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메모리 (10402)

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EDFA112A2PF-JD-F-R TR Micron Technology Inc. EDFA112A2PF-JD-FR TR -
RFQ
 ECAD 1259 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - EDFA112 sdram- 모바일 lpddr3 1.14V ~ 1.95V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,000 933 MHz 휘발성 휘발성 16gbit 음주 128m x 128 평행한 -
MT29F32G08ABCDBJ4-6ITR:D Micron Technology Inc. MT29F32G08ABCDBJ4-6ITR : d -
RFQ
 ECAD 1939 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 132-VBGA MT29F32G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 132-VBGA (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,120 166 MHz 비 비 32gbit 플래시 4G X 8 평행한 -
MT40A4G4SA-062E:F TR Micron Technology Inc. MT40A4G4SA-062E : F TR 16.9950
RFQ
 ECAD 8592 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT40A4G4 sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (7.5x11) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 557-MT40A4G4SA-062E : FTR 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 1.5GHz 휘발성 휘발성 16gbit 19 ns 음주 4G X 4 평행한 15ns
MT29F256G08CJABBWP-12:B TR Micron Technology Inc. MT29F256G08CJABBWP-12 : B TR -
RFQ
 ECAD 5306 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F256G08 플래시 -Nand (MLC) 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83MHz 비 비 256gbit 플래시 32g x 8 평행한 -
MT48H4M32LFB5-6 IT:K Micron Technology Inc. MT48H4M32LFB5-6 IT : k -
RFQ
 ECAD 6829 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-VFBGA MT48H4M32 sdram- 모바일 lpsdr 1.7V ~ 1.95V 90-VFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 166 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5 ns 음주 4m x 32 평행한 15ns
MT41J64M16TW-093:J Micron Technology Inc. MT41J64M16TW-093 : J. -
RFQ
 ECAD 5846 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA MT41J64M16 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-FBGA (8x14) - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 1,368 1.066 GHz 휘발성 휘발성 1gbit 음주 64m x 16 평행한 -
MT29C4G48MAZAPAKD-5 IT TR Micron Technology Inc. MT29C4G48MAZAPAKD-5 IT TR -
RFQ
 ECAD 5806 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 137-TFBGA MT29C4G48 플래시 -Nand, n lpdram 1.7V ~ 1.95V 137-TFBGA (10.5x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200MHz 비 비, 휘발성 4GBIT (NAND), 2GBIT (LPDRAM) 플래시, 램 256m x 16 (NAND), 64m x 32 (lpdram) 평행한 -
MT44K32M18RB-093:A Micron Technology Inc. MT44K32M18RB-093 : a -
RFQ
 ECAD 9068 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 168-TBGA MT44K32M18 음주 1.28V ~ 1.42V 168-BGA (13.5x13.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 1.066 GHz 휘발성 휘발성 576mbit 10 ns 음주 32m x 18 평행한 -
MT29F256G08CBHBBL06B3WC1-R Micron Technology Inc. MT29F256G08CBHBBL06B3WC1-R -
RFQ
 ECAD 5433 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 주사위 MT29F256G08 플래시 -Nand (MLC) 2.5V ~ 3.6V 주사위 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1 비 비 256gbit 플래시 32g x 8 평행한 -
MT41K128M16JT-125 M:K Micron Technology Inc. MT41K128M16JT-125 M : k -
RFQ
 ECAD 3979 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA MT41K128M16 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (8x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0036 1,000 800MHz 휘발성 휘발성 2gbit 13.75 ns 음주 128m x 16 평행한 -
MT29F1T08EEHAFJ4-3ITFES:A TR Micron Technology Inc. MT29F1T08EEHAFJ4-3ITFES : A TR 38.9700
RFQ
 ECAD 5954 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 132-VBGA MT29F1T08 플래시 - NAND 2.5V ~ 3.6V 132-VBGA (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 MT29F1T08EEHAFJ4-3ITFES : ATR 8542.32.0071 2,000 333 MHz 비 비 1tbit 플래시 128g x 8 평행한 -
TE28F128P30B85A Micron Technology Inc. TE28F128P30B85A -
RFQ
 ECAD 9274 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) 28F128p30 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 56-tsop 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 96 40MHz 비 비 128mbit 85 ns 플래시 8m x 16 평행한 85ns
MT53E1536M32D4DE-046 WT:C Micron Technology Inc. MT53E1536M32D4DE-046 WT : C. 30.2400
RFQ
 ECAD 3027 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 활동적인 -25 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 200-TFBGA sdram- 모바일 lpddr4x 1.06V ~ 1.17V 200-TFBGA (10x14.5) - 557-MT53E1536M32D4DE-046WT : c 1 2.133 GHz 휘발성 휘발성 48gbit 3.5 ns 음주 1.5GX 32 평행한 18ns
MT62F1536M64D8EK-023 AIT:B Micron Technology Inc. MT62F1536M64D8EK-023 AIT : b 86.2050
RFQ
 ECAD 5997 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 상자 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C 표면 표면 441-TFBGA sdram- 모바일 lpddr5 - 441-TFBGA (14x14) - 557-MT62F1536M64D8EK-023AIT : b 1 4.266 GHz 휘발성 휘발성 96gbit 음주 1.5GX 64 평행한 -
MT41J256M8DA-125:K Micron Technology Inc. MT41J256M8DA-125 : k -
RFQ
 ECAD 3654 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT41J256M8 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 78-FBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,440 800MHz 휘발성 휘발성 2gbit 13.75 ns 음주 256m x 8 평행한 -
