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메모리 (10402)

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MT48H8M32LFB5-75:G TR Micron Technology Inc. MT48H8M32LFB5-75 : G TR -
RFQ
 ECAD 4778 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 90-VFBGA MT48H8M32 sdram- 모바일 lpsdr 1.7V ~ 1.95V 90-VFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 8m x 32 평행한 15ns
M25PX32-VMP6FBA TR Micron Technology Inc. M25PX32-VMP6FBA TR -
RFQ
 ECAD 9179 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-vdfn d 패드 M25PX32 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-vdfpn (6x5) (MLP8) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 75MHz 비 비 32mbit 플래시 4m x 8 SPI 15ms, 5ms
JS28F00AM29EWL0 Micron Technology Inc. JS28F00AM29ewl0 -
RFQ
 ECAD 4242 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) JS28F00AM29 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 56-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0051 96 비 비 1gbit 110 ns 플래시 128m x 8, 64m x 16 평행한 110ns
MT53E256M32D2DS-046 WT:B Micron Technology Inc. MT53E256M32D2DS-046 WT : b 15.9000
RFQ
 ECAD 6832 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 200-WFBGA MT53E256 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 557-MT53E256M32D2DS-046WT : b 귀 99 8542.32.0036 136 2.133 GHz 휘발성 휘발성 8gbit 음주 256m x 32 - -
1787 Micron Technology Inc. 1787 59.8650
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 ECAD 8186 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 활동적인 - 557-1787m 1
MT28EW256ABA1LPN-0SIT TR Micron Technology Inc. Mt28ew256aba1lpn-0sit tr -
RFQ
 ECAD 8438 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 56-VFBGA MT28ew256 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 56-VFBGA (7x9) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) mt28ew256aba1lpn-0sittr 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 비 비 256mbit 75 ns 플래시 32m x 8, 16m x 16 평행한 60ns
MT29F16T08GSLCEM9-QB:C Micron Technology Inc. MT29F16T08GSLCEM9-QB : C. 312.5850
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 ECAD 3231 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 활동적인 - 557-MT29F16T08GSLCEM9-QB : C. 1
MT62F1G64D8EK-031 AAT:B Micron Technology Inc. MT62F1G64D8EK-031 AAT : b 62.0700
RFQ
 ECAD 1191 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 상자 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 441-TFBGA sdram- 모바일 lpddr5 1.05V 441-TFBGA (14x14) - 557-MT62F1G64D8EK-031AAT : b 1 3.2GHz 휘발성 휘발성 64gbit 음주 1G X 64 평행한 -
MT29F512G08CMECBH7-12:C Micron Technology Inc. MT29F512G08CMECBH7-12 : c -
RFQ
 ECAD 2311 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 152-TBGA MT29F512G08 플래시 -Nand (MLC) 2.7V ~ 3.6V 152-TBGA (14x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 980 83MHz 비 비 512gbit 플래시 64g x 8 평행한 -
MT48LC4M32LFF5-8:G TR Micron Technology Inc. MT48LC4M32LFF5-8 : G TR -
RFQ
 ECAD 7792 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 90-VFBGA MT48LC4M32 sdram- 모바일 lpsdr 3V ~ 3.6V 90-VFBGA (8x13) 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 125MHz 휘발성 휘발성 128mbit 7 ns 음주 4m x 32 평행한 15ns
MT29F2G08ABAGAWP-AATES:G Micron Technology Inc. MT29F2G08ABAGAWP-AATES : g 5.4935
RFQ
 ECAD 9732 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F2G08 플래시 -Nand (SLC) 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 8542.32.0071 960 비 비 2gbit 플래시 256m x 8 평행한 -
MT62F768M64D4EK-023 AAT:B TR Micron Technology Inc. MT62F768M64D4EK-023 AAT : B TR 47.8950
RFQ
 ECAD 4293 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 441-TFBGA MT62F768 sdram- 모바일 lpddr5 - 441-TFBGA (14x14) - 557-MT62F768M64D4EK-023AAT : BTR 1,500 3.2GHz 휘발성 휘발성 48gbit 음주 768m x 64 평행한 -
MT52L256M32D1PU-107 WT:B Micron Technology Inc. MT52L256M32D1PU-107 WT : b -
RFQ
 ECAD 2397 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 활동적인 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) MT52L256 sdram- 모바일 lpddr3 1.2V - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,008 933 MHz 휘발성 휘발성 8gbit 음주 256m x 32 - -
MT62F1536M64D8CH-031 WT:A Micron Technology Inc. MT62F1536M64D8CH-031 WT : a -
RFQ
 ECAD 9047 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 쓸모없는 -25 ° C ~ 85 ° C - - sdram- 모바일 lpddr5 - - - 557-MT62F1536M64D8CH-031WT : a 쓸모없는 1 3.2GHz 휘발성 휘발성 96gbit 음주 1.5GX 64 평행한 -
MT53D384M32D2DS-053 AUT:E TR Micron Technology Inc. MT53D384M32D2DS-053 AUT : E TR -
RFQ
 ECAD 8827 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TC) 표면 표면 200-WFBGA MT53D384 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 1.866 GHz 휘발성 휘발성 12gbit 음주 384m x 32 - -
MT53D768M32D2DS-046 WT:A TR Micron Technology Inc. MT53D768M32D2DS-046 WT : A TR 36.7950
