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메모리 (10402)

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MT25QU256ABA8ESF-0SIT TR Micron Technology Inc. MT25QU256ABA8ESF-0SIT TR 6.4700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) MT25QU256 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 16- 형의 행위 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 133 MHz 비 비 256mbit 플래시 32m x 8 SPI 8ms, 2.8ms
MT48LC8M32B2TG-6 TR Micron Technology Inc. MT48LC8M32B2TG-6 TR -
RFQ
 ECAD 4738 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 86-TFSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC8M32B2 sdram 3V ~ 3.6V 86-TSOP II 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 166 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.5 ns 음주 8m x 32 평행한 12ns
MT47H256M4HQ-5E:E TR Micron Technology Inc. MT47H256M4HQ-5E : E TR 27.6200
RFQ
 ECAD 900 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 60-FBGA MT47H256M4 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 60-FBGA (8x11.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 1gbit 600 ps 음주 256m x 4 평행한 15ns
M29W640FB70N6E Micron Technology Inc. M29W640FB70N6E -
RFQ
 ECAD 5353 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) M29W640 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 48-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 576 비 비 64mbit 70 ns 플래시 8m x 8, 4m x 16 평행한 70ns
MT29F4G16ABADAH4-IT:D TR Micron Technology Inc. MT29F4G16ABADAH4-IT : D TR -
RFQ
 ECAD 6680 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA MT29F4G16 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 63-VFBGA (9x11) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 4gbit 플래시 256m x 16 평행한 -
MT46V16M16P-6T L:F TR Micron Technology Inc. MT46V16M16P-6T L : F TR -
RFQ
 ECAD 6859 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V16M16 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 700 PS 음주 16m x 16 평행한 15ns
MT29F4G08ABADAWP:D TR Micron Technology Inc. MT29F4G08ABADAWP : D TR 5.6000
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F4G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 4gbit 플래시 512m x 8 평행한 -
EDW2032BBBG-6A-F-D Micron Technology Inc. EDW2032BBG-6A-FD -
RFQ
 ECAD 9770 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 170-TFBGA EDW2032 sgram -gddr5 1.31V ~ 1.65V 170-FBGA (12x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0036 1,440 1.5GHz 휘발성 휘발성 2gbit 숫양 64m x 32 평행한 -
MT29F1G08ABAEAH4-ITX:E TR Micron Technology Inc. MT29F1G08ABAEAH4-ITX : E TR -
RFQ
 ECAD 4493 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA MT29F1G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 63-VFBGA (9x11) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 1gbit 플래시 128m x 8 평행한 -
JS28F512P30EF0 Micron Technology Inc. JS28F512P30EF0 -
RFQ
 ECAD 4795 0.00000000 Micron Technology Inc. Axcell ™ 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) JS28F512P30 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 56-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0051 96 40MHz 비 비 512mbit 110 ns 플래시 32m x 16 평행한 110ns
N25Q128A13TF840E Micron Technology Inc. N25Q128A13TF840E -
RFQ
 ECAD 2648 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-vdfn d 패드 N25Q128A13 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-vdfpn (mlp8) (8x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 320 108 MHz 비 비 128mbit 플래시 32m x 4 SPI 8ms, 5ms
EDB4432BBPE-1D-F-D Micron Technology Inc. EDB4432BBPE-1D-FD -
RFQ
 ECAD 3785 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 - EDB4432 sdram- 모바일 lpddr2 1.14V ~ 1.95V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,190 533 MHz 휘발성 휘발성 4gbit 음주 128m x 32 평행한 -
MT46H16M16LFBF-6:H TR Micron Technology Inc. MT46H16M16LFBF-6 : H TR -
RFQ
 ECAD 8476 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 60-VFBGA MT46H16M16 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 60-VFBGA (8x9) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 166 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5 ns 음주 16m x 16 평행한 12ns
MT29F4T08EULEEM4-R:E Micron Technology Inc. MT29F4T08EUEEM4-R : e 85.8150
RFQ
 ECAD 9302 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 132-BGA 플래시 -Nand (TLC) 2.6V ~ 3.6V 132-LBGA (12x18) - 557-MT29F4T08Euleem4-R : e 1 비 비 4tbit 플래시 512g x 8 평행한 -
M29W160EB80ZA3SE TR Micron Technology Inc. M29W160EB80ZA3SE TR -
RFQ
 ECAD 8895 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 48-TFBGA M29W160 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 1,122 비 비 16mbit 80 ns 플래시 2m x 8, 1m x 16 평행한 80ns
MT29TZZZ8D5JKEZB-107 W.95Q TR Micron Technology Inc. MT29TZZZ8D5JKEZB-107 W.95Q TR -
RFQ
