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메모리 (10402)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	시계 시계	메모리 메모리	메모리 메모리	액세스 액세스	메모리 메모리	메모리 메모리	메모리 메모리	쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
M29DW256G7ANF6F TR	-	RFQ	1189	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	M29DW256	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	56-tsop	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,200		비 비	256mbit	70 ns	플래시	16m x 16	평행한	70ns
MT29F4G16ABADAM60A3WC1	-	RFQ	8778	Micron Technology Inc.	-	대부분	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	주사위	MT29F4G16	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	주사위	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)			3A991B1A	8542.32.0071	1		비 비	4gbit		플래시	256m x 16	평행한	-
MT29F4G16BABWP TR	-	RFQ	2154	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	MT29F4G16	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	48-tsop i	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		비 비	4gbit		플래시	256m x 16	평행한	-
MT53B1G64D8NW-062 WT : d	-	RFQ	3748	Micron Technology Inc.	-	대부분	쓸모없는	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)			MT53B1G64	sdram- 모바일 lpddr4	1.1V		-		1 (무제한)			쓸모없는	0000.00.0000	1,190	1.6GHz	휘발성 휘발성	64gbit		음주	1G X 64	-	-
MT29F1T08GBLCEJ4-M : C.	19.5450	RFQ	8247	Micron Technology Inc.	-	상자	활동적인								-				557-MT29F1T08GBLCEJ4-M : C.			1
MT41K256MA-125 M : E TR	-	RFQ	4598	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	96-TFBGA	MT41K256M16	sdram -ddr3l	1.283V ~ 1.45V	96-FBGA (9x14)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0036	1,000	800MHz	휘발성 휘발성	4gbit	13.75 ns	음주	256m x 16	평행한	-
MT46V16M16P-6T IT : F TR	-	RFQ	4952	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비)	MT46V16M16	sdram -ddr	2.3V ~ 2.7V	66-tsop	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0024	1,000	167 MHz	휘발성 휘발성	256mbit	700 PS	음주	16m x 16	평행한	15ns
MT49H16M18FM-25 TR	-	RFQ	1011	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	144-TFBGA	MT49H16M18	음주	1.7V ~ 1.9V	144-µBGA (18.5x11)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B2A	8542.32.0036	1,000	400MHz	휘발성 휘발성	288mbit	20 ns	음주	16m x 18	평행한	-
MT52L256M64D2LZ-107 XT : b	-	RFQ	9662	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-30 ° C ~ 105 ° C (TC)	표면 표면	216-WFBGA	MT52L256	sdram- 모바일 lpddr3	1.2V	216-FBGA (12x12)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0036	1,680	933 MHz	휘발성 휘발성	16gbit		음주	256m x 64	-	-
M25P80-VMN6PBA	-	RFQ	6287	Micron Technology Inc.	-	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	M25P80	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	도 8-	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0071	2,000	75MHz	비 비	8mbit		플래시	1m x 8	SPI	15ms, 5ms
MT62F4G32D8DV-023 IT : b	99.5250	RFQ	5404	Micron Technology Inc.	-	상자	활동적인	-40 ° C ~ 95 ° C	-	-		sdram- 모바일 lpddr5	-	-	-				557-MT62F4G32D8DV-023IT : b			1	4.266 GHz	휘발성 휘발성	128gbit		음주	4G X 32	평행한	-
MT29F4T08CTHBBM5-3C : BTR	-	RFQ	6662	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	-	-	MT29F4T08	플래시 - NAND	2.5V ~ 3.6V	-	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지			0000.00.0000	1,000	333 MHz	비 비	4tbit		플래시	512g x 8	평행한	-
MT46V32M16P-5B : f	-	RFQ	9870	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비)	MT46V32M16	sdram -ddr	2.5V ~ 2.7V	66-tsop	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0024	1,000	200MHz	휘발성 휘발성	512mbit	700 PS	음주	32m x 16	평행한	15ns
EDF8132A3MA-GD-FR TR	-	RFQ	3184	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	-	-	EDF8132	sdram- 모바일 lpddr3	1.14V ~ 1.95V	-	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)			쓸모없는	0000.00.0000	2,000	800MHz	휘발성 휘발성	8gbit		음주	256m x 32	평행한	-
M29W256GSH70ZS6F TR	-	RFQ	3075	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	64-lbga	M29W256	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	64-FBGA (11x13)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,800		비 비	256mbit	70 ns	플래시	32m x 8, 16m x 16	평행한	70ns
