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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전압 - 공급 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 시계 시계 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 액세스 액세스 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지 | sic 프로그램 가능 |
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![]() | N25Q032A13EV740 | - | ![]() | 9325 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | - | - | N25Q032A13 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | - | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1 | 108 MHz | 비 비 | 32mbit | 플래시 | 8m x 4 | SPI | 8ms, 5ms | |||||
![]() | M28W320ECB70ZB6T TR | 6.4400 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 47-TFBGA | M28W320 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 47-TFBGA (6.39x6.37) | - | rohs 비준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 비 비 | 32mbit | 70 ns | 플래시 | 2m x 16 | 평행한 | 70ns | ||||
![]() | MT29VZZZAD8GQFSL-046 W.9R8 TR | 47.9400 | ![]() | 9525 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | 557-MT29VZZZAD8GQFSL-046W.9R8TR | 2,000 | ||||||||||||||||||||||
![]() | MT53E128M32D2DS-053 WT : A TR | 6.5700 | ![]() | 6912 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 표면 | 200-WFBGA | MT53E128 | sdram- 모바일 lpddr4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | MT53E128M3DS-053WT : ATR | 귀 99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.866 GHz | 휘발성 휘발성 | 4gbit | 음주 | 128m x 32 | - | - | |||
![]() | MT53E512M64D4HJ-046 AAT : d | 39.1050 | ![]() | 4571 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 상자 | 활동적인 | - | 557-MT53E512M64D4HJ-046AAT : d | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | MT58L64L18DT-7.5TR | 7.0500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | SyncBurst ™ | 대부분 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 100-lqfp | sram- 표준 | 3.135V ~ 3.6V | 100-TQFP (14x20.1) | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 3 (168 시간) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 500 | 133 MHz | 휘발성 휘발성 | 1mbit | 4.2 ns | SRAM | 64k x 18 | 평행한 | - | ||||
![]() | MT29GZ5A3BPGGA-53IT.87K | - | ![]() | 2016 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | MT29GZ5 | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1,260 | ||||||||||||||||||
![]() | MT62F1536M64D8EK-023 AIT : b | 86.2050 | ![]() | 5997 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 상자 | 활동적인 | -40 ° C ~ 95 ° C | 표면 표면 | 441-TFBGA | sdram- 모바일 lpddr5 | - | 441-TFBGA (14x14) | - | 557-MT62F1536M64D8EK-023AIT : b | 1 | 4.266 GHz | 휘발성 휘발성 | 96gbit | 음주 | 1.5GX 64 | 평행한 | - | |||||||||
![]() | MT62F4G32D8DV-023 AIT : B TR | 114.9600 | ![]() | 1081 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 95 ° C | - | - | sdram- 모바일 lpddr5 | - | - | - | 557-MT62F4G32D8DV-023AIT : BTR | 2,000 | 4.266 GHz | 휘발성 휘발성 | 128gbit | 음주 | 4G X 32 | 평행한 | - | |||||||||
![]() | MT62F2G32D4DS-026 AAT ES : b | 63.8550 | ![]() | 9544 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 상자 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | 표면 표면 | 200-WFBGA | sdram- 모바일 lpddr5 | 1.05V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | 557-MT62F2G32D4DS-026AATES : b | 1 | 3.2GHz | 휘발성 휘발성 | 64gbit | 음주 | 2G X 32 | 평행한 | - | |||||||||
MT40A512M8SA-062E AIT : F TR | 14.0850 | ![]() | 9559 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 78-TFBGA | MT40A512M8 | sdram -ddr4 | 1.14V ~ 1.26V | 78-FBGA (7.5x11) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | MT40A512M8SA-062EAIT : FTR | 귀 99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.6GHz | 휘발성 휘발성 | 4gbit | 19 ns | 음주 | 512m x 8 | 평행한 | 15ns | |||
mt29f8g08adafawp-ites : f | - | ![]() | 1244 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 상자 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) | MT29F8G08 | 플래시 -Nand (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 48-tsop i | - | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 0000.00.0000 | 960 | 비 비 | 8gbit | 플래시 | 1g x 8 | 평행한 | - | ||||||||
![]() | MTFC128GAXATEA-WT | 20.4900 | ![]() | 9129 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 상자 | 활동적인 | -25 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | 153-WFBGA | 플래시 -Nand (SLC) | - | 153-WFBGA (11.5x13) | - | 557-MTFC128GAXATEA-WT | 1 | 비 비 | 1tbit | 플래시 | 128g x 8 | UFS 3.1 | - | ||||||||||
![]() | TE28F128P30B85A | - | ![]() | 9274 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash ™ | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) | 28F128p30 | 플래시 - 아니오 | 1.7V ~ 2V | 56-tsop | 다운로드 | rohs 비준수 | 2 (1 년) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | 40MHz | 비 비 | 128mbit | 85 ns | 플래시 | 8m x 16 | 평행한 | 85ns | |||
