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메모리 (10402)

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MT28HL04GABB1EPG-0GCT Micron Technology Inc. MT28HL04GABB1EPG-0GCT 15.0000
RFQ
 ECAD 5927 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 활동적인 MT28HL04 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 960
MT29F4G08ABADAWP-AITX:D TR Micron Technology Inc. MT29F4G08ABADAWP-AITX : D TR 5.1251
RFQ
 ECAD 4720 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F4G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 4gbit 플래시 512m x 8 평행한 -
MT46H32M16LFBF-6 AIT:C Micron Technology Inc. MT46H32M16LFBF-6 AIT : c -
RFQ
 ECAD 8900 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 60-VFBGA MT46H32M16 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 60-VFBGA (8x9) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 166 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5 ns 음주 32m x 16 평행한 15ns
MT48LC4M32B2P-6A IT:L Micron Technology Inc. MT48LC4M32B2P-6A IT : l -
RFQ
 ECAD 5799 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 86-TFSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC4M32B2 sdram 3V ~ 3.6V 86-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,080 167 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.4 ns 음주 4m x 32 평행한 12ns
MT41K256M4JP-15E:G Micron Technology Inc. MT41K256M4JP-15E : g -
RFQ
 ECAD 1420 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT41K256M4 sdram -ddr3 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (8x11.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 1,000 667 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 13.5 ns 음주 256m x 4 평행한 -
MT48LC8M16A2P-6A IT:G Micron Technology Inc. MT48LC8M16A2P-6A IT : g -
RFQ
 ECAD 4140 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC8M16A2 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 167 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.4 ns 음주 8m x 16 평행한 12ns
EDB5432BEPA-1DIT-F-D Micron Technology Inc. EDB5432BEPA-1DIT-FD -
RFQ
 ECAD 5190 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 168-WFBGA EDB5432 sdram- 모바일 lpddr2 1.14V ~ 1.95V 168-WFBGA (12x12) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 1,680 533 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 음주 16m x 32 평행한 -
N25Q128A13ESEC0F TR Micron Technology Inc. N25Q128A13ESEC0F TR -
RFQ
 ECAD 6147 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) N25Q128A13 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-SOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,500 108 MHz 비 비 128mbit 플래시 32m x 4 SPI 8ms, 5ms
MT41K256M16LY-107:N Micron Technology Inc. MT41K256M16LY-107 : n -
RFQ
 ECAD 6335 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA MT41K256M16 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (7.5x13.5) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,080 933 MHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 256m x 16 평행한 -
MT52L256M64D2FT-107 WT:B Micron Technology Inc. MT52L256M64D2FT-107 WT : b 31.9800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 활동적인 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) MT52L256 sdram- 모바일 lpddr3 1.2V - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,190 933 MHz 휘발성 휘발성 16gbit 음주 256m x 64 - -
MT28F004B5VG-8 BET Micron Technology Inc. MT28F004B5VG-8 BET -
RFQ
 ECAD 7280 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 40-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT28F004B5 플래시 - 아니오 4.5V ~ 5.5V 40-tsop i 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 1,000 비 비 4mbit 80 ns 플래시 512k x 8 평행한 80ns
PC28F512P30EF0 Micron Technology Inc. PC28F512P30EF0 -
RFQ
 ECAD 9478 0.00000000 Micron Technology Inc. Axcell ™ 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-TBGA PC28F512 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 64-EASYBGA (8x10) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 184 52MHz 비 비 512mbit 100 ns 플래시 32m x 16 평행한 100ns
MT53B512M32D2NP-062 AAT:C TR Micron Technology Inc. MT53B512M32D2NP-062 AAT : C TR -
RFQ
 ECAD 3809 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 200-WFBGA MT53B512 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) MT53B512M32D2NP-062AAT : CTR 귀 99 8542.32.0036 1,000 1.6GHz 휘발성 휘발성 16gbit 음주 512m x 32 - -
MT47H32M16CC-5E IT:B Micron Technology Inc. MT47H32M16CC-5E IT : b -
RFQ
 ECAD 5355 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 84-TFBGA MT47H32M16 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-FBGA (12x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 512mbit 600 ps 음주 32m x 16 평행한 15ns
MT48LC4M16A2P-6A AIT:J TR Micron Technology Inc. MT48LC4M16A2P-6A AIT : J TR -
RFQ
