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메모리 (10402)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	시계 시계	메모리 메모리	메모리 메모리	액세스 액세스	메모리 메모리	메모리 메모리	메모리 메모리	쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
MT29RZ1BVCZZHGTN-25 W.4M0	-	RFQ	5403	Micron Technology Inc.	-	대부분	쓸모없는								-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,000
MT28F320J3BS-11 ET	-	RFQ	5692	Micron Technology Inc.	-	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	64-FBGA	MT28F320J3	플래시	2.7V ~ 3.6V	64-FBGA (10x13)	다운로드	Rohs3 준수	4 (72 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		비 비	32mbit	110 ns	플래시	4m x 8, 2m x 16	평행한	-
MT29VZZZBC9FQOPR-053 W ES.G9G TR	-	RFQ	1919	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는				MT29VZZZBC9				-		1 (무제한)			쓸모없는	0000.00.0000	1,000
MT53B512M32D2NP-053 WT : C TR	-	RFQ	6714	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	표면 표면	200-WFBGA	MT53B512	sdram- 모바일 lpddr4	1.1V	200-WFBGA (10x14.5)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0036	2,000	1.866 GHz	휘발성 휘발성	16gbit		음주	512m x 32	-	-
MT29F128G08CFAAAWP-Z : a	-	RFQ	6630	Micron Technology Inc.	-	튜브	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	MT29F128G08	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	48-tsop i	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	960		비 비	128gbit		플래시	16g x 8	평행한	-
RC28F256P30TFE	-	RFQ	6073	Micron Technology Inc.	Strataflash ™	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	64-TBGA	RC28F256	플래시 - 아니오	1.7V ~ 2V	64-ESYBGA (10x13)	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	-RC28F256P30TFE	3A991B1A	8542.32.0071	864	52MHz	비 비	256mbit	100 ns	플래시	16m x 16	평행한	100ns
nandaar4n4azba5e	-	RFQ	3244	Micron Technology Inc.	-	상자	쓸모없는								-	Rohs3 준수	3 (168 시간)			3A991B1A	8542.32.0071	1,026
MT62F1G32D2DS-023 AUT : c	36.7350	RFQ	2367	Micron Technology Inc.	자동차, AEC-Q100	상자	활동적인	-	표면 표면	200-WFBGA		sdram- 모바일 lpddr5	1.05V	200-WFBGA (10x14.5)	-				557-MT62F1G32D2DS-023AUT : c			1	4.266 GHz	휘발성 휘발성	32gbit		음주	1g x 32	평행한	-
mt28ew01gaba1hpc-0sit tr	20.4100	RFQ	1	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	64-lbga	MT28ew01	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	64-lbga (11x13)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	2,000		비 비	1gbit	95 ns	플래시	128m x 8, 64m x 16	평행한	60ns
mtfc128gapalna-ait es tr	-	RFQ	6082	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는				MTFC128				-		1 (무제한)			쓸모없는	0000.00.0000	1,000
MT46V16M16TG-5B : F TR	-	RFQ	2294	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비)	MT46V16M16	sdram -ddr	2.5V ~ 2.7V	66-tsop	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0024	1,000	200MHz	휘발성 휘발성	256mbit	700 PS	음주	16m x 16	평행한	15ns
MT53B256M64D2NK-053 WT ES : C TR	-	RFQ	6559	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	-	-	MT53B256	sdram- 모바일 lpddr4	1.1V	-	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)			쓸모없는	0000.00.0000	1,000	1.866 GHz	휘발성 휘발성	16gbit		음주	256m x 64	-	-
MT40A256M16Z90BWC1	-	RFQ	1069	Micron Technology Inc.	-	대부분	쓸모없는				MT40A256				-					쓸모없는		1
MT40A256M16GE-075E : b	-	RFQ	2156	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	96-TFBGA	MT40A256M16	sdram -ddr4	1.14V ~ 1.26V	96-FBGA (9x14)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0036	1,020	1.33 GHz	휘발성 휘발성	4gbit		음주	256m x 16	평행한	-
MT47H64M16HR-3 : G TR	-	RFQ	8230	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 85 ° C (TC)	표면 표면	84-TFBGA	MT47H64M16	sdram -ddr2	1.7V ~ 1.9V	84-FBGA (8x12.5)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0032	2,000	333 MHz	휘발성 휘발성	1gbit	450 ps	음주	64m x 16	평행한	15ns
MT47H128M8HQ-3 IT : g	-	RFQ	6742	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	60-FBGA	MT47H128M8	sdram -ddr2	1.7V ~ 1.9V	60-FBGA (8x11.5)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0032	1,000	333 MHz	휘발성 휘발성	1gbit	450 ps	음주	128m x 8	평행한	15ns