![]() | ECY4008AACS-Y3 | - | ![]() | 1436 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 대부분 | 쓸모없는 | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 귀 99 | 8542.32.0041 | 1 | 확인되지 확인되지 | ||||||||||||||||||
![]() | M29F200FT5AN6F2 TR | - | ![]() | 8562 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) | M29F200 | 플래시 - 아니오 | 4.5V ~ 5.5V | 48-tsop | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 귀 99 | 8542.32.0071 | 1,500 | 비 비 | 2mbit | 55 ns | 플래시 | 256k x 8, 128k x 16 | 평행한 | 55ns | |||||
![]() | MT29F4T08CTHBBM5-3RES : B TR | - | ![]() | 7175 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | - | - | MT29F4T08 | 플래시 - NAND | 2.5V ~ 3.6V | - | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 333 MHz | 비 비 | 4tbit | 플래시 | 512g x 8 | 평행한 | - | ||||
![]() | MT62F1G64D4ZV-023 WT : B TR | 37.2450 | ![]() | 3563 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | 557-MT62F1G64D4ZV-023WT : BTR | 2,500 | ||||||||||||||||||||||
![]() | MT25QL128ABA1EW7-MSIT | - | ![]() | 8856 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-wdfn n 패드 | MT25QL128 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 8-wpdfn (6x5) (MLP8) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,940 | 133 MHz | 비 비 | 128mbit | 플래시 | 16m x 8 | SPI | 8ms, 2.8ms | ||||
![]() | M29F200FT55N3E2 | - | ![]() | 5178 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | 표면 표면 | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) | M29F200 | 플래시 - 아니오 | 4.5V ~ 5.5V | 48-tsop i | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0071 | 96 | 비 비 | 2mbit | 55 ns | 플래시 | 256k x 8, 128k x 16 | 평행한 | 55ns | ||||
![]() | MT29C4G96MAZBACJG-5 IT | - | ![]() | 3379 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 168-VFBGA | MT29C4G96 | 플래시 -Nand, n lpdram | 1.7V ~ 1.95V | 168-VFBGA (12x12) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 200MHz | 비 비, 휘발성 | 4GBIT (NAND), 4GBIT (LPDRAM) | 플래시, 램 | 256m x 16 (NAND), 128m x 32 (lpdram) | 평행한 | - | |||||
![]() | M29W800DB70ZE6F TR | - | ![]() | 8943 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 48-TFBGA | M29W800 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 48-TFBGA (6x8) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0071 | 2,500 | 비 비 | 8mbit | 70 ns | 플래시 | 1m x 8, 512k x 16 | 평행한 | 70ns | ||||
![]() | MT62F512M64D4EK-031 AAT : b | 32.5650 | ![]() | 5570 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 상자 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | 표면 표면 | 441-TFBGA | sdram- 모바일 lpddr5 | - | 441-TFBGA (14x14) | - | 557-MT62F512M64D4EK-031AAT : b | 1 | 3.2GHz | 휘발성 휘발성 | 32gbit | 음주 | 512m x 64 | 평행한 | - | |||||||||
![]() | MT49H32M18SJ-25 : b | - | ![]() | 9478 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 144-TFBGA | MT49H32M18 | 음주 | 1.7V ~ 1.9V | 144-FBGA (18.5x11) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2A | 8542.32.0028 | 1,120 | 400MHz | 휘발성 휘발성 | 576mbit | 20 ns | 음주 | 32m x 18 | 평행한 | - | |||
![]() | MT49H16M36SJ-18 IT : B TR | 63.7350 | ![]() | 8681 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 144-TFBGA | MT49H16M36 | 음주 | 1.7V ~ 1.9V | 144-FBGA (18.5x11) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2A | 8542.32.0028 | 1,000 | 533 MHz | 휘발성 휘발성 | 576mbit | 15 ns | 음주 | 16m x 36 | 평행한 | - | |||
![]() | M29DW128F60ZA6E | - | ![]() | 8204 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 64-TBGA | M29DW128 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 64-TBGA (10x13) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 136 | 비 비 | 128mbit | 60 ns | 플래시 | 16m x 8, 8m x 16 | 평행한 | 60ns | ||||
![]() | MT29F1HT08ELHBBG1-3R : b | - | ![]() | 3576 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 272-VFBGA | MT29F1HT08 | 플래시 - NAND | 2.5V ~ 3.6V | 272-VBGA (14x18) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 980 | 333 MHz | 비 비 | 1.5tbit | 플래시 | 192g x 8 | 평행한 | - | |||||
![]() | M29W400DT70N1 | - | ![]() | 5001 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) | M29W400 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 48-tsop i | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0071 | 96 | 비 비 | 4mbit | 70 ns | 플래시 | 512k x 8, 256k x 16 | 평행한 | 70ns | ||||
![]() | MT29F4G08ABADAH4-AT : d | - | ![]() | 1042 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 63-VFBGA | MT29F4G08 | 플래시 - NAND | 2.7V ~ 3.6V | 63-VFBGA (9x11) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1,260 | 비 비 | 4gbit | 플래시 | 512m x 8 | 평행한 | - | |||||
![]() | MT29RZ4C4DZZMGMU-18 W.80U | - | ![]() | 4244 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 대부분 | 쓸모없는 | MT29RZ4 | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
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