 ECAD 4951 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC4M16A2 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 2,000 167 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5.4 ns 음주 4m x 16 평행한 12ns
MT29F1HT08ELHBBG1-3R:B TR Micron Technology Inc. MT29F1HT08ELHBBG1-3R : B TR -
RFQ
 ECAD 7620 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 272-VFBGA MT29F1HT08 플래시 - NAND 2.5V ~ 3.6V 272-VBGA (14x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 333 MHz 비 비 1.5tbit 플래시 192g x 8 평행한 -
MT29F512G08CMCCBH7-6R:C TR Micron Technology Inc. MT29F512G08CMCCBH7-6R : C TR -
RFQ
 ECAD 7801 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 152-TBGA MT29F512G08 플래시 -Nand (MLC) 2.7V ~ 3.6V 152-TBGA (14x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 166 MHz 비 비 512gbit 플래시 64g x 8 평행한 -
EDFP112A3PB-GD-F-R TR Micron Technology Inc. EDFP112A3PB-GD-FR TR -
RFQ
 ECAD 1127 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TA) - - EDFP112 sdram- 모바일 lpddr3 1.14V ~ 1.95V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1 800MHz 휘발성 휘발성 24gbit 음주 192m x 128 평행한 -
MT53D8D1BSQ-DC TR Micron Technology Inc. MT53D8D1BSQ-DC TR -
RFQ
 ECAD 4678 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 MT53d8 - 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 2,000
MT48LC32M8A2P-6A:D TR Micron Technology Inc. MT48LC32M8A2P-6A : D TR -
RFQ
 ECAD 5803 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC32M8A2 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 32m x 8 평행한 12ns
MT41K512M8DA-93:P Micron Technology Inc. MT41K512M8DA-93 : p -
RFQ
 ECAD 8040 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT41K512M8 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (8x10.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 1,260 1.066 GHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 512m x 8 평행한 -
MT53B768M64D8WF-062 WT:D Micron Technology Inc. MT53B768M64D8WF-062 WT : d -
RFQ
 ECAD 7467 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - MT53B768 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,190 1.6GHz 휘발성 휘발성 48gbit 음주 768m x 64 - -
MT53D384M32D2DS-046 AAT:E TR Micron Technology Inc. MT53D384M32D2DS-046 AAT : E TR -
RFQ
 ECAD 3703 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 200-WFBGA MT53D384 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 2.133 GHz 휘발성 휘발성 12gbit 음주 384m x 32 - -
N25Q064A11ESE40E Micron Technology Inc. N25Q064A11ESE40E -
RFQ
 ECAD 8897 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) N25Q064A11 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 도 8- - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,800 108 MHz 비 비 64mbit 플래시 16m x 4 SPI 8ms, 5ms
MT49H16M18FM-33 TR Micron Technology Inc. MT49H16M18FM-33 TR -
RFQ
 ECAD 7023 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 144-TFBGA MT49H16M18 음주 1.7V ~ 1.9V 144-µBGA (18.5x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0036 1,000 300MHz 휘발성 휘발성 288mbit 20 ns 음주 16m x 18 평행한 -
MT28F008B5VG-8 B Micron Technology Inc. MT28F008B5VG-8 b -
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 ECAD 8677 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 40-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT28F008B5 플래시 - 아니오 4.5V ~ 5.5V 40-tsop i 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 1,000 비 비 8mbit 80 ns 플래시 1m x 8 평행한 80ns
N25Q032A11EF440E Micron Technology Inc. N25Q032A11EF440E -
RFQ
 ECAD 3294 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-udfn n 패드 N25Q032A11 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 8-UFDFPN (MLP8) (4x3) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 2,940 108 MHz 비 비 32mbit 플래시 8m x 4 SPI 8ms, 5ms
MT46V32M16BN-6 IT:F Micron Technology Inc. MT46V32M16BN-6 IT : f -
RFQ
 ECAD 2392 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA MT46V32M16 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 60-FBGA (10x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 32m x 16 평행한 15ns
MT46V64M4BG-5B:GTR Micron Technology Inc. MT46V64M4BG-5B : GTR -
RFQ
 ECAD 7880 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 60-FBGA MT46V64M4 sdram -ddr 2.5V ~ 2.7V 60-FBGA (8x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 256mbit 700 PS 음주 64m x 4 평행한 15ns
MT28EW256ABA1HPC-1SIT TR Micron Technology Inc. MT28ew256ABA1HPC-1SIT TR -
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 ECAD 8463 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-lbga MT28ew256 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 64-lbga (11x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,600 비 비 256mbit 75 ns 플래시 32m x 8, 16m x 16 평행한 60ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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