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메모리 (10402)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 시계 시계 메모리 메모리 메모리 메모리 액세스 액세스 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
MT41J256M8HX-15E:D Micron Technology Inc. MT41J256M8HX-15E : d -
RFQ
 ECAD 9070 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT41J256M8 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 78-FBGA (9x11.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 667 MHz 휘발성 휘발성 2gbit 13.5 ns 음주 256m x 8 평행한 -
MT29F8T08EULCHD5-QA:C Micron Technology Inc. MT29F8T08EULCHD5-QA : C. 167.8050
RFQ
 ECAD 9004 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 활동적인 - 557-MT29F8T08EULCHD5-QA : C. 1
MT29F128G08CBECBL95B3WC1 Micron Technology Inc. MT29F128G08CBECBL95B3WC1 -
RFQ
 ECAD 2546 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 주사위 MT29F128G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 주사위 - 1 (무제한) 3A991B1A 8542.32.0071 1 비 비 128gbit 플래시 16g x 8 평행한 -
MT47H32M8BP-5E:B TR Micron Technology Inc. MT47H32M8BP-5E : B TR -
RFQ
 ECAD 1174 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 60-FBGA MT47H32M8B sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 60-FBGA (8x12) 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 256mbit 600 ps 음주 32m x 8 평행한 15ns
MT46V128M4TG-5B:F Micron Technology Inc. MT46V128M4TG-5B : f -
RFQ
 ECAD 7763 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V128M4 sdram -ddr 2.5V ~ 2.7V 66-tsop 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 128m x 4 평행한 15ns
MT47H64M8CB-37E IT:B TR Micron Technology Inc. MT47H64M8CB-37E IT : B TR -
RFQ
 ECAD 1173 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 60-FBGA MT47H64M8 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 60-FBGA 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 267 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 500 PS 음주 64m x 8 평행한 15ns
MT29F512G08CUCABH3-12ITZ:A Micron Technology Inc. MT29F512G08CUCABH3-12ITZ : a -
RFQ
 ECAD 1272 0.00000000 Micron Technology Inc. - 튜브 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lbga MT29F512G08 플래시 -Nand (MLC) 2.7V ~ 3.6V 100-lbga (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83MHz 비 비 512gbit 플래시 64g x 8 평행한 -
N25Q128A13EF740F TR Micron Technology Inc. N25Q128A13EF740F TR -
RFQ
 ECAD 5719 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-vdfn d 패드 N25Q128A13 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-vdfpn (6x5) (MLP8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 108 MHz 비 비 128mbit 플래시 32m x 4 SPI 8ms, 5ms
PC48F4400P0TB0EE Micron Technology Inc. PC48F4400P0TB0EE -
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 ECAD 8847 0.00000000 Micron Technology Inc. Axcell ™ 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 64-lbga PC48F4400 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 64-ESYBGA (10x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 -pc48f4400p0tb0ee 3A991B1A 8542.32.0071 864 52MHz 비 비 512mbit 95 ns 플래시 32m x 16 평행한 95ns
MT46V32M16TG-6T:F Micron Technology Inc. MT46V32M16TG-6T : f -
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 ECAD 3653 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V32M16 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-tsop 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 32m x 16 평행한 15ns
N25Q00AA11GSF40G Micron Technology Inc. N25Q00AA1GSF40G -
RFQ
 ECAD 3822 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) N25Q00AA11 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 16- 형의 행위 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 2266-N25Q00A1GSF40G 쓸모없는 0000.00.0000 1,225 108 MHz 비 비 1gbit 플래시 256m x 4 SPI 8ms, 5ms
MT58V512V32FT-8.5 Micron Technology Inc. MT58V512V32FT-8.5 18.7900
RFQ
 ECAD 67 0.00000000 Micron Technology Inc. SyncBurst ™ 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp sram- 표준 2.375V ~ 2.625V 100-TQFP (14x20.1) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1 휘발성 휘발성 18mbit SRAM 512k x 32 평행한 -
MT58L256L36PS-7.5TR Micron Technology Inc. MT58L256L36PS-7.5TR 18.9400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Micron Technology Inc. SyncBurst ™ 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp sram- 표준 3.135V ~ 3.6V 100-TQFP (14x20.1) 다운로드 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz 휘발성 휘발성 8mbit 4 ns SRAM 256k x 36 평행한 -
PC48F4400P0TB0EA Micron Technology Inc. PC48F4400P0TB0EA -
RFQ
 ECAD 5042 0.00000000 Micron Technology Inc. Axcell ™ 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 64-lbga PC48F4400 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 64-ESYBGA (10x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0051 144 52MHz 비 비 512mbit 95 ns 플래시 32m x 16 평행한 95ns
