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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 시계 시계 메모리 메모리 메모리 메모리 액세스 액세스 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
PC28F064M29EWHA Micron Technology Inc. PC28F064M29ewha -
RFQ
ECAD 5057 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-lbga PC28F064 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 64-FBGA (11x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,104 비 비 64mbit 60 ns 플래시 8m x 8, 4m x 16 평행한 60ns
MT48LC4M32LFB5-8 XT:G TR Micron Technology Inc. MT48LC4M32LFB5-8 XT : G TR -
RFQ
ECAD 9406 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -20 ° C ~ 75 ° C (TA) 표면 표면 90-VFBGA MT48LC4M32 sdram- 모바일 lpsdr 3V ~ 3.6V 90-VFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 125MHz 휘발성 휘발성 128mbit 7 ns 음주 4m x 32 평행한 15ns
MT29F1HT08ELCBBG1-37:B TR Micron Technology Inc. MT29F1HT08ELCBBG1-37 : B TR -
RFQ
ECAD 1987 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 272-VFBGA MT29F1HT08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 272-VBGA (14x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 267 MHz 비 비 1.5tbit 플래시 192g x 8 평행한 -
MT40A512M16LY-062E IT:E TR Micron Technology Inc. MT40A512M16LY-062E IT : E TR -
RFQ
ECAD 8738 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA MT40A512M16 sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 96-FBGA (7.5x13.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 1.6GHz 휘발성 휘발성 8gbit 음주 512m x 16 평행한 -
M29F010B45K6E Micron Technology Inc. M29F010B45K6E -
RFQ
ECAD 1648 0.00000000 Micron Technology Inc. - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 32-LCC (J-Lead) M29F010 플래시 - 아니오 4.5V ~ 5.5V 32-PLCC (11.35x13.89) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 32 비 비 1mbit 45 ns 플래시 128k x 8 평행한 45ns
M29F800DT70N6E Micron Technology Inc. M29F800DT70N6E -
RFQ
ECAD 1672 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) M29F800 플래시 - 아니오 4.5V ~ 5.5V 48-tsop - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 96 비 비 8mbit 70 ns 플래시 1m x 8, 512k x 16 평행한 70ns
MT48LC2M32B2TG-7 IT:G TR Micron Technology Inc. MT48LC2M32B2TG-7 IT : G TR -
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ECAD 8494 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 86-TFSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC2M32B2 sdram 3V ~ 3.6V 86-TSOP II 다운로드 rohs 비준수가 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 143 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5.5 ns 음주 2m x 32 평행한 14ns
MT46H8M16LFCF-75 Micron Technology Inc. MT46H8M16LFCF-75 -
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ECAD 2913 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 60-VFBGA MT46H8M16 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.9V 60-VFBGA (8x10) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 6 ns 음주 8m x 16 평행한 15ns
EDFP164A3PD-JD-F-R TR Micron Technology Inc. EDFP164A3PD-JD-FR TR -
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ECAD 6245 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 - EDFP164 sdram- 모바일 lpddr3 1.14V ~ 1.95V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 933 MHz 휘발성 휘발성 24gbit 음주 384m x 64 평행한 -
M29F800DB55N6 Micron Technology Inc. M29F800DB55N6 -
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ECAD 4638 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) M29F800 플래시 - 아니오 4.5V ~ 5.5V 48-tsop - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 96 비 비 8mbit 55 ns 플래시 1m x 8, 512k x 16 평행한 55ns
MT40A1G8PM-083E:A Micron Technology Inc. MT40A1G8pm-083E : a -
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ECAD 9616 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT40A1G8 sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (9x13.2) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,020 1.2GHz 휘발성 휘발성 8gbit 음주 1g x 8 평행한 -
N25Q016A11EF640F TR Micron Technology Inc. N25Q016A11EF640F TR -
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ECAD 9842 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-vdfn d 패드 N25Q016A11 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 8-vdfpn (6x5) (MLP8) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 4,000 108 MHz 비 비 16mbit 플래시 2m x 8 SPI 8ms, 1ms
MT41K128M16JT-107G:K TR Micron Technology Inc. MT41K128M16JT-107G : K TR -
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ECAD 3845 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA MT41K128M16 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (8x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 933 MHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 128m x 16 평행한 -
MT25TL512BBA8E12-0AAT Micron Technology Inc. MT25TL512BBA8E12-0AAT 13.3950
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ECAD 2135 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 마지막으로 마지막으로 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA MT25TL512 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 24-T-PBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 133 MHz 비 비 512mbit 플래시 64m x 8 SPI 8ms, 2.8ms
MT48LC8M32B2P-6 TR Micron Technology Inc. MT48LC8M32B2P-6 TR -