 ECAD 9980 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -25 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 221-WFBGA MT29TZZZ8 -Nand, DRAM -lpddr3 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V 221-WFBGA (13x11.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 933 MHz 비 비, 휘발성 64gbit (NAND), 8GBIT (LPDDR3) 플래시, 램 68G X 8 (NAND), 256M X 32 (LPDDR3) MMC, LPDRAM -
MT41K128M8DA-107 IT:J Micron Technology Inc. MT41K128M8DA-107 IT : J. -
RFQ
 ECAD 1403 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT41K128M8 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 1,440 933 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 128m x 8 평행한 -
MT25QU512ABB8E12-1SIT TR Micron Technology Inc. MT25QU512ABB8E12-1SIT TR -
RFQ
 ECAD 2737 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA MT25QU512 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 24-T-PBGA (6x8) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 133 MHz 비 비 512mbit 플래시 64m x 8 SPI 8ms, 2.8ms
TE28F256P33B95A Micron Technology Inc. TE28F256P33B95A -
RFQ
 ECAD 7957 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) 28F256P33 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 56-tsop 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 96 40MHz 비 비 256mbit 95 ns 플래시 16m x 16 평행한 95ns
MT47H32M16BN-25E:D TR Micron Technology Inc. MT47H32M16BN-25E : D TR -
RFQ
 ECAD 2272 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 84-TFBGA MT47H32M16 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-FBGA (10x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 400MHz 휘발성 휘발성 512mbit 400 PS 음주 32m x 16 평행한 15ns
MT45W2MW16BGB-708 AT Micron Technology Inc. MT45W2MW16BGB-708 AT -
RFQ
 ECAD 5652 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 54-VFBGA MT45W2MW16 psram (의사 sram) 1.7V ~ 1.95V 54-VFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 32mbit 70 ns psram 2m x 16 평행한 70ns
MT29F4G16ABCHC-ET:C TR Micron Technology Inc. MT29F4G16ABCHC-ET : C TR -
RFQ
 ECAD 9612 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA MT29F4G16 플래시 - NAND 1.7V ~ 1.95V 63-VFBGA (10.5x13) - Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 4gbit 플래시 256m x 16 평행한 -
N25Q256A33EF840F Micron Technology Inc. N25Q256A33333EF840F -
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 ECAD 5378 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-vdfn d 패드 N25Q256A33 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-vdfpn (mlp8) (8x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,440 108 MHz 비 비 256mbit 플래시 64m x 4 SPI 8ms, 5ms
MT47H64M8SH-25E AIT:H TR Micron Technology Inc. MT47H64M8SH-25E AIT : H TR -
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 ECAD 7114 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 60-TFBGA MT47H64M8 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 60-FBGA (8x10) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) MT47H64M8SH-25EAIT : HTR 귀 99 8542.32.0028 2,000 400MHz 휘발성 휘발성 512mbit 400 PS 음주 64m x 8 평행한 15ns
MT40A1G16TD-062E AAT:F TR Micron Technology Inc. MT40A1G16TD-062E AAT : F TR 27.8700
RFQ
 ECAD 3412 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) - - sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V - - 557-MT40A1G16TD-062EAAT : FTR 2,000 1.6GHz 휘발성 휘발성 16gbit 19 ns 음주 1g x 16 현물 현물 지불 15ns
MT29F128G08CBEBBL85C3WC1 Micron Technology Inc. MT29F128G08CBEBBL85C3WC1 -
RFQ
 ECAD 6169 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 주사위 MT29F128G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 주사위 - Rohs3 준수 1 (무제한) 3A991B1A 8542.32.0071 980 비 비 128gbit 플래시 16g x 8 평행한 -
EDW2032BBBG-7A-F-R TR Micron Technology Inc. EDW2032BBBG-7A-FR TR -
RFQ
 ECAD 9499 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 170-TFBGA EDW2032 sgram -gddr5 1.31V ~ 1.65V 170-FBGA (12x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0036 2,000 1.75GHz 휘발성 휘발성 2gbit 숫양 64m x 32 평행한 -
PZ28F064M29EWLA Micron Technology Inc. PZ28F064M29EWLA -
RFQ
 ECAD 8004 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-VFBGA PZ28F064M29 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 48-BGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 비 비 64mbit 60 ns 플래시 8m x 8, 4m x 16 평행한 60ns
MT58L128L32P1T-10 Micron Technology Inc. MT58L128L32P1T-10 7.5200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Micron Technology Inc. SyncBurst ™ 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp sram- 표준 3.135V ~ 3.6V 100-TQFP (14x20.1) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 3A991B2A 8542.32.0041 1 100MHz 휘발성 휘발성 4mbit 5 ns SRAM 128k x 32 평행한 -
M25P64-VMF6PBA Micron Technology Inc. M25P64-VMF6PBA -
RFQ
 ECAD 9474 0.00000000 Micron Technology Inc. - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) M25P64 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 16-SOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 75MHz 비 비 64mbit 플래시 8m x 8 SPI 15ms, 5ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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