MT53B384M64D4NK-053 WT ES:B TR Micron Technology Inc. MT53B384M64D4NK-053 WT ES : B TR -
RFQ
 ECAD 3996 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 366-WFBGA MT53B384 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 366-WFBGA (15x15) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 1.866 GHz 휘발성 휘발성 24gbit 음주 384m x 64 - -
MT53B256M32D1NP-062 AIT:C TR Micron Technology Inc. MT53B256M32D1NP-062 AIT : C TR -
RFQ
 ECAD 3332 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 200-WFBGA MT53B256 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 1.6GHz 휘발성 휘발성 8gbit 음주 256m x 32 - -
MT41K512M16VRP-107 AIT:P TR Micron Technology Inc. MT41K512M16VRP-107 AIT : P TR 16.7550
RFQ
 ECAD 6868 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA MT41K512M16 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (8x14) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 557-MT41K512M16VRP-107AIT : PTR 2,000 933 MHz 휘발성 휘발성 8gbit 20 ns 음주 512m x 16 평행한 15ns
M29W160ET7AN6E Micron Technology Inc. M29W160ET7AN6E -
RFQ
 ECAD 1450 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) M29W160 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 96 비 비 16mbit 70 ns 플래시 2m x 8, 1m x 16 평행한 70ns
MTFC4GACAJCN-1M WT-TR Micron Technology Inc. mtfc4gacajcn-1m wt-tr -
RFQ
 ECAD 6275 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -25 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 153-VFBGA MTFC4 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 153-VFBGA (11.5x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 32gbit 플래시 4G X 8 MMC -
MT29AZ5A5CMGWD-18AIT.87C TR Micron Technology Inc. MT29AZ5A5CMGWD-18AIT.87C TR -
RFQ
 ECAD 9162 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 MT29AZ5 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 1,000
M58LT256KSB7ZA6E Micron Technology Inc. M58LT256KSB7ZA6E -
RFQ
 ECAD 4748 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-TBGA M58LT256 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 64-TBGA (10x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 136 52MHz 비 비 256mbit 70 ns 플래시 16m x 16 평행한 70ns
RC28F128J3D75B TR Micron Technology Inc. RC28F128J3D75B TR -
RFQ
 ECAD 1124 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-TBGA RC28F128 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 64-ESYBGA (10x13) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 비 비 128mbit 75 ns 플래시 16m x 8, 8m x 16 평행한 75ns
MT45W2MW16BAFB-856 WT Micron Technology Inc. MT45W2MW16BAFB-856 WT -
RFQ
 ECAD 7330 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 sic에서 중단되었습니다 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 54-VFBGA MT45W2MW16 psram (의사 sram) 1.7V ~ 1.95V 54-VFBGA (6x9) 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 휘발성 휘발성 32mbit 85 ns psram 2m x 16 평행한 85ns
MTFC8GACAEAM-1M WT Micron Technology Inc. MTFC8GACAEAM-1M WT -
RFQ
 ECAD 3956 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 대부분 쓸모없는 -25 ° C ~ 85 ° C (TA) MTFC8 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 64gbit 플래시 8g x 8 MMC -
M29W320DB7AN6F TR Micron Technology Inc. M29W320DB7AN6F TR -
RFQ
 ECAD 6826 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) M29W320 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,500 비 비 32mbit 70 ns 플래시 4m x 8, 2m x 16 평행한 70ns
MT28F128J3RP-12 ET Micron Technology Inc. MT28F128J3RP-12 ET -
RFQ
 ECAD 8727 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT28F128J3 플래시 2.7V ~ 3.6V 56-tsop 다운로드 Rohs3 준수 4 (72 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 128mbit 120 ns 플래시 16m x 8, 8m x 16 평행한 -
MT25QL128ABA8E12-1SIT TR Micron Technology Inc. MT25QL128ABA8E12-1SIT TR -
RFQ
 ECAD 8521 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA MT25QL128 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 24-T-PBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 133 MHz 비 비 128mbit 플래시 16m x 8 SPI 8ms, 2.8ms
MT40A256M16Z90BWC1 Micron Technology Inc. MT40A256M16Z90BWC1 -
RFQ
 ECAD 1069 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 MT40A256 - 쓸모없는 1
MT29F1G08ABAEAH4-IT:E TR Micron Technology Inc. MT29F1G08ABAEAH4-IT : E TR -
RFQ
 ECAD 5399 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA MT29F1G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 63-VFBGA (9x11) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 1gbit 플래시 128m x 8 평행한 -
MT48H32M16LFCJ-75 L IT:A TR Micron Technology Inc. MT48H32M16LFCJ-75 L IT : A TR -
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 ECAD 8492 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-VFBGA MT48H32M16 sdram- 모바일 lpsdr 1.7V ~ 1.95V 54-VFBGA (10x11.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 6 ns 음주 32m x 16 평행한 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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