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MT46V16M16CY-5B XIT:M TR Micron Technology Inc. MT46V16M16CY-5B XIT : M TR -
RFQ
ECAD 7069 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA MT46V16M16 sdram -ddr 2.5V ~ 2.7V 60-FBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 256mbit 700 PS 음주 16m x 16 평행한 15ns
MT62F1G32D2DS-026 WT:C TR Micron Technology Inc. MT62F1G32D2DS-026 WT : C TR 22.8450
RFQ
ECAD 7250 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -25 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 200-WFBGA sdram- 모바일 lpddr5 1.05V 200-WFBGA (10x14.5) - 557-MT62F1G32D2DS-026WT : CTR 2,000 3.2GHz 휘발성 휘발성 32gbit 음주 1g x 32 평행한 -
M29W640GT70ZA6F TR Micron Technology Inc. M29W640GT70ZA6F TR -
RFQ
ECAD 6177 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFBGA M29W640 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 비 비 64mbit 70 ns 플래시 8m x 8, 4m x 16 평행한 70ns
MT29RZ4B2DZZHHTB-18W.80F TR Micron Technology Inc. MT29RZ4B2DZZHHTB-18W.80F TR -
RFQ
ECAD 6475 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 MT29RZ4 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 1,000
MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.8D TR Micron Technology Inc. MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.8D TR -
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ECAD 4499 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 MT29RZ4 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 1,000
JS28F064M29EWTA Micron Technology Inc. JS28F064M29ewta -
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ECAD 3552 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) JS28F064M29 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 56-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 576 비 비 64mbit 70 ns 플래시 8m x 8, 4m x 16 평행한 70ns
MT35XU01GBBA2G12-0AUT Micron Technology Inc. MT35XU01GBBA2G12-0AUT 25.4400
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ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. XCCELA ™ -MT35X 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 24-TBGA MT35XU01 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 24-T-PBGA (6x8) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 200MHz 비 비 1gbit 플래시 128m x 8 xccela 버스 -
MT29F256G08CKCABH2-12:A Micron Technology Inc. MT29F256G08CKCABH2-12 : a -
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ECAD 6862 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-tbga MT29F256G08 플래시 -Nand (MLC) 2.7V ~ 3.6V 100-TBGA (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83MHz 비 비 256gbit 플래시 32g x 8 평행한 -
MT25TL512HBA8E12-0AAT TR Micron Technology Inc. MT25TL512HBA8E12-0AAT TR 10.5450
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ECAD 9285 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA MT25TL512 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 24-T-PBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 133 MHz 비 비 512mbit 플래시 64m x 8 SPI 8ms, 2.8ms
N2M400FDB311A3CE Micron Technology Inc. N2M400FDB311A3CE -
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ECAD 2717 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lbga N2M400 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 100-lbga (14x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 588 52MHz 비 비 32gbit 플래시 4G X 8 MMC -
MT51K256M32HF-50 N:A Micron Technology Inc. MT51K256M32HF-50 N : a -
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ECAD 1041 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) - - MT51K256 sgram -gddr5 1.3V ~ 1.545V - - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 1,260 1.25GHz 휘발성 휘발성 8gbit 숫양 256m x 32 평행한 -
MT47H128M16RT-25E:C TR Micron Technology Inc. MT47H128M16RT-25E : C TR 15.9000
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 84-TFBGA MT47H128M16 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-FBGA (9x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 400MHz 휘발성 휘발성 2gbit 400 PS 음주 128m x 16 평행한 15ns
MT48LC16M16A2BG-75:D Micron Technology Inc. MT48LC16M16A2BG-75 : d -
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ECAD 9512 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-VFBGA MT48LC16M16A2 sdram 3V ~ 3.6V 54-VFBGA (8x14) 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 16m x 16 평행한 15ns
MT49H8M36BM-25 IT:B Micron Technology Inc. MT49H8M36BM-25 IT : b -
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ECAD 2332 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 144-TFBGA MT49H8M36 음주 1.7V ~ 1.9V 144-µBGA (18.5x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 400MHz 휘발성 휘발성 288mbit 20 ns 음주 8m x 36 평행한 -
MT29F1G08ABADAH4-ITX:D Micron Technology Inc. mt29f1g08abadah4-itx : d -
RFQ
ECAD 4640 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA MT29F1G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 63-VFBGA (9x11) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2832-mt29f1g08abadah4-itx : d 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 비 비 1gbit 플래시 128m x 8 평행한 -
EDF8164A3MA-GD-F-D Micron Technology Inc. EDF8164A3MA-GD-FD -
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ECAD 4605 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - EDF8164 sdram- 모바일 lpddr3 1.14V ~ 1.95V 253-FBGA (11x11) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,980 800MHz 휘발성 휘발성 8gbit 음주 128m x 64 평행한 -
