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메모리 (10402)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 시계 시계 메모리 메모리 메모리 메모리 액세스 액세스 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
MT28HL32GQBB6EBL-0GCT Micron Technology Inc. MT28HL32GQBB6EBL-0GCT -
RFQ
 ECAD 5850 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 MT28HL32 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 270
MT58L64L18FT-7.5 Micron Technology Inc. MT58L64L18ft-7.5 7.6100
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Micron Technology Inc. SyncBurst ™ 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp sram- 표준 3.135V ~ 3.6V 100-TQFP (14x20.1) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 3A991B2B 8542.32.0041 1 133 MHz 휘발성 휘발성 1mbit 7.5 ns SRAM 64k x 18 평행한 -
MTFC64GJVDN-3M WT Micron Technology Inc. MTFC64GJVDN-3M WT -
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 ECAD 6679 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 쟁반 쓸모없는 -25 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 169-LFBGA MTFC64 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 169-LFBGA (14x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 512gbit 플래시 64g x 8 MMC -
N25Q064A13ESF40F TR Micron Technology Inc. N25Q064A13ESF40F TR -
RFQ
 ECAD 6083 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) N25Q064A13 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 16- 형의 행위 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 108 MHz 비 비 64mbit 플래시 16m x 4 SPI 8ms, 5ms
N25Q128A11ESE40F TR Micron Technology Inc. N25Q128A11ESE40F TR -
RFQ
 ECAD 8727 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) N25Q128A11 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,500 108 MHz 비 비 128mbit 플래시 32m x 4 SPI 8ms, 5ms
M29W128GL7AZS6F TR Micron Technology Inc. M29W128GL7AZS6F TR -
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 ECAD 2075 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-lbga M29W128 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 64-FBGA (11x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,800 비 비 128mbit 70 ns 플래시 16m x 8, 8m x 16 평행한 70ns
EDBA164B2PR-1D-F-R TR Micron Technology Inc. EDBA164B2PR-1D-FR TR -
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 ECAD 9122 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 216-VFBGA EDBA164 sdram- 모바일 lpddr2 1.14V ~ 1.95V 216-FBGA (12x12) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 533 MHz 휘발성 휘발성 16gbit 음주 256m x 64 평행한 -
MT29F512G08EEHAFJ4-3RES:A Micron Technology Inc. MT29F512G08EEHAFJ4-3RES : a -
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 ECAD 3574 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 132-VBGA MT29F512G08 플래시 -Nand (TLC) 2.5V ~ 3.6V 132-VBGA (12x18) - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,120 333 MHz 비 비 512gbit 플래시 64g x 8 평행한 -
MT29F1G16ABBDAHC-IT:D Micron Technology Inc. MT29F1G16ABBDAHC-IT : d -
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 ECAD 4780 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA MT29F1G16 플래시 - NAND 1.7V ~ 1.95V 63-VFBGA (10.5x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,140 비 비 1gbit 플래시 64m x 16 평행한 -
MT46H128M32L2KQ-48 WT:C TR Micron Technology Inc. MT46H128M32L2KQ-48 WT : C TR -
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 ECAD 1172 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -25 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 168-WFBGA MT46H128M32 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 168-WFBGA (12x12) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 208 MHz 휘발성 휘발성 4gbit 5 ns 음주 128m x 32 평행한 14.4ns
MT41K256M8DA-125:K Micron Technology Inc. MT41K256M8DA-125 : k 5.3700
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 ECAD 29 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT41K256M8 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1 800MHz 휘발성 휘발성 2gbit 13.75 ns 음주 256m x 8 평행한 -
EDB4432BBBJ-1DAUT-F-R TR Micron Technology Inc. EDB4432BBBJ-1DAUT-FR TR -
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 ECAD 1981 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TC) 표면 표면 134-WFBGA EDB4432 sdram- 모바일 lpddr2 1.14V ~ 1.95V 134-FBGA (10x11.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 533 MHz 휘발성 휘발성 4gbit 음주 128m x 32 평행한 -
MT29C4G96MAAGBACKD-5 WT TR Micron Technology Inc. MT29C4G96MAAGBACKD-5 WT TR -
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 ECAD 5160 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -25 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 137-VFBGA MT29C4G96 플래시 -Nand, n lpdram 1.7V ~ 1.95V 137-VFBGA (13x10.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200MHz 비 비, 휘발성 4GBIT (NAND), 4GBIT (LPDRAM) 플래시, 램 256m x 16 (NAND), 128m x 32 (lpdram) 평행한 -
MT29F8G08ABACAWP:C TR Micron Technology Inc. MT29F8G08ABACAWP : C TR -
RFQ
 ECAD 4847 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F8G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 8gbit 플래시 1g x 8 평행한 -
MT29C4G48MAZBAAKQ-5 WT TR Micron Technology Inc. MT29C4G48MAZBAAKQ-5 WT TR -
RFQ
 ECAD 6451 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -25 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 168-WFBGA MT29C4G48 플래시 -Nand, n lpdram 1.7V ~ 1.95V 168-WFBGA (12x12) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200MHz 비 비, 휘발성 4GBIT (NAND), 2GBIT (LPDRAM) 플래시, 램 256m x 16 (NAND), 128m x 16 (lpdram) 평행한 -
