-	N25Q008A11	플래시 - 아니오	1.7V ~ 2V	-	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0071	2,500	108 MHz	비 비	8mbit		플래시	1m x 8	SPI	8ms, 5ms
MT29F512G08CUCABH3-10ITZ : A TR	-	RFQ	4358	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	100-lbga	MT29F512G08	플래시 -Nand (MLC)	2.7V ~ 3.6V	100-lbga (12x18)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	100MHz	비 비	512gbit		플래시	64g x 8	평행한	-
MT49H32M18SJ-25E : b	-	RFQ	8108	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	144-TFBGA	MT49H32M18	음주	1.7V ~ 1.9V	144-FBGA (18.5x11)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B2A	8542.32.0028	1,120	400MHz	휘발성 휘발성	576mbit	15 ns	음주	32m x 18	평행한	-
M29W512GH7AN6E	-	RFQ	2015	Micron Technology Inc.	-	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	M29W512	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	56-tsop	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)			쓸모없는	0000.00.0000	576		비 비	512mbit	70 ns	플래시	64m x 8, 32m x 16	평행한	70ns
N25Q256A11ESF40G	-	RFQ	8899	Micron Technology Inc.	-	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)	N25Q256A11	플래시 - 아니오	1.7V ~ 2V	16-SOP2	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,225	108 MHz	비 비	256mbit		플래시	64m x 4	SPI	8ms, 5ms
MT43A4G80200NFH-S15 ES : a	-	RFQ	5895	Micron Technology Inc.	-	대부분	활동적인				MT43A4				-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지			0000.00.0000	240
MT44K64M18RB-107E IT : A TR	-	RFQ	2532	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	168-TBGA	MT44K64M18	rldram 3	1.28V ~ 1.42V	168-BGA (13.5x13.5)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0036	1,000	933 MHz	휘발성 휘발성	1.125gbit	8 ns	음주	64m x 18	평행한	-
MT29F4T08EUEEM4-M : E TR	85.7850	RFQ	8723	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인								-				557-MT29F4T08Euleem4-M : ETR			2,000
PC28F128J3D75E	-	RFQ	5448	Micron Technology Inc.	Strataflash ™	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	64-TBGA	PC28F128	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	64-ESYBGA (10x13)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	864		비 비	128mbit	75 ns	플래시	16m x 8, 8m x 16	평행한	75ns
EDW4032CABG-50-NFD	-	RFQ	1804	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	-	-	EDW4032	sgram -gddr5	1.31V ~ 1.39V	-	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0071	1,440	1.25GHz	휘발성 휘발성	4gbit		숫양	128m x 32	평행한	-
MT53D1024M64D8PM-053 WT : d	-	RFQ	2455	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	-	-	MT53D1024	sdram- 모바일 lpddr4	1.1V	-	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0036	1,190	1.866 GHz	휘발성 휘발성	64gbit		음주	1G X 64	-	-
MT48LC8M16LFB4-8 : G TR	-	RFQ	9905	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	54-VFBGA	MT48LC8M16	sdram- 모바일 lpsdr	3V ~ 3.6V	54-VFBGA (8x8)	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0002	1,000	125MHz	휘발성 휘발성	128mbit	7 ns	음주	8m x 16	평행한	15ns
MT29F128G08AMCABH2-10Z : A TR	-	RFQ	5853	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	100-tbga	MT29F128G08	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	100-TBGA (12x18)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	100MHz	비 비	128gbit		플래시	16g x 8	평행한	-
M25P20-VMP6GB	-	RFQ	7214	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	8-vdfn d 패드	M25P20	플래시 - 아니오	2.3V ~ 3.6V	8-VFQFPN (6x5)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0071	490	75MHz	비 비	2mbit		플래시	256k x 8	SPI	15ms, 5ms
MT46H16M16LFBF-6 IT : a	-	RFQ	8252	Micron Technology Inc.	-	쟁반	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	60-VFBGA	MT46H16M16	sdram- 모바일 lpddr	1.7V ~ 1.95V	60-VFBGA (8x9)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0024	1,000	166 MHz	휘발성 휘발성	256mbit	5 ns	음주	16m x 16	평행한	12ns
TE28F256P33BFA	-	RFQ	4922	Micron Technology Inc.	Axcell ™	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TC)	표면 표면	56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	28F256P33	플래시 - 아니오	2.3V ~ 3.6V	56-tsop	다운로드	rohs 비준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0051	576	40MHz	비 비	256mbit	105 ns	플래시	16m x 16	평행한	105ns
MT49H8M36FM-25 TR	-	RFQ	9416	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	144-TFBGA	MT49H8M36	음주	1.7V ~ 1.9V	144-FBGA (18.5x11)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0036	1,000	400MHz	휘발성 휘발성	288mbit	20 ns	음주	8m x 36	평행한	-
MT29F128G08CFAABWP-12Z : a	-	RFQ	4744	Micron Technology Inc.	-	튜브	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	MT29F128G08	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	48-tsop i	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	960	83MHz	비 비	128gbit		플래시	16g x 8	평행한	-
RC28F128P33BF60A	-	RFQ	8456	Micron Technology Inc.	Strataflash ™	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TC)	표면 표면	64-TBGA	RC28F128	플래시 - 아니오	2.3V ~ 3.6V	64-EASYBGA (8x10)	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)			3A991B1A	8542.32.0071	300	52MHz	비 비	128mbit	60 ns	플래시	8m x 16	평행한	60ns
JS28F128J3F75H	-	RFQ	4461	Micron Technology Inc.	Strataflash ™	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	JS28F128J3	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	56-tsop	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)			3A991B1A	8542.32.0071	96		비 비	128mbit	75 ns	플래시	16m x 8, 8m x 16	평행한	75ns

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

메모리 (10402)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²