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메모리 (10402)

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MT25QU256ABA1EW7-0SIT TR Micron Technology Inc. MT25QU256ABA1EW7-0SIT TR 4.3200
RFQ
 ECAD 3328 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 MT25QU256 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 8-wpdfn (6x5) (MLP8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 133 MHz 비 비 256mbit 플래시 32m x 8 SPI 8ms, 2.8ms
PC28F256P30TFA Micron Technology Inc. PC28F256P30TFA -
RFQ
 ECAD 7802 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-TBGA PC28F256 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 64-ESYBGA (10x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 864 52MHz 비 비 256mbit 100 ns 플래시 16m x 16 평행한 100ns
MT29RZ1CVCZZHGTN-18 I.85H TR Micron Technology Inc. MT29RZ1CVCZZHGTN-18 I.85H TR -
RFQ
 ECAD 4639 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 121-WFBGA MT29RZ1CV 플래시 -nand, dram -lpddr2 1.8V 121-VFBGA (8x7.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 533 MHz 비 비, 휘발성 1GBIT (NAND), 512MBIT (LPDDR2) 플래시, 램 128m x 8 (NAND), 32M X 16 (LPDDR2) 평행한 -
MT48LC16M16A2P-7E:G TR Micron Technology Inc. MT48LC16M16A2P-7E : G TR -
RFQ
 ECAD 9791 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC16M16A2 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 16m x 16 평행한 14ns
MT48V4M32LFF5-10 IT:G Micron Technology Inc. MT48V4M32LFF5-10 IT : g -
RFQ
 ECAD 4840 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-VFBGA MT48V4M32 sdram- 모바일 lpsdr 2.3V ~ 2.7V 90-VFBGA (8x13) 다운로드 rohs 비준수가 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 100MHz 휘발성 휘발성 128mbit 7 ns 음주 4m x 32 평행한 15ns
MT53D8D1ASQ-DC TR Micron Technology Inc. MT53D8D1ASQ-DC TR -
RFQ
 ECAD 8359 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 MT53d8 - 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 2,000
MT48LC16M16A2BG-75 IT:D Micron Technology Inc. MT48LC16M16A2BG-75 IT : d -
RFQ
 ECAD 6523 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-VFBGA MT48LC16M16A2 sdram 3V ~ 3.6V 54-VFBGA (8x14) 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 16m x 16 평행한 15ns
MT49H16M36BM-33:B Micron Technology Inc. MT49H16M36BM-33 : b -
RFQ
 ECAD 2436 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 144-TFBGA MT49H16M36 음주 1.7V ~ 1.9V 144-µBGA (18.5x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 300MHz 휘발성 휘발성 576mbit 20 ns 음주 16m x 36 평행한 -
MT40A2G4SA-075:E TR Micron Technology Inc. MT40A2G4SA-075 : E TR 10.1850
RFQ
 ECAD 1375 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT40A2G4 sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (7.5x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 1.33 GHz 휘발성 휘발성 8gbit 음주 2G X 4 평행한 -
M25P20-VMN3TPB TR Micron Technology Inc. M25P20-VMN3TPB TR -
RFQ
 ECAD 9131 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) M25P20 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 2,500 75MHz 비 비 2mbit 플래시 256k x 8 SPI 15ms, 5ms
N25Q512A81GSF40G Micron Technology Inc. N25Q512A81GSF40G -
RFQ
 ECAD 5994 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) N25Q512A81 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 16- 형의 행위 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,225 108 MHz 비 비 512mbit 플래시 128m x 4 SPI 8ms, 5ms
MT29F16G08CBACAWP-IT:C Micron Technology Inc. MT29F16G08CBACAWP-IT : c -
RFQ
 ECAD 8607 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F16G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 16gbit 플래시 2G X 8 평행한 -
M25P10-AVMP6T TR Micron Technology Inc. M25P10-AVMP6T TR -
RFQ
 ECAD 6852 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-vdfn d 패드 M25P10 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 8-VFQFPN (6x5) 다운로드 rohs 비준수가 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 4,000 50MHz 비 비 1mbit 플래시 128k x 8 SPI 15ms, 5ms
MT25QU256ABA8E12-1SIT Micron Technology Inc. MT25QU256ABA8E12-1SIT 6.2400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA MT25QU256 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 24-T-PBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 133 MHz 비 비 256mbit 플래시 32m x 8 SPI 8ms, 2.8ms
MT46V32M16TG-6T IT:F Micron Technology Inc. MT46V32M16TG-6T IT : f -
RFQ
 ECAD 5987 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V32M16 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-tsop 다운로드 rohs 비준수가 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 32m x 16 평행한 15ns
MT46V32M8P-6TL:GTR Micron Technology Inc. MT46V32M8P-6TL : GTR -
RFQ
