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메모리 (10402)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 시계 시계 메모리 메모리 메모리 메모리 액세스 액세스 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
MT48H4M16LFB4-10 IT Micron Technology Inc. MT48H4M16LFB4-10 IT -
RFQ
 ECAD 5035 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-VFBGA MT48H4M16 sdram- 모바일 lpsdr 1.7V ~ 1.9V 54-VFBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 104 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 7 ns 음주 4m x 16 평행한 15ns
N25Q256A73ESF40F TR Micron Technology Inc. N25Q256A73ESF40F TR -
RFQ
 ECAD 1312 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) N25Q256A73 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 16-SOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 108 MHz 비 비 256mbit 플래시 64m x 4 SPI 8ms, 5ms
MT25TL512HBA8ESF-0AAT Micron Technology Inc. MT25TL512HBA8ESF-0AAT 10.3950
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 ECAD 1880 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) MT25TL512 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 16-SOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,440 133 MHz 비 비 512mbit 플래시 64m x 8 SPI 8ms, 2.8ms
MT28EW256ABA1LPN-0SIT Micron Technology Inc. mt28ew256aba1lpn-0sit -
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 ECAD 6390 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 56-VFBGA MT28ew256 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 56-VFBGA (7x9) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,560 비 비 256mbit 75 ns 플래시 32m x 8, 16m x 16 평행한 60ns
MT25QU256ABA1ESF-0SIT TR Micron Technology Inc. MT25QU256ABA1ESF-0SIT TR -
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 ECAD 5031 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) MT25QU256 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 16- 형의 행위 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 133 MHz 비 비 256mbit 플래시 32m x 8 SPI 8ms, 2.8ms
EDB1332BDPC-1D-F-D Micron Technology Inc. EDB1332BDPC-1D-FD -
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 ECAD 2567 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 134-VFBGA EDB1332 sdram- 모바일 lpddr2 1.14V ~ 1.95V 134-VFBGA (10x11.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 1,680 533 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 음주 32m x 32 평행한 -
EDFA112A2PD-JD-F-D Micron Technology Inc. EDFA112A2PD-JD-FD -
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 ECAD 5339 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - EDFA112 sdram- 모바일 lpddr3 1.14V ~ 1.95V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,190 933 MHz 휘발성 휘발성 16gbit 음주 128m x 128 평행한 -
MT42L128M64D4LD-3 IT:A Micron Technology Inc. MT42L128M64D4LD-3 IT : a -
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 ECAD 1378 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 sic에서 중단되었습니다 -25 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 220-VFBGA MT42L128M64 sdram- 모바일 lpddr2 1.14V ~ 1.3V 220-FBGA (14x14) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 333 MHz 휘발성 휘발성 8gbit 음주 128m x 64 평행한 -
MT53D1024M32D4DT-046 AUT:D TR Micron Technology Inc. MT53D1024M32D4DT-046 AUT : D TR -
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 ECAD 4888 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TC) 표면 표면 200-VFBGA MT53D1024 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 200-VFBGA (10x14.5) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 2.133 GHz 휘발성 휘발성 32gbit 음주 1g x 32 - -
MT41K128M8DA-107:J Micron Technology Inc. MT41K128M8DA-107 : J. 5.0100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT41K128M8 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 1 933 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 128m x 8 평행한 -
MT47H128M8CF-3 L:H TR Micron Technology Inc. MT47H128M8CF-3 L : H TR -
RFQ
 ECAD 3374 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 60-TFBGA MT47H128M8 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 60-FBGA (8x10) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0032 1,000 333 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 450 ps 음주 128m x 8 평행한 15ns
MT53E768M32D2FW-046 WT ES:C Micron Technology Inc. MT53E768M32D2FW-046 WT ES : C. 24.0600
RFQ
 ECAD 1734 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 활동적인 - 557-MT53E768M32D2FW-046WTES : c 1
MT49H16M36SJ-25E:B Micron Technology Inc. MT49H16M36SJ-25E : b 47.8500
RFQ
 ECAD 3557 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 144-TFBGA MT49H16M36 음주 1.7V ~ 1.9V 144-FBGA (18.5x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0028 1,120 400MHz 휘발성 휘발성 576mbit 15 ns 음주 16m x 36 평행한 -
M25P16-VMN6YPBA Micron Technology Inc. M25P16-VMN6YPBA -
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 ECAD 9762 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) M25P16 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 280 75MHz 비 비 16mbit 플래시 2m x 8 SPI 15ms, 5ms
EDFA164A2PF-JD-F-R TR Micron Technology Inc. EDFA164A2PF-JD-FR TR -
