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메모리 (10402)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	시계 시계	메모리 메모리	메모리 메모리	액세스 액세스	메모리 메모리	메모리 메모리	메모리 메모리	쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
MT53B2DDNP-DC	-	RFQ	5384	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는		표면 표면	200-WFBGA		sdram- 모바일 lpddr4		200-WFBGA (10x14.5)	-		1 (무제한)			쓸모없는	0000.00.0000	1,360		휘발성 휘발성			음주
M29W256GL70ZS6F TR	-	RFQ	3281	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	64-lbga	M29W256	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	64-FBGA (11x13)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,800		비 비	256mbit	70 ns	플래시	32m x 8, 16m x 16	평행한	70ns
MT29E256G08CMCDBJ5-6 : d	-	RFQ	8587	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	132-TBGA	MT29E256G08	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	132-TBGA (12x18)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)			3A991B1A	8542.32.0071	1,120	167 MHz	비 비	256gbit		플래시	32g x 8	평행한	-
N25Q064A13ESEC0F TR	-	RFQ	2505	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비)	N25Q064A13	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	8- w	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,500	108 MHz	비 비	64mbit		플래시	16m x 4	SPI	8ms, 5ms
M25P64S-VMF6TP TR	-	RFQ	5205	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)	M25P64	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	16-SOP2	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)			3A991B1A	8542.32.0071	1,000	75MHz	비 비	64mbit		플래시	8m x 8	SPI	15ms, 5ms
mt29f1g08abadawp-ite : d	-	RFQ	3869	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	MT29F1G08	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	48-tsop i	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)			3A991B1A	8542.32.0071	1,000		비 비	1gbit		플래시	128m x 8	평행한	-
MT29F512G08CECBBJ4-5M : B TR	-	RFQ	3302	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	132-VBGA	MT29F512G08	플래시 -Nand (MLC)	2.7V ~ 3.6V	132-VBGA (12x18)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	200MHz	비 비	512gbit		플래시	64g x 8	평행한	-
Mt28ew128aba1ljs-0sit tr	5.5648	RFQ	7472	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	MT28ew128	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	56-tsop	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,600		비 비	128mbit	95 ns	플래시	16m x 8, 8m x 16	평행한	60ns
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MT61K512M32KPA-21 : u	30.4200	RFQ	9866	Micron Technology Inc.	-	상자	활동적인	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	180-TFBGA		sgram -gddr6	1.3095V ~ 1.3905V	180-FBGA (12x14)	-				557-MT61K512M32KPA-21 : u			1	10.5GHz	휘발성 휘발성	16gbit		음주	512m x 32	pod_135	-
MT46H128M32L2KQ-5 IT : B TR	-	RFQ	1976	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	168-WFBGA	MT46H128M32	sdram- 모바일 lpddr	1.7V ~ 1.95V	168-WFBGA (12x12)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)			귀 99	8542.32.0036	1,000	200MHz	휘발성 휘발성	4gbit	5 ns	음주	128m x 32	평행한	15ns
MT46V64M8TG-5B : J.	-	RFQ	7584	Micron Technology Inc.	-	대부분	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비)	MT46V64M8	sdram -ddr	2.5V ~ 2.7V	66-tsop	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)			귀 99	8542.32.0028	1,000	200MHz	휘발성 휘발성	512mbit	700 PS	음주	64m x 8	평행한	15ns
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MT41J256M4JP-125 : g	-	RFQ	1297	Micron Technology Inc.	-	쟁반	sic에서 중단되었습니다	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	78-TFBGA	MT41J256M4	sdram -ddr3	1.425V ~ 1.575V	78-FBGA (8x11.5)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0032	1,000	800MHz	휘발성 휘발성	1gbit		음주	256m x 4	평행한	-
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MT29F128G08CBCEBJ4-37 : e	-	RFQ	9872	Micron Technology Inc.	-	쟁반	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	132-VBGA	MT29F128G08	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	132-VBGA (12x18)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,120	267 MHz	비 비	128gbit		플래시	16g x 8	평행한	-
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MTFC64GAOAMEA-WT ES TR	-	RFQ	6892	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다				MTFC64				-			영향을받지 영향을받지			0000.00.0000	1,000
MT46H64M32L2JG-6 : a	-	RFQ	5754	Micron Technology Inc.	-	쟁반	sic에서 중단되었습니다	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	168-VFBGA	MT46H64M32	sdram- 모바일 lpddr	1.7V ~ 1.95V	168-VFBGA (12x12)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0036	1,000	166 MHz	휘발성 휘발성	2gbit	5 ns	음주	64m x 32	평행한	15ns
MT29F4G08ABAFAWP-AIAT : F TR	3.2532	RFQ	7665	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	마지막으로 마지막으로	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	MT29F4G08	플래시 -Nand (SLC)	2.7V ~ 3.6V	48-tsop i	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	MT29F4G08ABAFAWP-ait : FTR	3A991B1A	8542.32.0071	1,000		비 비	4gbit		플래시	512m x 8	평행한	-
MT29F8T08EWLEEM5-T : e	171.6300	RFQ	3020	Micron Technology Inc.	-	상자	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C	-	-		플래시 -Nand (TLC)	-	-	-				557-MT29F8T08EWLEEM5-T : e			1		비 비	8tbit		플래시	1T X 8	평행한	-
PC28F128P30TF65A	-	RFQ	2214	Micron Technology Inc.	Strataflash ™	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	64-TBGA	PC28F128	플래시 - 아니오	1.7V ~ 2V	64-ESYBGA (10x13)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	864	52MHz	비 비	128mbit	65 ns	플래시	8m x 16	평행한	65ns
MT47H256M8THN-25E : h	-	RFQ	2412	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 85 ° C (TC)	표면 표면	63-TFBGA	MT47H256M8	sdram -ddr2	1.7V ~ 1.9V	63-FBGA (8x10)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0036	1,000	400MHz	휘발성 휘발성	2gbit	400 PS	음주	256m x 8	평행한	15ns
MT49H64M9CBM-25E : b	-	RFQ	9253	Micron Technology Inc.	-	대부분	쓸모없는	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	144-TFBGA	MT49H64M9	음주	1.7V ~ 1.9V	144-µBGA (18.5x11)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)			귀 99	8542.32.0024	1,000	400MHz	휘발성 휘발성	576mbit	15 ns	음주	64m x 9	평행한	-
MT40A1G16HBA-083E : A TR	-	RFQ	9096	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	96-TFBGA	MT40A1G16	sdram -ddr4	1.14V ~ 1.26V	96-FBGA (9.5x14)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0036	2,000	1.2GHz	휘발성 휘발성	16gbit		음주	1g x 16	평행한	-
PC28F128P33B85A	-	RFQ	6813	Micron Technology Inc.	Strataflash ™	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TC)	표면 표면	64-TBGA	PC28F128	플래시 - 아니오	2.3V ~ 3.6V	64-EASYBGA (8x10)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,800	52MHz	비 비	128mbit	85 ns	플래시	8m x 16	평행한	85ns
mt30azzzddb0tpwl-031 wl.19r	108.7200	RFQ	7884	Micron Technology Inc.	-	상자	활동적인								-				557-MT30AZZZDDB0TPWL-031WL.19R			1

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

메모리 (10402)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²