MT48LC2M32B2P-6A:J TR Micron Technology Inc. MT48LC2M32B2P-6A : J TR -
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ECAD 4722 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 86-TFSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC2M32B2 sdram 3V ~ 3.6V 86-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 2,000 167 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5.4 ns 음주 2m x 32 평행한 12ns
MT28EW512ABA1LPN-0SIT TR Micron Technology Inc. Mt28ew512aba1lpn-0sit tr -
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ECAD 4225 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 56-VFBGA MT28ew512 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 56-VFBGA (7x9) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) mt28ew512aba1lpn-0sittr 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 비 비 512mbit 95 ns 플래시 64m x 8, 32m x 16 평행한 60ns
MT46V128M4FN-75Z:D Micron Technology Inc. MT46V128M4FN-75Z : d -
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ECAD 3780 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA MT46V128M4 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 60-FBGA (10x12.5) - rohs 비준수 5 (48 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 750 ps 음주 128m x 4 평행한 15ns
MT53B256M64D2PX-062 XT ES:C TR Micron Technology Inc. MT53B256M64D2PX-062 XT ES : C TR -
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ECAD 2378 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -30 ° C ~ 105 ° C (TC) - - MT53B256 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 1.6GHz 휘발성 휘발성 16gbit 음주 256m x 64 - -
MTFC16GAPALBH-AAT ES Micron Technology Inc. MTFC16GAPALBH-AAT ES -
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ECAD 7507 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 153-TFBGA MTFC16 플래시 - NAND 1.7V ~ 1.9V 153-TFBGA (11.5x13) - 1 (무제한) 3A991B1A 8542.32.0071 1,520 비 비 128gbit 플래시 16g x 8 MMC -
MTFC128GAPALNA-AIT Micron Technology Inc. mtfc128gapalna-ait -
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ECAD 3129 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 마지막으로 마지막으로 MTFC128 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 980
M29W800FB70N3F TR Micron Technology Inc. M29W800FB70N3F TR -
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ECAD 5350 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) M29W800 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 1,500 비 비 8mbit 70 ns 플래시 1m x 8, 512k x 16 평행한 70ns
MTFC32GJVED-3F WT Micron Technology Inc. mtfc32gjved-3f wt -
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ECAD 8022 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 쟁반 쓸모없는 -25 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 169-VFBGA MTFC32G 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 169-VFBGA (14x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 256gbit 플래시 32g x 8 MMC -
MT46H32M16LFBF-6 IT:C TR Micron Technology Inc. MT46H32M16LFBF-6 IT : C TR -
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ECAD 6034 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 60-VFBGA MT46H32M16 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 60-VFBGA (8x9) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 1,000 166 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5 ns 음주 32m x 16 평행한 15ns
MT46V128M4P-5B:D TR Micron Technology Inc. MT46V128M4P-5B : D TR -
RFQ
ECAD 3806 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V128M4 sdram -ddr 2.5V ~ 2.7V 66-tsop - Rohs3 준수 4 (72 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 128m x 4 평행한 15ns
MT46H64M32LFMA-5 IT:A TR Micron Technology Inc. MT46H64M32LFMA-5 IT : A TR -
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ECAD 7409 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 168-WFBGA MT46H64M32 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 168-WFBGA (12x12) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0036 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 2gbit 5 ns 음주 64m x 32 평행한 15ns
MT29F4G08ABBDAH4-AITX:D TR Micron Technology Inc. MT29F4G08ABBDAH4-AITX : D TR -
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ECAD 7063 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA MT29F4G08 플래시 - NAND 1.7V ~ 1.95V 63-VFBGA (9x11) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 4gbit 플래시 512m x 8 평행한 -
MT53B256M64D2NV MS Micron Technology Inc. MT53B256M64D2NV MS -
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ECAD 9930 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 85 ° C (TC) - - MT53B256 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V - - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 1,540 휘발성 휘발성 16gbit 음주 256m x 64 - -
M29W256GH7AZS6E Micron Technology Inc. M29W256GH7AZS6E -
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ECAD 3925 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-lbga M29W256 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 64-FBGA (11x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 960 비 비 256mbit 70 ns 플래시 32m x 8, 16m x 16 평행한 70ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고