MT62F1536M32D4DS-023 AAT:B Micron Technology Inc. MT62F1536M32D4DS-023 AAT : b 47.8950
RFQ
 ECAD 9560 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 상자 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 200-WFBGA sdram- 모바일 lpddr5 - 200-WFBGA (10x14.5) - 557-MT62F1536M32D4DS-023AAT : b 1 3.2GHz 휘발성 휘발성 48gbit 음주 768m x 64 평행한 -
MT62F768M64D4EK-023 WT:B TR Micron Technology Inc. MT62F768M64D4EK-023 WT : B TR 34.2750
RFQ
 ECAD 2559 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -25 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 441-TFBGA MT62F768 sdram- 모바일 lpddr5 - 441-TFBGA (14x14) - 557-MT62F768M64D4EK-023WT : BTR 1,500 3.2GHz 휘발성 휘발성 48gbit 음주 768m x 64 평행한 -
MTFC64GAJAECE-AIT Micron Technology Inc. MTFC64GAJAECE-ait -
RFQ
 ECAD 5321 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 169-LFBGA MTFC64 플래시 - NAND - 169-LFBGA (14x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 980 비 비 512gbit 플래시 64g x 8 MMC -
MT40A1G8SA-062E AUT:E Micron Technology Inc. MT40A1G8SA-062E AUT : e 11.6400
RFQ
 ECAD 9635 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT40A1G8 sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (7.5x11) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 MT40A1G8SA-062EAUT : e 귀 99 8542.32.0036 1,260 1.6GHz 휘발성 휘발성 8gbit 19 ns 음주 1g x 8 평행한 15ns
MT62F2G32D4DS-023 AAT:B Micron Technology Inc. MT62F2G32D4DS-023 AAT : b 63.8550
RFQ
 ECAD 2275 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 상자 활동적인 - 표면 표면 200-WFBGA sdram- 모바일 lpddr5 1.05V 200-WFBGA (10x14.5) - 557-MT62F2G32D4DS-023AAT : b 1 4.266 GHz 휘발성 휘발성 64gbit 음주 2G X 32 평행한 -
TE28F640J3D75B TR Micron Technology Inc. TE28F640J3D75B TR -
RFQ
 ECAD 3418 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) 28F640J3 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 56-tsop 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,600 비 비 64mbit 75 ns 플래시 8m x 8, 4m x 16 평행한 75ns
MT29F128G08CECABH1-12ITZ:A TR Micron Technology Inc. MT29F128G08CECABH1-12ITZ : A TR -
RFQ
 ECAD 5712 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-VBGA MT29F128G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 100-VBGA (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83MHz 비 비 128gbit 플래시 16g x 8 평행한 -
MT62F2G64D8EK-023 FAAT:C TR Micron Technology Inc. MT62F2G64D8EK-023 FAAT : C TR 126.4350
RFQ
 ECAD 2194 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 441-TFBGA sdram- 모바일 lpddr5 1.05V 441-TFBGA (14x14) - 557-MT62F2G64D8EK-023FAAT : CTR 2,000 4.266 GHz 휘발성 휘발성 128gbit 음주 2G X 64 평행한 -
MT29F8T08EQLCHL5-QA:C TR Micron Technology Inc. MT29F8T08EQLCHL5-QA : C TR 167.8050
RFQ
 ECAD 9117 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 557-MT29F8T08EQLCHL5-QA : CTR 2,000
MT29F1G08ABAEAH4-AITX:E Micron Technology Inc. MT29F1G08ABAEAH4-AITX : e -
RFQ
 ECAD 4884 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA MT29F1G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 63-VFBGA (9x11) 다운로드 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 비 비 1gbit 플래시 128m x 8 평행한 -
MT40A1G16RC-062E IT:B TR Micron Technology Inc. MT40A1G16RC-062E IT : B TR -
RFQ
 ECAD 9680 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA MT40A1G16 sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 96-FBGA (10x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 MT40A1G16RC-062EIT : BTR 귀 99 8542.32.0036 2,000 1.6GHz 휘발성 휘발성 16gbit 19 ns 음주 1g x 16 평행한 15ns
MT29PZZZ4D4BKEPK-18 W.94H TR Micron Technology Inc. MT29PZZZ4D4BKEPK-18 W.94H TR -
RFQ
 ECAD 8902 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 168-VFBGA 168-VFBGA (12x12) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000
MTFC64GAPAKEA-WT Micron Technology Inc. MTFC64GAPAKEA-WT -
RFQ
 ECAD 6282 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 쟁반 쓸모없는 -25 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 153-WFBGA MTFC64 플래시 - NAND - 153-WFBGA (11.5x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 1,520 비 비 512gbit 플래시 64g x 8 MMC -
MT48LC4M32B2B5-6A AIT:L Micron Technology Inc. MT48LC4M32B2B5-6A AIT : L. -
RFQ
 ECAD 8006 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-VFBGA MT48LC4M32B2 sdram 3V ~ 3.6V 90-VFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,440 167 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.4 ns 음주 4m x 32 평행한 12ns
MT29GZ5A5BPGGA-046AAT.87J TR Micron Technology Inc. MT29GZ5A5BPGGA-046AAT.87J TR 12.4500
RFQ
 ECAD 9943 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 149-WFBGA 플래시 -Nand (SLC), DRAM -LPDDR4 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V 149-WFBGA (8x9.5) - 557-MT29GZ5A5BPGGA-046AAT.87JTR 2,000 비 비, 휘발성 4gbit 25 ns 플래시, 램 512m x 8 onfi 30ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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