PC28F512P30EFB	-	RFQ	8026	Micron Technology Inc.	Axcell ™	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	64-TBGA	PC28F512	플래시 - 아니오	1.7V ~ 2V	64-ESYBGA (10x13)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,800		비 비	512mbit	100 ns	플래시	32m x 16	평행한	100ns
MT49H32M18CBM-25 IT : B TR	-	RFQ	4223	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	144-TFBGA	MT49H32M18	음주	1.7V ~ 1.9V	144-µBGA (18.5x11)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)			3A991B2A	8542.32.0028	1,000	400MHz	휘발성 휘발성	576mbit	20 ns	음주	32m x 18	평행한	-
MT53B4DBEZ-DC TR	-	RFQ	4743	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-	-	MT53B4	sdram- 모바일 lpddr4		-	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)			쓸모없는	0000.00.0000	1,000		휘발성 휘발성			음주
MT48LC8M16LFF4-8 XT : g	-	RFQ	4663	Micron Technology Inc.	-	상자	sic에서 중단되었습니다	-20 ° C ~ 75 ° C (TA)	표면 표면	54-VFBGA	MT48LC8M16	sdram- 모바일 lpsdr	3V ~ 3.6V	54-VFBGA (8x8)	다운로드	rohs 비준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0002	1,000	125MHz	휘발성 휘발성	128mbit	7 ns	음주	8m x 16	평행한	15ns
MT46V32M16FN-6 IT : f	-	RFQ	2642	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	60-TFBGA	MT46V32M16	sdram -ddr	2.3V ~ 2.7V	60-FBGA (10x12.5)	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0024	1,000	167 MHz	휘발성 휘발성	512mbit	700 PS	음주	32m x 16	평행한	15ns
MT29F2G01ABAGDSF-IT : g	-	RFQ	5392	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)	MT29F2G01	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	16- 형의 행위	-			영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,440		비 비	2gbit		플래시	2G x 1	SPI	-
M45PE10-VMP6TG TR	-	RFQ	2485	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	8-vdfn d 패드	M45PE10	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	8-vdfpn (6x5) (MLP8)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0071	4,000	75MHz	비 비	1mbit		플래시	128k x 8	SPI	3ms
MT53D4DBNW-DC	-	RFQ	1384	Micron Technology Inc.	*	대부분	활동적인				MT53D4				-			영향을받지 영향을받지			0000.00.0000	1
MT48LC8M16LFTG-75M : G TR	-	RFQ	8046	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비)	MT48LC8M16	sdram- 모바일 lpsdr	3V ~ 3.6V	54-TSOP II	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0002	1,000	133 MHz	휘발성 휘발성	128mbit	5.4 ns	음주	8m x 16	평행한	15ns
MT52L512M32D2PF-093 WT : B TR	-	RFQ	5448	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	표면 표면	178-VFBGA	MT52L512	sdram- 모바일 lpddr3	1.2V	178-FBGA (11.5x11)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0036	1,000	1067 MHz	휘발성 휘발성	16gbit		음주	512m x 32	-	-
MT53D256M64D4KA-046 XT : ES B TR	-	RFQ	1681	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-30 ° C ~ 105 ° C (TC)	-	-	MT53D256	sdram- 모바일 lpddr4	1.1V	-	-		1 (무제한)			귀 99	8542.32.0036	2,000	2.133 GHz	휘발성 휘발성	16gbit		음주	256m x 64	-	-
MT48LC4M32B2B5-6 : G TR	-	RFQ	7340	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	90-VFBGA	MT48LC4M32B2	sdram	3V ~ 3.6V	90-VFBGA (8x13)	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0002	1,000	167 MHz	휘발성 휘발성	128mbit	5.5 ns	음주	4m x 32	평행한	12ns
MT29F2T08ELCHD4-QC : C TR	41.9550	RFQ	4674	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인								-				557-MT29F2T08ELCHD4-QC : CTR			2,000
PC28F320J3D75D TR	-	RFQ	3157	Micron Technology Inc.	Strataflash ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	64-TBGA	PC28F320	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	64-ESYBGA (10x13)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	2,000		비 비	32mbit	75 ns	플래시	4m x 8, 2m x 16	평행한	75ns
MT25QU256ABA1EW7-0SIT TR	4.3200	RFQ	3328	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	8-wdfn n 패드	MT25QU256	플래시 - 아니오	1.7V ~ 2V	8-wpdfn (6x5) (MLP8)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	4,000	133 MHz	비 비	256mbit		플래시	32m x 8	SPI	8ms, 2.8ms

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

메모리 (10402)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²