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N25Q032A13EV740 Micron Technology Inc. N25Q032A13EV740 -
RFQ
ECAD 9325 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) - - N25Q032A13 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V - - Rohs3 준수 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 1 108 MHz 비 비 32mbit 플래시 8m x 4 SPI 8ms, 5ms
M28W320ECB70ZB6T TR Micron Technology Inc. M28W320ECB70ZB6T TR 6.4400
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 47-TFBGA M28W320 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 47-TFBGA (6.39x6.37) - rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 비 비 32mbit 70 ns 플래시 2m x 16 평행한 70ns
MT29VZZZAD8GQFSL-046 W.9R8 TR Micron Technology Inc. MT29VZZZAD8GQFSL-046 W.9R8 TR 47.9400
RFQ
ECAD 9525 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 557-MT29VZZZAD8GQFSL-046W.9R8TR 2,000
MT53E128M32D2DS-053 WT:A TR Micron Technology Inc. MT53E128M32D2DS-053 WT : A TR 6.5700
RFQ
ECAD 6912 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 200-WFBGA MT53E128 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 MT53E128M3DS-053WT : ATR 귀 99 8542.32.0036 2,000 1.866 GHz 휘발성 휘발성 4gbit 음주 128m x 32 - -
MT53E512M64D4HJ-046 AAT:D Micron Technology Inc. MT53E512M64D4HJ-046 AAT : d 39.1050
RFQ
ECAD 4571 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 활동적인 - 557-MT53E512M64D4HJ-046AAT : d 1
MT58L64L18DT-7.5TR Micron Technology Inc. MT58L64L18DT-7.5TR 7.0500
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. SyncBurst ™ 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp sram- 표준 3.135V ~ 3.6V 100-TQFP (14x20.1) 다운로드 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 3A991B2B 8542.32.0041 500 133 MHz 휘발성 휘발성 1mbit 4.2 ns SRAM 64k x 18 평행한 -
MT29GZ5A3BPGGA-53IT.87K Micron Technology Inc. MT29GZ5A3BPGGA-53IT.87K -
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ECAD 2016 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 MT29GZ5 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,260
MT62F1536M64D8EK-023 AIT:B Micron Technology Inc. MT62F1536M64D8EK-023 AIT : b 86.2050
RFQ
ECAD 5997 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 상자 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C 표면 표면 441-TFBGA sdram- 모바일 lpddr5 - 441-TFBGA (14x14) - 557-MT62F1536M64D8EK-023AIT : b 1 4.266 GHz 휘발성 휘발성 96gbit 음주 1.5GX 64 평행한 -
MT62F4G32D8DV-023 AIT:B TR Micron Technology Inc. MT62F4G32D8DV-023 AIT : B TR 114.9600
RFQ
ECAD 1081 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C - - sdram- 모바일 lpddr5 - - - 557-MT62F4G32D8DV-023AIT : BTR 2,000 4.266 GHz 휘발성 휘발성 128gbit 음주 4G X 32 평행한 -
MT62F2G32D4DS-026 AAT ES:B Micron Technology Inc. MT62F2G32D4DS-026 AAT ES : b 63.8550
RFQ
ECAD 9544 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 상자 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 200-WFBGA sdram- 모바일 lpddr5 1.05V 200-WFBGA (10x14.5) - 557-MT62F2G32D4DS-026AATES : b 1 3.2GHz 휘발성 휘발성 64gbit 음주 2G X 32 평행한 -
MT40A512M8SA-062E AIT:F TR Micron Technology Inc. MT40A512M8SA-062E AIT : F TR 14.0850
RFQ
ECAD 9559 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT40A512M8 sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (7.5x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 MT40A512M8SA-062EAIT : FTR 귀 99 8542.32.0036 2,000 1.6GHz 휘발성 휘발성 4gbit 19 ns 음주 512m x 8 평행한 15ns
MT29F8G08ADAFAWP-AITES:F Micron Technology Inc. mt29f8g08adafawp-ites : f -
RFQ
ECAD 1244 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 상자 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F8G08 플래시 -Nand (SLC) 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 960 비 비 8gbit 플래시 1g x 8 평행한 -
MTFC128GAXATEA-WT Micron Technology Inc. MTFC128GAXATEA-WT 20.4900
RFQ
ECAD 9129 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 활동적인 -25 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 153-WFBGA 플래시 -Nand (SLC) - 153-WFBGA (11.5x13) - 557-MTFC128GAXATEA-WT 1 비 비 1tbit 플래시 128g x 8 UFS 3.1 -
TE28F128P30B85A Micron Technology Inc. TE28F128P30B85A -
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ECAD 9274 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) 28F128p30 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 56-tsop 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 96 40MHz 비 비 128mbit 85 ns 플래시 8m x 16 평행한 85ns
ECY4008AACS-Y3 Micron Technology Inc. ECY4008AACS-Y3 -
RFQ