RFQ
 ECAD 3994 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) MT53D768 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 MT53D768M32D2DS-046WT : ATR 0000.00.0000 2,000 2.133 GHz 휘발성 휘발성 24gbit 음주 768m x 32 - -
MT29F512G08CMCABK7-6:A Micron Technology Inc. MT29F512G08CMCABK7-6 : a -
RFQ
 ECAD 2918 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) - - MT29F512G08 플래시 -Nand (MLC) 2.7V ~ 3.6V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 166 MHz 비 비 512gbit 플래시 64g x 8 평행한 -
N25Q032A11ESF40G Micron Technology Inc. N25Q032A11ESF40G -
RFQ
 ECAD 7985 0.00000000 Micron Technology Inc. - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) N25Q032A11 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 16- 형의 행위 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,225 108 MHz 비 비 32mbit 플래시 8m x 4 SPI 8ms, 5ms
NAND04GR3B2DN6E Micron Technology Inc. NAND04GR3B2DN6E -
RFQ
 ECAD 8043 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) NAND04G 플래시 - NAND 1.7V ~ 1.95V 48-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 -Nand04gr3b2dn6e 3A991B1A 8542.32.0071 576 비 비 4gbit 25 ns 플래시 512m x 8 평행한 25ns
MT47H64M16HR-25E XIT:H Micron Technology Inc. MT47H64M16HR-25E XIT : h -
RFQ
 ECAD 7571 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 84-TFBGA MT47H64M16 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-FBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 1,000 400MHz 휘발성 휘발성 1gbit 400 PS 음주 64m x 16 평행한 15ns
MT62F768M64D4EJ-031 WT:A Micron Technology Inc. MT62F768M64D4EJ-031 WT : a 77.2200
RFQ
 ECAD 7726 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 활동적인 MT62F768 - 영향을받지 영향을받지 557-MT62F768M64D4EJ-031WT : a 1,190
MTFC128GASAONS-IT Micron Technology Inc. MTFC128GASAONS-IT 78.4500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 153-TFBGA MTFC128 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 153-TFBGA (11.5x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,520 52MHz 비 비 1tbit 플래시 128g x 8 UFS2.1 -
MT62F1G32D2DS-023 WT:C Micron Technology Inc. MT62F1G32D2DS-023 WT : c 22.8450
RFQ
 ECAD 8143 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 활동적인 -25 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 200-WFBGA sdram- 모바일 lpddr5 1.05V 200-WFBGA (10x14.5) - 557-MT62F1G32D2DS-023WT : c 1 3.2GHz 휘발성 휘발성 32gbit 음주 1g x 32 평행한 -
MT29TZZZ7D7JKKBT-107 W.97V TR Micron Technology Inc. MT29TZZZ7D7JKKBT-107 W.97V TR -
RFQ
 ECAD 5205 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,000
M25P10-AVMN3P/X Micron Technology Inc. M25P10-AVMN3P/X -
RFQ
 ECAD 5520 0.00000000 Micron Technology Inc. - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) M25P10 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 -m25p10-av-mn3p/x 귀 99 8542.32.0071 100 50MHz 비 비 1mbit 플래시 128k x 8 SPI 15ms, 5ms
MT58L256L32FT-8.5IT Micron Technology Inc. MT58L256L32FT-8.5IT 11.1100
RFQ
 ECAD 3007 0.00000000 Micron Technology Inc. SyncBurst ™ 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp sram- 표준 3.135V ~ 3.6V 100-TQFP (14x20.1) 다운로드 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 3A991B2A 8542.32.0041 1 100MHz 휘발성 휘발성 8mbit 8.5 ns SRAM 256k x 32 평행한 -
MT47H32M16NF-25E IT:H Micron Technology Inc. MT47H32M16NF-25E IT : h -
RFQ
 ECAD 6537 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 84-TFBGA MT47H32M16 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-FBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 1,368 400MHz 휘발성 휘발성 512mbit 400 PS 음주 32m x 16 평행한 15ns
M29W256GH7AN6F TR Micron Technology Inc. M29W256GH7AN6F TR -
RFQ
 ECAD 4597 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) M29W256 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 56-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,200 비 비 256mbit 70 ns 플래시 32m x 8, 16m x 16 평행한 70ns
MT35XU256ABA2G12-0AUT TR Micron Technology Inc. MT35XU256ABA2G12-0AUT TR 7.3500
RFQ
 ECAD 5329 0.00000000 Micron Technology Inc. XCCELA ™ -MT35X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 24-TBGA MT35XU256 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 24-T-PBGA (6x8) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 MT35XU256ABA2G12-0Auttr 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 200MHz 비 비 256mbit 플래시 32m x 8 xccela 버스 -
MT62F2G32D4DS-026 AIT:B Micron Technology Inc. MT62F2G32D4DS-026 AIT : b 58.0650
RFQ
 ECAD 3456 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 상자 활동적인 - 표면 표면 200-WFBGA sdram- 모바일 lpddr5 1.05V 200-WFBGA (10x14.5) - 557-MT62F2G32D4DS-026AIT : b 1 3.2GHz 휘발성 휘발성 64gbit 음주 2G X 32 평행한 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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