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메모리 (10402)

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MT48LC4M16A2P-6A AAT:J TR Micron Technology Inc. MT48LC4M16A2P-6A AAT : J TR -
RFQ
 ECAD 8169 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC4M16A2 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 167 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5.4 ns 음주 4m x 16 평행한 12ns
MT41DC11TW-V88A TR Micron Technology Inc. MT41DC11TW-V88A TR -
RFQ
 ECAD 7892 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 MT41DC - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 2,000
M29F400FB5AM6T2 Micron Technology Inc. M29F400FB5AM6T2 -
RFQ
 ECAD 4318 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-SOIC (0.496 ", 12.60mm 너비) M29F400 플래시 - 아니오 4.5V ~ 5.5V 44- 다운로드 귀 99 8542.32.0071 1 비 비 4mbit 55 ns 플래시 512k x 8, 256k x 16 평행한 55ns
MT29F64G08CBEFBWP-M:F Micron Technology Inc. MT29F64G08CBEFBWP-M : f -
RFQ
 ECAD 9758 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F64G08 플래시 -Nand (MLC) 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 공급 공급 정의되지 업체는 쓸모없는 0000.00.0000 1 비 비 64gbit 플래시 8g x 8 평행한 -
MT53E512M32D1ZW-046BAAT:B TR Micron Technology Inc. MT53E512M32D1ZW-046BAAT : B TR -
RFQ
 ECAD 9146 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 200-TFBGA sdram- 모바일 lpddr4x 1.06V ~ 1.17V 200-TFBGA (10x14.5) - 557-MT53E512M32D1ZW-046BAAT : BTR 1 2.133 GHz 휘발성 휘발성 16gbit 3.5 ns 음주 512m x 32 평행한 18ns
MT53D768M64D4NZ-046 WT:A Micron Technology Inc. MT53D768M64D4NZ-046 WT : a -
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 ECAD 6498 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 활동적인 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) MT53D768 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V - 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 1,190 2.133 GHz 휘발성 휘발성 48gbit 음주 768m x 64 - -
M50FLW040AK5G Micron Technology Inc. M50FLW040AK5G -
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 ECAD 5192 0.00000000 Micron Technology Inc. - 튜브 쓸모없는 -20 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 32-LCC (J-Lead) M50FLW040 플래시 - 아니오 3V ~ 3.6V 32-PLCC (11.35x13.89) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 32 33MHz 비 비 4mbit 250 ns 플래시 512k x 8 평행한 -
MT29F4G08ABADAH4-AITX:D TR Micron Technology Inc. mt29f4g08abadah4-aitx : d tr 7.1900
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 ECAD 978 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA MT29F4G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 63-VFBGA (9x11) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 4gbit 플래시 512m x 8 평행한 -
MT28HL32GQBA6EBL-0GCT Micron Technology Inc. MT28HL32GQBA6EBL-0GCT -
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 ECAD 3332 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 270
MT53D768M64D8NZ-046 WT ES:E TR Micron Technology Inc. MT53D768M64D8NZ-046 WT ES : E TR -
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 ECAD 5716 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 376-WFBGA MT53D768 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 376-WFBGA (14x14) - 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 2.133 GHz 휘발성 휘발성 48gbit 음주 768m x 64 - -
MT48H16M16LFBF-75 IT:H Micron Technology Inc. MT48H16M16LFBF-75 IT : h -
RFQ
 ECAD 3861 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-VFBGA MT48H16M16 sdram- 모바일 lpsdr 1.7V ~ 1.95V 54-VFBGA (8x9) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 16m x 16 평행한 15ns
MT62F4G32D8DV-023 AIT:B TR Micron Technology Inc. MT62F4G32D8DV-023 AIT : B TR 114.9600
RFQ
 ECAD 1081 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C - - sdram- 모바일 lpddr5 - - - 557-MT62F4G32D8DV-023AIT : BTR 2,000 4.266 GHz 휘발성 휘발성 128gbit 음주 4G X 32 평행한 -
MT40A512M8SA-062E AIT:F TR Micron Technology Inc. MT40A512M8SA-062E AIT : F TR 14.0850
RFQ
 ECAD 9559 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT40A512M8 sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (7.5x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 MT40A512M8SA-062EAIT : FTR 귀 99 8542.32.0036 2,000 1.6GHz 휘발성 휘발성 4gbit 19 ns 음주 512m x 8 평행한 15ns
N25Q032A13EV740 Micron Technology Inc. N25Q032A13EV740 -
RFQ
 ECAD 9325 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) - - N25Q032A13 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V - - Rohs3 준수 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 1 108 MHz 비 비 32mbit 플래시 8m x 4 SPI 8ms, 5ms
M28W320ECB70ZB6T TR Micron Technology Inc. M28W320ECB70ZB6T TR 6.4400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 47-TFBGA M28W320 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 47-TFBGA (6.39x6.37) - rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 비 비 32mbit 70 ns 플래시 2m x 16 평행한 70ns
