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메모리 (10402)

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MT62F2G64D8EK-023 AAT:C Micron Technology Inc. MT62F2G64D8EK-023 AAT : c 126.4350
RFQ
 ECAD 3616 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 상자 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 441-TFBGA sdram- 모바일 lpddr5 1.05V 441-TFBGA (14x14) - 557-MT62F2G64D8EK-023AAT : c 1 4.266 GHz 휘발성 휘발성 128gbit 음주 2G X 64 평행한 -
MTFC16GAKAEEF-O1 AIT TR Micron Technology Inc. MTFC16GAKAEEF-O1 AIT TR -
RFQ
 ECAD 4569 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 169-TFBGA MTFC16 플래시 - NAND - 169-TFBGA (14x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 128gbit 플래시 16g x 8 MMC -
MT42L128M64D2LL-25 IT:A TR Micron Technology Inc. MT42L128M64D2LL-25 IT : A TR -
RFQ
 ECAD 3473 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -25 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 216-WFBGA MT42L128M64 sdram- 모바일 lpddr2 1.14V ~ 1.3V 216-FBGA (12x12) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 400MHz 휘발성 휘발성 8gbit 음주 128m x 64 평행한 -
MTFC128GAPALNA-AAT ES Micron Technology Inc. MTFC128GAPALNA-AAT ES -
RFQ
 ECAD 6186 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 쓸모없는 MTFC128 - 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 980
MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80Y Micron Technology Inc. MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80Y -
RFQ
 ECAD 5029 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -25 ° C ~ 85 ° C (TA) - - MT29RZ4C8 플래시 -nand, dram -lpddr2 1.8V - - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 980 533 MHz 비 비, 휘발성 4GBIT (NAND), 4GBIT (LPDDR2) 플래시, 램 256m x 16 (NAND), 128m x 32 (LPDDR2) 평행한 -
MTFC4GMCAM-1M WT Micron Technology Inc. MTFC4GMCAM-1M WT -
RFQ
 ECAD 1258 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 대부분 쓸모없는 -25 ° C ~ 85 ° C (TA) MTFC4 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 32gbit 플래시 4G X 8 MMC -
MT53B384M16D1Z0AQWC1 Micron Technology Inc. MT53B384M16D1Z0AQWC1 -
RFQ
 ECAD 8721 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 0 ° C ~ 85 ° C (TC) - - MT53B384 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1 휘발성 휘발성 6gbit 음주 384m x 16 - -
PC28F256J3D95A Micron Technology Inc. PC28F256J3D95A -
RFQ
 ECAD 8381 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-TBGA PC28F256 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 64-ESYBGA (10x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 144 비 비 256mbit 95 ns 플래시 32m x 8, 16m x 16 평행한 95ns
MT29F8G08ADBDAH4:D TR Micron Technology Inc. MT29F8G08ADBDAH4 : D TR -
RFQ
 ECAD 4073 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA MT29F8G08 플래시 - NAND 1.7V ~ 1.95V 63-VFBGA (9x11) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 8gbit 플래시 1g x 8 평행한 -
MT25QL512ABB8E12-1SIT Micron Technology Inc. MT25QL512ABB8E12-1SIT -
RFQ
 ECAD 3708 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA MT25QL512 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 24-T-PBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 133 MHz 비 비 512mbit 플래시 64m x 8 SPI 8ms, 2.8ms
MT49H8M36BM-TI:B Micron Technology Inc. MT49H8M36BM-TI : b -
RFQ
 ECAD 6092 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 144-TFBGA MT49H8M36 음주 1.7V ~ 1.9V 144-µBGA (18.5x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0028 1,000 휘발성 휘발성 288mbit 음주 8m x 36 평행한 -
TE28F640P33B85A Micron Technology Inc. TE28F640P33B85A -
RFQ
 ECAD 9171 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) 28F640P33 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 56-tsop 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 576 40MHz 비 비 64mbit 85 ns 플래시 4m x 16 평행한 85ns
MTFC32GAKAEJP-AIT Micron Technology Inc. mtfc32gakaejp-ait -
RFQ
 ECAD 4035 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 153-VFBGA MTFC32G 플래시 - NAND - 153-VFBGA (11.5x13) - 3A991B1A 8542.32.0071 1,520 비 비 256gbit 플래시 32g x 8 MMC -
MT62F768M64D4EK-023 WT ES:B Micron Technology Inc. MT62F768M64D4EK-023 WT ES : b 61.3800
RFQ
 ECAD 9141 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 활동적인 MT62F768 - 557-MT62F768M64D4EK-023WTES : b 1
MT62F2G64D8EK-023 FAAT:B TR Micron Technology Inc. MT62F2G64D8EK-023 FAAT : B TR 126.4350
RFQ
 ECAD 3972 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 557-MT62F2G64D8EK-023FAAT : BTR 2,000
PC28F128J3F75D Micron Technology Inc. PC28F128J3F75D -
RFQ
 ECAD 9324 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-TBGA PC28F128 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 64-ESYBGA (10x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 136 비 비 128mbit 75 ns 플래시 16m x 8, 8m x 16 평행한 75ns