MT48LC8M16A2P-6A:L Micron Technology Inc. MT48LC8M16A2P-6A : L. -
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 ECAD 5429 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC8M16A2 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,080 167 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.4 ns 음주 8m x 16 평행한 12ns
M25P05-AVDW6TP TR Micron Technology Inc. M25P05-AVDW6TP TR -
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 ECAD 7261 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) M25P05-A 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 4,000 50MHz 비 비 512kbit 플래시 64k x 8 SPI 15ms, 5ms
MT46V64M8CY-5B L:J Micron Technology Inc. MT46V64M8CY-5B L : J. -
RFQ
 ECAD 6377 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA MT46V64M8 sdram -ddr 2.5V ~ 2.7V 60-FBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 1,368 200MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 64m x 8 평행한 15ns
MT53E768M64D4SQ-046 AIT:A TR Micron Technology Inc. MT53E768M64D4SQ-046 AIT : A TR -
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 ECAD 3717 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) MT53E768 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V - Rohs3 준수 3 (168 시간) MT53E768M64D4SQ-046AIT : ATR 쓸모없는 0000.00.0000 2,000 2.133 GHz 휘발성 휘발성 48gbit 음주 768m x 64 - -
N25Q256A81ESF40F TR Micron Technology Inc. N25Q256A81ESF40F TR -
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 ECAD 5622 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) N25Q256A81 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 16-SOP2 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 1,000 108 MHz 비 비 256mbit 플래시 64m x 4 SPI 8ms, 5ms
MT47R64M16HR-25E:H Micron Technology Inc. MT47R64M16HR-25E : h -
RFQ
 ECAD 4244 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 84-TFBGA MT47R64M16 sdram -ddr2 1.55V ~ 1.9V 84-FBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 1,000 400MHz 휘발성 휘발성 1gbit 400 PS 음주 64m x 16 평행한 15ns
MTFC64GASAONS-AAT TR Micron Technology Inc. mtfc64gasaons-aat tr 41.4750
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 ECAD 6526 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q104 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 153-TFBGA 플래시 -Nand (SLC) 2.7V ~ 3.6V 153-TFBGA (11.5x13) - 557-MTFC64GASAONS-AATTR 2,000 52MHz 비 비 512gbit 플래시 64g x 8 UFS2.1 -
MT53E256M32D1KS-046 AAT:L Micron Technology Inc. MT53E256M32D1KS-046 AAT : L. 9.2705
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 ECAD 6022 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 표면 표면 200-VFBGA 200-VFBGA (10x14.5) - 영향을받지 영향을받지 557-MT53E256M32D1KS-046AAT : l 1
MT47H64M16NF-25E IT:M Micron Technology Inc. MT47H64M16NF-25E IT : m -
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 ECAD 1839 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 84-TFBGA MT47H64M16 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-FBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 1,368 400MHz 휘발성 휘발성 1gbit 400 PS 음주 64m x 16 평행한 15ns
MT29F128G08CBCCBH6-6R:C Micron Technology Inc. MT29F128G08CBCCBH6-6R : c -
RFQ
 ECAD 2322 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 152-VBGA MT29F128G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 152-VBGA (14x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 980 166 MHz 비 비 128gbit 플래시 16g x 8 평행한 -
MT53D1024M64D8NW-062 WT ES:D TR Micron Technology Inc. MT53D1024M64D8NW-062 WT ES : D TR -
RFQ
 ECAD 6189 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 432-VFBGA MT53D1024 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 432-VFBGA (15x15) - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 1.6GHz 휘발성 휘발성 64gbit 음주 1G X 64 - -
MT35XU256ABA1G12-0AAT TR Micron Technology Inc. MT35XU256ABA1G12-0AAT TR -
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 ECAD 9397 0.00000000 Micron Technology Inc. XCCELA ™ -MT35X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 24-TBGA MT35XU256 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 24-T-PBGA (6x8) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 200MHz 비 비 256mbit 플래시 32m x 8 xccela 버스 -
EDFB164A1MA-JD-F-D Micron Technology Inc. EDFB164A1MA-JD-FD -
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 ECAD 7879 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TA) EDFB164 sdram- 모바일 lpddr3 1.14V ~ 1.95V - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,520 933 MHz 휘발성 휘발성 32gbit 음주 512m x 64 평행한 -
N25Q032A13ESFH0F TR Micron Technology Inc. N25Q032A13ESFH0F TR -
RFQ
 ECAD 1968 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) N25Q032A13 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 16-SOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 108 MHz 비 비 32mbit 플래시 8m x 4 SPI 8ms, 5ms
MT62F512M32D2DS-031 AUT:B Micron Technology Inc. MT62F512M32D2DS-031 AUT : b 19.6650
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 ECAD 9880 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 상자 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 200-WFBGA sdram- 모바일 lpddr5 - 200-WFBGA (10x14.5) - 557-MT62F512M32D2DS-031AUT : b 1 3.2GHz 휘발성 휘발성 16gbit 음주 512m x 32 평행한 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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