MT29F128G08CEAAC5 : a	-	RFQ	6020	Micron Technology Inc.	-	대부분	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	52-VLGA	MT29F128G08	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	52-VLGA (18x14)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)			3A991B1A	8542.32.0071	1,000		비 비	128gbit		플래시	16g x 8	평행한	-
mtfc128gazaqjp-ait tr	57.4500	RFQ	3514	Micron Technology Inc.	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	153-VFBGA	MTFC128	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	153-VFBGA (11.5x13)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	557-MTFC128GAZAQJP-AITTR			2,000	200MHz	비 비	1tbit		플래시	128g x 8	MMC	-
MT41J128M8JP-15E AIT : g	-	RFQ	3071	Micron Technology Inc.	자동차, AEC-Q100	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	78-TFBGA	MT41J128M8	sdram -ddr3	1.425V ~ 1.575V	78-FBGA (8x11.5)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0036	1,000	667 MHz	휘발성 휘발성	1gbit		음주	128m x 8	평행한	-
EDF8164A3MA-GD-FR TR	-	RFQ	2230	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	-	-	EDF8164	sdram- 모바일 lpddr3	1.14V ~ 1.95V	253-FBGA (11x11)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)			쓸모없는	0000.00.0000	1,000	800MHz	휘발성 휘발성	8gbit		음주	128m x 64	평행한	-
MT49H16M18CFM-25 : B TR	-	RFQ	7834	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	144-TFBGA	MT49H16M18	음주	1.7V ~ 1.9V	144-µBGA (18.5x11)	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B2A	8542.32.0028	1,000	400MHz	휘발성 휘발성	288mbit	20 ns	음주	16m x 18	평행한	-
MT53E512M64D4NW-053 WT : e	-	RFQ	7235	Micron Technology Inc.	-	상자	쓸모없는	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	표면 표면	432-VFBGA	MT53E512	sdram- 모바일 lpddr4	1.1V	432-VFBGA (15x15)	-					쓸모없는	0000.00.0000	1,190	1.866 GHz	휘발성 휘발성	32gbit		음주	512m x 64	-	-
MT53D8D1BSQ-DC TR	-	RFQ	4678	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다				MT53d8				-			영향을받지 영향을받지			0000.00.0000	2,000
MT29F1G16ABBFAH4-AAT : F TR	2.9665	RFQ	1359	Micron Technology Inc.	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	표면 표면	63-VFBGA	MT29F1G16	플래시 -Nand (SLC)	1.7V ~ 1.95V	63-VFBGA (9x11)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	557-MT29F1G16ABBFAH4-AAT : FTR		8542.32.0071	2,000		비 비	1gbit		플래시	64m x 16	평행한	-
MT53D4DASB-DC	-	RFQ	4232	Micron Technology Inc.	-	상자	쓸모없는				MT53D4				-		1 (무제한)			쓸모없는	0000.00.0000	1,190
MT38M4041A3034EZZI.XK6 TR	-	RFQ	2754	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	56-VFBGA	MT38M4041	플래시 - 아니오, psram	1.7V ~ 1.95V	56-VFBGA (8x8)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		쓸모없는	0000.00.0000	2,500	133 MHz	비 비, 휘발성	256mbit ((), 128mbit (RAM)		플래시, 램	16m x 16, 8m x 16	평행한	-
MT53D1024M32D4BD-053 WT : D TR	-	RFQ	7366	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	-	-	MT53D1024	sdram- 모바일 lpddr4	1.1V	-	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0036	2,000	1.866 GHz	휘발성 휘발성	32gbit		음주	1g x 32	-	-
MT48LC4M16A2P-6 : g	-	RFQ	3574	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비)	MT48LC4M16A2	sdram	3V ~ 3.6V	54-TSOP II	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0002	1,000	167 MHz	휘발성 휘발성	64mbit	5.5 ns	음주	4m x 16	평행한	12ns
MT47H256M8THN-25E : H TR	-	RFQ	9268	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 85 ° C (TC)	표면 표면	63-TFBGA	MT47H256M8	sdram -ddr2	1.7V ~ 1.9V	63-FBGA (8x10)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)			귀 99	8542.32.0036	1,000	400MHz	휘발성 휘발성	2gbit	400 PS	음주	256m x 8	평행한	15ns
NAND02GAH0IZC5E	-	RFQ	6535	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-25 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	153-LFBGA	NAND02G	플래시 - NAND	3.135V ~ 3.465V	153-LFBGA (11.5x13)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	-nand02gah0izc5e	3A991B1A	8542.32.0071	136	52MHz	비 비	2gbit		플래시	256m x 8	MMC	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

메모리 (10402)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²