 ECAD 6431 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V32M8 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 700 PS 음주 32m x 8 평행한 15ns
M58LR256KB70ZC5E Micron Technology Inc. M58LR256KB70ZC5E -
RFQ
 ECAD 3027 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -30 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 79-VFBGA M58LR256 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 79-VFBGA (9x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,740 66MHz 비 비 256mbit 70 ns 플래시 16m x 16 평행한 70ns
MT25QU128ABA8E14-0SIT TR Micron Technology Inc. MT25QU128ABA8E14-0SIT TR -
RFQ
 ECAD 9997 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA MT25QU128 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 24-T-PBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 133 MHz 비 비 128mbit 플래시 16m x 8 SPI 8ms, 2.8ms
MT53B4DAPV-DC Micron Technology Inc. MT53B4DAPV-DC -
RFQ
 ECAD 6064 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 - - MT53B4 sdram- 모바일 lpddr4 - - 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 840 휘발성 휘발성 음주
MT47H32M16HW-25E IT:G Micron Technology Inc. MT47H32M16HW-25E IT : g -
RFQ
 ECAD 9877 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 84-TFBGA MT47H32M16 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-FBGA (8x12.5) 다운로드 rohs 비준수가 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0028 1,000 400MHz 휘발성 휘발성 512mbit 400 PS 음주 32m x 16 평행한 15ns
MT48LC4M16A2P-7E IT:J Micron Technology Inc. MT48LC4M16A2P-7E IT : J. -
RFQ
 ECAD 9894 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC4M16A2 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,080 133 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5.4 ns 음주 4m x 16 평행한 14ns
MT29F16G08ABCBBH1-12AIT:B TR Micron Technology Inc. MT29F16G08ABCBBH1-12AIT : B TR 28.6800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-VBGA MT29F16G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 100-VBGA (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83MHz 비 비 16gbit 플래시 2G X 8 평행한 -
MT46V32M16P-6T:C TR Micron Technology Inc. MT46V32M16P-6T : C TR -
RFQ
 ECAD 1490 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V32M16 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-tsop - Rohs3 준수 4 (72 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 32m x 16 평행한 15ns
PF48F4000P0ZTQEJ Micron Technology Inc. PF48F4000P0ZTQEJ -
RFQ
 ECAD 1494 0.00000000 Micron Technology Inc. Axcell ™ 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 88-VFBGA, CSPBGA 48F4000p0 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 88-SCSP (8x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,056 52MHz 비 비 256mbit 100 ns 플래시 16m x 16 평행한 100ns
MT28F320J3RG-11 GMET Micron Technology Inc. MT28F320J3RG-11 GMET -
RFQ
 ECAD 9132 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT28F320J3 플래시 2.7V ~ 3.6V 56-tsop 다운로드 rohs 비준수가 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 32mbit 110 ns 플래시 4m x 8, 2m x 16 평행한 -
MT29F64G08AFAAAWP-IT:A Micron Technology Inc. MT29F64G08AFAAAWP-IT : a -
RFQ
 ECAD 4356 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F64G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 64gbit 플래시 8g x 8 평행한 -
MT41K512M8RH-125 V:E Micron Technology Inc. MT41K512M8RH-125 V : e -
RFQ
 ECAD 7445 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT41K512M8 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (9x10.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0036 1,260 800MHz 휘발성 휘발성 4gbit 13.75 ns 음주 512m x 8 평행한 -
MT41K512M8RG-107:N Micron Technology Inc. MT41K512M8RG-107 : n -
RFQ
 ECAD 3427 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT41K512M8 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (7.5x10.6) - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,260 933 MHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 512m x 8 평행한 -
MT48V8M16LFB4-8:G TR Micron Technology Inc. MT48V8M16LFB4-8 : G TR -
RFQ
 ECAD 6285 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-VFBGA MT48V8M16 sdram- 모바일 lpsdr 2.3V ~ 2.7V 54-VFBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 125MHz 휘발성 휘발성 128mbit 7 ns 음주 8m x 16 평행한 15ns
MT29F2T08CUHBBM4-3RES:B TR Micron Technology Inc. MT29F2T08CUHBBM4-3RES : B TR -
RFQ
 ECAD 7836 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) - - MT29F2T08 플래시 - NAND 2.5V ~ 3.6V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 333 MHz 비 비 2tbit 플래시 256g x 8 평행한 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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