MT58L64L18DT-7.5TR Micron Technology Inc. MT58L64L18DT-7.5TR 7.0500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. SyncBurst ™ 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp sram- 표준 3.135V ~ 3.6V 100-TQFP (14x20.1) 다운로드 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 3A991B2B 8542.32.0041 500 133 MHz 휘발성 휘발성 1mbit 4.2 ns SRAM 64k x 18 평행한 -
MT29F8G08ADAFAWP-AITES:F Micron Technology Inc. mt29f8g08adafawp-ites : f -
RFQ
 ECAD 1244 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 상자 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F8G08 플래시 -Nand (SLC) 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 960 비 비 8gbit 플래시 1g x 8 평행한 -
MTFC128GAXATEA-WT Micron Technology Inc. MTFC128GAXATEA-WT 20.4900
RFQ
 ECAD 9129 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 활동적인 -25 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 153-WFBGA 플래시 -Nand (SLC) - 153-WFBGA (11.5x13) - 557-MTFC128GAXATEA-WT 1 비 비 1tbit 플래시 128g x 8 UFS 3.1 -
MT62F2G32D4DS-026 AAT ES:B Micron Technology Inc. MT62F2G32D4DS-026 AAT ES : b 63.8550
RFQ
 ECAD 9544 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 상자 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 200-WFBGA sdram- 모바일 lpddr5 1.05V 200-WFBGA (10x14.5) - 557-MT62F2G32D4DS-026AATES : b 1 3.2GHz 휘발성 휘발성 64gbit 음주 2G X 32 평행한 -
MT29GZ5A3BPGGA-53IT.87K Micron Technology Inc. MT29GZ5A3BPGGA-53IT.87K -
RFQ
 ECAD 2016 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 MT29GZ5 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,260
MT29VZZZAD8GQFSL-046 W.9R8 TR Micron Technology Inc. MT29VZZZAD8GQFSL-046 W.9R8 TR 47.9400
RFQ
 ECAD 9525 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 557-MT29VZZZAD8GQFSL-046W.9R8TR 2,000
MT29F1G16ABBDAM68A3WC1 Micron Technology Inc. MT29F1G16ABBDAM68A3WC1 -
RFQ
 ECAD 8292 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 주사위 MT29F1G16 플래시 - NAND 1.7V ~ 1.95V 주사위 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1 비 비 1gbit 플래시 64m x 16 평행한 -
EDFA112A2PF-JD-F-R TR Micron Technology Inc. EDFA112A2PF-JD-FR TR -
RFQ
 ECAD 1259 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - EDFA112 sdram- 모바일 lpddr3 1.14V ~ 1.95V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,000 933 MHz 휘발성 휘발성 16gbit 음주 128m x 128 평행한 -
MT29F32G08ABCDBJ4-6ITR:D Micron Technology Inc. MT29F32G08ABCDBJ4-6ITR : d -
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 ECAD 1939 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 132-VBGA MT29F32G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 132-VBGA (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,120 166 MHz 비 비 32gbit 플래시 4G X 8 평행한 -
MT40A4G4SA-062E:F TR Micron Technology Inc. MT40A4G4SA-062E : F TR 16.9950
RFQ
 ECAD 8592 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT40A4G4 sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (7.5x11) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 557-MT40A4G4SA-062E : FTR 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 1.5GHz 휘발성 휘발성 16gbit 19 ns 음주 4G X 4 평행한 15ns
MT29F256G08CJABBWP-12:B TR Micron Technology Inc. MT29F256G08CJABBWP-12 : B TR -
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 ECAD 5306 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F256G08 플래시 -Nand (MLC) 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83MHz 비 비 256gbit 플래시 32g x 8 평행한 -
MT48H4M32LFB5-6 IT:K Micron Technology Inc. MT48H4M32LFB5-6 IT : k -
RFQ
 ECAD 6829 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-VFBGA MT48H4M32 sdram- 모바일 lpsdr 1.7V ~ 1.95V 90-VFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 166 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5 ns 음주 4m x 32 평행한 15ns
MT41J64M16TW-093:J Micron Technology Inc. MT41J64M16TW-093 : J. -
RFQ
 ECAD 5846 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA MT41J64M16 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-FBGA (8x14) - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 1,368 1.066 GHz 휘발성 휘발성 1gbit 음주 64m x 16 평행한 -
MT29C4G48MAZAPAKD-5 IT TR Micron Technology Inc. MT29C4G48MAZAPAKD-5 IT TR -
RFQ
 ECAD 5806 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 137-TFBGA MT29C4G48 플래시 -Nand, n lpdram 1.7V ~ 1.95V 137-TFBGA (10.5x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200MHz 비 비, 휘발성 4GBIT (NAND), 2GBIT (LPDRAM) 플래시, 램 256m x 16 (NAND), 64m x 32 (lpdram) 평행한 -
MT44K32M18RB-093:A Micron Technology Inc. MT44K32M18RB-093 : a -
RFQ
 ECAD 9068 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 168-TBGA MT44K32M18 음주 1.28V ~ 1.42V 168-BGA (13.5x13.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 1.066 GHz 휘발성 휘발성 576mbit 10 ns 음주 32m x 18 평행한 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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