RFQ
 ECAD 1089 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - EDFA164 sdram- 모바일 lpddr3 1.14V ~ 1.95V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,000 933 MHz 휘발성 휘발성 16gbit 음주 256m x 64 평행한 -
MT29F64G08CBAAAL74A3WC1P Micron Technology Inc. MT29F64G08CBAAAL74A3WC1P -
RFQ
 ECAD 2550 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 주사위 MT29F64G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 주사위 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1 비 비 64gbit 플래시 8g x 8 평행한 -
N25Q128A23BSF40G Micron Technology Inc. N25Q128A23BSF40G -
RFQ
 ECAD 1530 0.00000000 Micron Technology Inc. - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) N25Q128A23 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 16-SOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,225 108 MHz 비 비 128mbit 플래시 32m x 4 SPI 8ms, 5ms
M28W320ECT70ZB6T TR Micron Technology Inc. M28W320ECT70ZB6T TR 3.3400
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 ECAD 531 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 47-TFBGA M28W320 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 47-TFBGA (6.39x6.37) - rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 비 비 32mbit 70 ns 플래시 2m x 16 평행한 70ns
MT58L64L32PT-6 TR Micron Technology Inc. MT58L64L32PT-6 TR -
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 ECAD 7637 0.00000000 Micron Technology Inc. * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 3A991B2A 8542.32.0041 500
MT53B4DAEZ-DC TR Micron Technology Inc. MT53B4DAEZ-DC TR -
RFQ
 ECAD 5119 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - - MT53B4 sdram- 모바일 lpddr4 - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,000 휘발성 휘발성 음주
MT46V16M16CY-6:K TR Micron Technology Inc. MT46V16M16CY-6 : K TR -
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 ECAD 4921 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA MT46V16M16 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 60-FBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 700 PS 음주 16m x 16 평행한 15ns
MT40A2G8AG-062E AIT:F TR Micron Technology Inc. MT40A2G8AG-062E AIT : F TR 18.0450
RFQ
 ECAD 8981 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) - - sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V - - 557-MT40A2G8AG-062EAIT : FTR 2,000 1.6GHz 휘발성 휘발성 16gbit 19 ns 음주 2G X 8 평행한 15ns
N25Q128A21BF840F TR Micron Technology Inc. N25Q128A21BF840F TR -
RFQ
 ECAD 1889 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-vdfn d 패드 N25Q128A21 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 8-vdfpn (mlp8) (8x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 108 MHz 비 비 128mbit 플래시 16m x 8 SPI 8ms, 5ms
MT58L64L36FT-8 Micron Technology Inc. MT58L64L36ft-8 5.0400
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Micron Technology Inc. SyncBurst ™ 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp sram- 표준 3.135V ~ 3.6V 100-TQFP (14x20.1) 다운로드 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 3A991B2A 8542.32.0041 1 휘발성 휘발성 2mbit SRAM 64k x 36 평행한 -
M50FW016N5G Micron Technology Inc. M50FW016N5G -
RFQ
 ECAD 3796 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -20 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 40-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) M50FW016 플래시 - 아니오 3V ~ 3.6V 40-tsop - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 120 33MHz 비 비 16mbit 250 ns 플래시 2m x 8 평행한 -
MT61M512M32KPA-14 AAT:C TR Micron Technology Inc. MT61M512M32KPA-14 AAT : C TR 42.1050
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 ECAD 7943 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 557-MT61M512M32KPA-14AAT : CTR 2,000
MT53E512M64D4NK-046 WT:D TR Micron Technology Inc. MT53E512M64D4NK-046 WT : D TR -
RFQ
 ECAD 1559 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 366-WFBGA MT53E512 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 366-WFBGA (15x15) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 MT53E512M64D4NK-046WT : DTR 쓸모없는 0000.00.0000 1,000 2.133 GHz 휘발성 휘발성 32gbit 음주 512m x 64 - -
MTFC32GAZAQHD-AAT TR Micron Technology Inc. mtfc32gazaqhd-aat tr 19.0800
RFQ
 ECAD 9732 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 153-VFBGA MTFC32G 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 153-VFBGA (11.5x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 557-MTFC32GAZAQHD-AATTR 2,000 200MHz 비 비 256gbit 플래시 32g x 8 MMC -
MT47H128M8B7-5E:A TR Micron Technology Inc. MT47H128M8B7-5E : A TR -
RFQ
 ECAD 2900 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 92-TFBGA MT47H128M8 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 92-FBGA (11x19) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 1gbit 600 ps 음주 128m x 8 평행한 15ns
MT53E768M32D2NP-046 WT:B TR Micron Technology Inc. MT53E768M32D2NP-046 WT : B TR 14.6700
RFQ
 ECAD 8931 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 557-MT53E768M32D2NP-046WT : BTR 2,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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