M50FLW040ANB5G Micron Technology Inc. M50FLW040ANB5G -
RFQ
 ECAD 7688 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -20 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 32-TFSOP (0.488 ", 12.40mm 너비) M50FLW040 플래시 - 아니오 3V ~ 3.6V 32-tsop - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 208 33MHz 비 비 4mbit 250 ns 플래시 512k x 8 평행한 -
M29DW127G70NF6E Micron Technology Inc. M29DW127G70NF6E -
RFQ
 ECAD 7095 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) M29DW127 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 56-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 96 비 비 128mbit 70 ns 플래시 16m x 8, 8m x 16 평행한 70ns
MT53E512M32D1ZW-046 AAT:B TR Micron Technology Inc. MT53E512M32D1ZW-046 AAT : B TR 17.7000
RFQ
 ECAD 1988 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 200-TFBGA sdram- 모바일 lpddr4x 1.06V ~ 1.17V 200-TFBGA (10x14.5) - 557-MT53E512M32D1ZW-046AAT : BTR 2,000 2.133 GHz 휘발성 휘발성 16gbit 3.5 ns 음주 512m x 32 평행한 18ns
MT40A2G8JE-062E AIT:E TR Micron Technology Inc. MT40A2G8JE-062E AIT : E TR 15.6150
RFQ
 ECAD 2906 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (9x11) 다운로드 557-MT40A2G8JE-062EAIT : ETR 2,000 1.6GHz 휘발성 휘발성 16gbit 19 ns 음주 2G X 8 현물 현물 지불 15ns
MT48H32M16LFB4-6 IT:C TR Micron Technology Inc. MT48H32M16LFB4-6 IT : C TR 7.6400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-VFBGA MT48H32M16 sdram- 모바일 lpsdr 1.7V ~ 1.95V 54-VFBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 1,000 166 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5 ns 음주 32m x 16 평행한 15ns
MT42L256M64D4LM-25 WT:A Micron Technology Inc. MT42L256M64D4LM-25 WT : a -
RFQ
 ECAD 3039 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 216-VFBGA MT42L256M64 sdram- 모바일 lpddr2 1.14V ~ 1.3V 216-FBGA (12x12) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0036 1,000 400MHz 휘발성 휘발성 16gbit 음주 256m x 64 평행한 -
M29W400BB90N1 Micron Technology Inc. M29W400BB90N1 -
RFQ
 ECAD 9838 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) M29W400 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 48-tsop - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 96 비 비 4mbit 90 ns 플래시 512k x 8, 256k x 16 평행한 90ns
EDB1332BDPA-1D-F-D Micron Technology Inc. EDB1332BDPA-1D-FD -
RFQ
 ECAD 1795 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 168-WFBGA EDB1332 sdram- 모바일 lpddr2 1.14V ~ 1.95V 168-WFBGA (12x12) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 3,500 533 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 음주 32m x 32 평행한 -
MT62F2G32D4DS-026 AIT:B TR Micron Technology Inc. MT62F2G32D4DS-026 AIT : B TR 58.0650
RFQ
 ECAD 4615 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C 표면 표면 200-WFBGA sdram- 모바일 lpddr5 1.05V 200-WFBGA (10x14.5) - 557-MT62F2G32D4DS-026AIT : BTR 2,000 3.2GHz 휘발성 휘발성 64gbit 음주 2G X 32 평행한 -
MT53E128M16D1DS-046 AAT:A Micron Technology Inc. MT53E128M16D1DS-046 AAT : a 6.1073
RFQ
 ECAD 7871 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) MT53E128 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 MT53E128M16D1DS-046AAT : a 0000.00.0000 1,360 2.133 GHz 휘발성 휘발성 2gbit 음주 128m x 16 - -
MT53E2G64D8TN-046 AIT:C Micron Technology Inc. MT53E2G64D8TN-046 AIT : C. 109.4700
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 ECAD 8277 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 상자 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 556-LFBGA sdram- 모바일 lpddr4x 1.06V ~ 1.17V 556-LFBGA (12.4x12.4) 다운로드 557-MT53E2G64D8TN-046AIT : c 1 2.133 GHz 휘발성 휘발성 128gbit 3.5 ns 음주 2G X 64 평행한 18ns
MT48H8M32LFB5-75:G TR Micron Technology Inc. MT48H8M32LFB5-75 : G TR -
RFQ
 ECAD 4778 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 90-VFBGA MT48H8M32 sdram- 모바일 lpsdr 1.7V ~ 1.95V 90-VFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 8m x 32 평행한 15ns
M25PX32-VMP6FBA TR Micron Technology Inc. M25PX32-VMP6FBA TR -
RFQ
 ECAD 9179 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-vdfn d 패드 M25PX32 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-vdfpn (6x5) (MLP8) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 75MHz 비 비 32mbit 플래시 4m x 8 SPI 15ms, 5ms
JS28F00AM29EWL0 Micron Technology Inc. JS28F00AM29ewl0 -
RFQ
 ECAD 4242 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) JS28F00AM29 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 56-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0051 96 비 비 1gbit 110 ns 플래시 128m x 8, 64m x 16 평행한 110ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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