ECAD 1436 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0041 1 확인되지 확인되지
M29F200FT5AN6F2 TR Micron Technology Inc. M29F200FT5AN6F2 TR -
RFQ
ECAD 8562 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) M29F200 플래시 - 아니오 4.5V ~ 5.5V 48-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0071 1,500 비 비 2mbit 55 ns 플래시 256k x 8, 128k x 16 평행한 55ns
MT29F4T08CTHBBM5-3RES:B TR Micron Technology Inc. MT29F4T08CTHBBM5-3RES : B TR -
RFQ
ECAD 7175 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) - - MT29F4T08 플래시 - NAND 2.5V ~ 3.6V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 333 MHz 비 비 4tbit 플래시 512g x 8 평행한 -
MT62F1G64D4ZV-023 WT:B TR Micron Technology Inc. MT62F1G64D4ZV-023 WT : B TR 37.2450
RFQ
ECAD 3563 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 557-MT62F1G64D4ZV-023WT : BTR 2,500
MT25QL128ABA1EW7-MSIT Micron Technology Inc. MT25QL128ABA1EW7-MSIT -
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ECAD 8856 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 MT25QL128 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-wpdfn (6x5) (MLP8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,940 133 MHz 비 비 128mbit 플래시 16m x 8 SPI 8ms, 2.8ms
M29F200FT55N3E2 Micron Technology Inc. M29F200FT55N3E2 -
RFQ
ECAD 5178 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) M29F200 플래시 - 아니오 4.5V ~ 5.5V 48-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 96 비 비 2mbit 55 ns 플래시 256k x 8, 128k x 16 평행한 55ns
MT29C4G96MAZBACJG-5 IT Micron Technology Inc. MT29C4G96MAZBACJG-5 IT -
RFQ
ECAD 3379 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 168-VFBGA MT29C4G96 플래시 -Nand, n lpdram 1.7V ~ 1.95V 168-VFBGA (12x12) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200MHz 비 비, 휘발성 4GBIT (NAND), 4GBIT (LPDRAM) 플래시, 램 256m x 16 (NAND), 128m x 32 (lpdram) 평행한 -
M29W800DB70ZE6F TR Micron Technology Inc. M29W800DB70ZE6F TR -
RFQ
ECAD 8943 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFBGA M29W800 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 2,500 비 비 8mbit 70 ns 플래시 1m x 8, 512k x 16 평행한 70ns
MT62F512M64D4EK-031 AAT:B Micron Technology Inc. MT62F512M64D4EK-031 AAT : b 32.5650
RFQ
ECAD 5570 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 상자 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 441-TFBGA sdram- 모바일 lpddr5 - 441-TFBGA (14x14) - 557-MT62F512M64D4EK-031AAT : b 1 3.2GHz 휘발성 휘발성 32gbit 음주 512m x 64 평행한 -
MT49H32M18SJ-25:B Micron Technology Inc. MT49H32M18SJ-25 : b -
RFQ
ECAD 9478 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 144-TFBGA MT49H32M18 음주 1.7V ~ 1.9V 144-FBGA (18.5x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0028 1,120 400MHz 휘발성 휘발성 576mbit 20 ns 음주 32m x 18 평행한 -
MT49H16M36SJ-18 IT:B TR Micron Technology Inc. MT49H16M36SJ-18 IT : B TR 63.7350
RFQ
ECAD 8681 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 144-TFBGA MT49H16M36 음주 1.7V ~ 1.9V 144-FBGA (18.5x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0028 1,000 533 MHz 휘발성 휘발성 576mbit 15 ns 음주 16m x 36 평행한 -
M29DW128F60ZA6E Micron Technology Inc. M29DW128F60ZA6E -
RFQ
ECAD 8204 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-TBGA M29DW128 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 64-TBGA (10x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 136 비 비 128mbit 60 ns 플래시 16m x 8, 8m x 16 평행한 60ns
MT29F1HT08ELHBBG1-3R:B Micron Technology Inc. MT29F1HT08ELHBBG1-3R : b -
RFQ
ECAD 3576 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 272-VFBGA MT29F1HT08 플래시 - NAND 2.5V ~ 3.6V 272-VBGA (14x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 980 333 MHz 비 비 1.5tbit 플래시 192g x 8 평행한 -
M29W400DT70N1 Micron Technology Inc. M29W400DT70N1 -
RFQ
ECAD 5001 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) M29W400 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 96 비 비 4mbit 70 ns 플래시 512k x 8, 256k x 16 평행한 70ns
MT29F4G08ABADAH4-AT:D Micron Technology Inc. MT29F4G08ABADAH4-AT : d -
RFQ
ECAD 1042 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA MT29F4G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 63-VFBGA (9x11) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 1,260 비 비 4gbit 플래시 512m x 8 평행한 -
MT29RZ4C4DZZMGMU-18 W.80U Micron Technology Inc. MT29RZ4C4DZZMGMU-18 W.80U -
RFQ
ECAD 4244 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 MT29RZ4 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고