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ECAD 6235 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 86-TFSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC8M32B2 sdram 3V ~ 3.6V 86-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 166 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.5 ns 음주 8m x 32 평행한 12ns
MT29F64G08CBEFBL94C3WC1 Micron Technology Inc. MT29F64G08CBEFBL94C3WC1 -
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ECAD 3029 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 주사위 MT29F64G08 플래시 -Nand (MLC) 2.7V ~ 3.6V 주사위 - Rohs3 준수 공급 공급 정의되지 업체는 쓸모없는 0000.00.0000 1 비 비 64gbit 플래시 8g x 8 평행한 -
MT29F4G08ABADAH4-IT:D Micron Technology Inc. MT29F4G08ABADAH4-IT : d 5.9300
RFQ
ECAD 445 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA MT29F4G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 63-VFBGA (9x11) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 비 비 4gbit 플래시 512m x 8 평행한 -
MT49H8M36SJ-25 IT:B Micron Technology Inc. MT49H8M36SJ-25 IT : b -
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ECAD 1858 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 144-TFBGA MT49H8M36 음주 1.7V ~ 1.9V 144-FBGA (18.5x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0028 1,120 400MHz 휘발성 휘발성 288mbit 20 ns 음주 8m x 36 평행한 -
NAND08GAH0FZC5E Micron Technology Inc. NAND08GAH0FZC5E -
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ECAD 7569 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -25 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 153-LFBGA NAND08G 플래시 - NAND 3.135V ~ 3.465V 153-LFBGA (11.5x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 -nand08gah0fzc5e 3A991B1A 8542.32.0071 816 52MHz 비 비 8gbit 플래시 1g x 8 MMC -
MT46V128M4BN-6:D Micron Technology Inc. MT46V128M4BN-6 : d -
RFQ
ECAD 7393 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA MT46V128M4 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 60-FBGA (10x12.5) - Rohs3 준수 5 (48 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 128m x 4 평행한 15ns
M45PE16-VMP6TG TR Micron Technology Inc. M45PE16-VMP6TG TR -
RFQ
ECAD 1780 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-vdfn d 패드 M45PE16 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-vdfpn (6x5) (MLP8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 4,000 75MHz 비 비 16mbit 플래시 2m x 8 SPI 3ms
MT29F1T08CUECBH8-12:C Micron Technology Inc. MT29F1T08CUECBH8-12 : c -
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ECAD 2439 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 152-lbga MT29F1T08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 152-lbga (14x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 980 83MHz 비 비 1tbit 플래시 128g x 8 평행한 -
N25Q128A13EF8C0F TR Micron Technology Inc. N25Q128A13EF8C0F TR -
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ECAD 8072 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-vdfn d 패드 N25Q128A13 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-vdfpn (mlp8) (8x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 108 MHz 비 비 128mbit 플래시 32m x 4 SPI 8ms, 5ms
MT29F512G08EMCBBJ5-10ES:B TR Micron Technology Inc. MT29F512G08EMCBBJ5-10ES : B TR -
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ECAD 1355 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 - MT29F512G08 플래시 -Nand (TLC) 2.7V ~ 3.6V 132-TBGA (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 1,000 100MHz 비 비 512gbit 플래시 64g x 8 평행한 -
MT48LC64M8A2P-75 L:C Micron Technology Inc. MT48LC64M8A2P-75 L : C. -
RFQ
ECAD 2607 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC64M8A2 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5.4 ns 음주 64m x 8 평행한 15ns
MT49H8M36SJ-25 IT:B TR Micron Technology Inc. MT49H8M36SJ-25 IT : B TR -
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ECAD 5878 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 144-TFBGA MT49H8M36 음주 1.7V ~ 1.9V 144-FBGA (18.5x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0028 1,000 400MHz 휘발성 휘발성 288mbit 20 ns 음주 8m x 36 평행한 -
M29W320DT70N3E Micron Technology Inc. M29W320DT70N3E -
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ECAD 2098 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) M29W320 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 576 비 비 32mbit 70 ns 플래시 4m x 8, 2m x 16 평행한 70ns
MT45W4MW16PFA-85 WT Micron Technology Inc. MT45W4MW16PFA-85 WT -
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ECAD 8017 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 sic에서 중단되었습니다 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 48-VFBGA MT45W4MW16 psram (의사 sram) 1.7V ~ 1.95V 48-VFBGA (6x8) 다운로드 rohs 비준수가 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 휘발성 휘발성 64mbit 85 ns psram 4m x 16 평행한 85ns
MT40A512M16LY-062E AAT:E TR Micron Technology Inc. MT40A512M16LY-062E AAT : E TR 10.1250
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ECAD 8075 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA MT40A512M16 sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 96-FBGA (7.5x13.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 MT40A512M16LY-062EAAT : ETR 귀 99 8542.32.0036 2,000 1.6GHz 휘발성 휘발성 8gbit 19 ns 음주 512m x 16 평행한 15ns
MT48LC8M8A2P-75 IT:G TR Micron Technology Inc. MT48LC8M8A2P-75 IT : G TR -
RFQ
ECAD 7302 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC8M8A2 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5.4 ns 음주 8m x 8 평행한 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고