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![]() | MT29RZ4B2DZZHHTB-18W.80F TR | - | ![]() | 6475 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | MT29RZ4 | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 쓸모없는 | 1,000 | ||||||||||||||||||
![]() | MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.8D TR | - | ![]() | 4499 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | MT29RZ4 | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 0000.00.0000 | 1,000 | |||||||||||||||||
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![]() | MT49H8M36BM-25 IT : b | - | ![]() | 2332 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 144-TFBGA | MT49H8M36 | 음주 | 1.7V ~ 1.9V | 144-µBGA (18.5x11) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 400MHz | 휘발성 휘발성 | 288mbit | 20 ns | 음주 | 8m x 36 | 평행한 | - | ||
![]() | mt29f1g08abadah4-itx : d | - | ![]() | 4640 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 63-VFBGA | MT29F1G08 | 플래시 - NAND | 2.7V ~ 3.6V | 63-VFBGA (9x11) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 2832-mt29f1g08abadah4-itx : d | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,260 | 비 비 | 1gbit | 플래시 | 128m x 8 | 평행한 | - | |||
![]() | EDF8164A3MA-GD-FD | - | ![]() | 4605 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | - | - | EDF8164 | sdram- 모바일 lpddr3 | 1.14V ~ 1.95V | 253-FBGA (11x11) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1,980 | 800MHz | 휘발성 휘발성 | 8gbit | 음주 | 128m x 64 | 평행한 | - | ||||
![]() | MT48LC2M32B2P-6A : J TR | - | ![]() | 4722 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 86-TFSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) | MT48LC2M32B2 | sdram | 3V ~ 3.6V | 86-TSOP II | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0002 | 2,000 | 167 MHz | 휘발성 휘발성 | 64mbit | 5.4 ns | 음주 | 2m x 32 | 평행한 | 12ns | ||
![]() | Mt28ew512aba1lpn-0sit tr | - | ![]() | 4225 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 56-VFBGA | MT28ew512 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 56-VFBGA (7x9) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | mt28ew512aba1lpn-0sittr | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 비 비 | 512mbit | 95 ns | 플래시 | 64m x 8, 32m x 16 | 평행한 | 60ns | |||
![]() | MT46V128M4FN-75Z : d | - | ![]() | 3780 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 60-TFBGA | MT46V128M4 | sdram -ddr | 2.3V ~ 2.7V | 60-FBGA (10x12.5) | - | rohs 비준수 | 5 (48 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 133 MHz | 휘발성 휘발성 | 512mbit | 750 ps | 음주 | 128m x 4 | 평행한 | 15ns | ||
![]() | MT53B256M64D2PX-062 XT ES : C TR | - | ![]() | 2378 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -30 ° C ~ 105 ° C (TC) | - | - | MT53B256 | sdram- 모바일 lpddr4 | 1.1V | - | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.6GHz | 휘발성 휘발성 | 16gbit | 음주 | 256m x 64 | - | - | |||
![]() | MTFC16GAPALBH-AAT ES | - | ![]() | 7507 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 153-TFBGA | MTFC16 | 플래시 - NAND | 1.7V ~ 1.9V | 153-TFBGA (11.5x13) | - | 1 (무제한) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,520 | 비 비 | 128gbit | 플래시 | 16g x 8 | MMC | - | ||||||
![]() | mtfc128gapalna-ait | - | ![]() | 3129 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 상자 | 마지막으로 마지막으로 | MTFC128 | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 0000.00.0000 | 980 | |||||||||||||||||
![]() | M29W800FB70N3F TR | - | ![]() | 5350 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | 표면 표면 | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) | M29W800 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 48-tsop i | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0071 | 1,500 | 비 비 | 8mbit | 70 ns | 플래시 | 1m x 8, 512k x 16 | 평행한 | 70ns | |||
![]() | mtfc32gjved-3f wt | - | ![]() | 8022 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | 쟁반 | 쓸모없는 | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 169-VFBGA | MTFC32G | 플래시 - NAND | 2.7V ~ 3.6V | 169-VFBGA (14x18) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 비 비 | 256gbit | 플래시 | 32g x 8 | MMC | - | |||||
MT46H32M16LFBF-6 IT : C TR | - | ![]() | 6034 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 60-VFBGA | MT46H32M16 | sdram- 모바일 lpddr | 1.7V ~ 1.95V | 60-VFBGA (8x9) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0028 | 1,000 | 166 MHz | 휘발성 휘발성 | 512mbit | 5 ns | 음주 | 32m x 16 | 평행한 | 15ns | |||
![]() | MT46V128M4P-5B : D TR | - | ![]() | 3806 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) | MT46V128M4 | sdram -ddr | 2.5V ~ 2.7V | 66-tsop | - | Rohs3 준수 | 4 (72 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 200MHz | 휘발성 휘발성 | 512mbit | 700 PS | 음주 | 128m x 4 | 평행한 | 15ns | ||
![]() | MT46H64M32LFMA-5 IT : A TR | - | ![]() | 7409 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 168-WFBGA | MT46H64M32 | sdram- 모바일 lpddr | 1.7V ~ 1.95V | 168-WFBGA (12x12) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 귀 99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 200MHz | 휘발성 휘발성 | 2gbit | 5 ns | 음주 | 64m x 32 | 평행한 | 15ns | |||
![]() | MT29F4G08ABBDAH4-AITX : D TR | - | ![]() | 7063 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 63-VFBGA | MT29F4G08 | 플래시 - NAND | 1.7V ~ 1.95V | 63-VFBGA (9x11) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 비 비 | 4gbit | 플래시 | 512m x 8 | 평행한 | - | ||||
![]() | MT53B256M64D2NV MS | - | ![]() | 9930 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | - | - | MT53B256 | sdram- 모바일 lpddr4 | 1.1V | - | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1,540 | 휘발성 휘발성 | 16gbit | 음주 | 256m x 64 | - | - | |||||
![]() | M29W256GH7AZS6E | - | ![]() | 3925 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 64-lbga | M29W256 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 64-FBGA (11x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 960 | 비 비 | 256mbit | 70 ns | 플래시 | 32m x 8, 16m x 16 | 평행한 | 70ns |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
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