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메모리 (10402)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	ECCN	HTSUS	표준 표준	시계 시계	메모리 메모리	메모리 메모리	액세스 액세스	메모리 메모리	메모리 메모리	메모리 메모리	쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지	sic 프로그램 가능
MTFC2GMTEA-WT	-	RFQ	7340	Micron Technology Inc.	E • MMC ™	쟁반	쓸모없는	-25 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	153-WFBGA	mtfc2g	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	153-WFBGA (11.5x13)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	3A991B1A	8542.32.0071	1,000		비 비	16gbit		플래시	2G X 8	MMC	-
JS28F00AP33EF0	-	RFQ	5034	Micron Technology Inc.	-	쟁반	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	JS28F00AP33	플래시 - 아니오	2.3V ~ 3.6V	56-tsop	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	3A991B1A	8542.32.0051	96	40MHz	비 비	1gbit	105 ns	플래시	64m x 16	평행한	105ns
N25Q128A13ESEC0F TR	-	RFQ	6147	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비)	N25Q128A13	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	8-SOP2	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	3A991B1A	8542.32.0071	1,500	108 MHz	비 비	128mbit		플래시	32m x 4	SPI	8ms, 5ms
MT28HL04GABB1EPG-0GCT	15.0000	RFQ	5927	Micron Technology Inc.	-	대부분	활동적인				MT28HL04				-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		0000.00.0000	960
MT29F4G08ABADAWP-AITX : D TR	5.1251	RFQ	4720	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	MT29F4G08	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	48-tsop i	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	3A991B1A	8542.32.0071	1,000		비 비	4gbit		플래시	512m x 8	평행한	-
MT48LC8M16A2P-6A IT : g	-	RFQ	4140	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비)	MT48LC8M16A2	sdram	3V ~ 3.6V	54-TSOP II	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.32.0002	1,000	167 MHz	휘발성 휘발성	128mbit	5.4 ns	음주	8m x 16	평행한	12ns
MT28F008B3VG-9 T	-	RFQ	9056	Micron Technology Inc.	-	대부분	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	40-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	MT28F008B3	플래시 - 아니오	3V ~ 3.6V	40-tsop i	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.32.0071	1,000		비 비	8mbit	90 ns	플래시	1m x 8	평행한	90ns
MT48LC4M32B2B5-7 : g	-	RFQ	7782	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	90-VFBGA	MT48LC4M32B2	sdram	3V ~ 3.6V	90-VFBGA (8x13)	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.32.0002	1,000	143 MHz	휘발성 휘발성	128mbit	5.5 ns	음주	4m x 32	평행한	14ns
MT48LC2M32B2P-7 IT : G TR	-	RFQ	5720	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	86-TFSOP (0.400 ", 10.16mm 너비)	MT48LC2M32B2	sdram	3V ~ 3.6V	86-TSOP II	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.32.0002	1,000	143 MHz	휘발성 휘발성	64mbit	5.5 ns	음주	2m x 32	평행한	14ns
MT28ew256ABA1HPC-1SIT TR	-	RFQ	8463	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	64-lbga	MT28ew256	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	64-lbga (11x13)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)		3A991B1A	8542.32.0071	1,600		비 비	256mbit	75 ns	플래시	32m x 8, 16m x 16	평행한	60ns
MT29C8G96MAAFBACKD-5 WT	-	RFQ	2136	Micron Technology Inc.	-	대부분	쓸모없는	-25 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	-	MT29C8G96	플래시 -Nand, n lpdram	1.7V ~ 1.95V	-	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	200MHz	비 비, 휘발성	8GBIT (NAND), 4GBIT (LPDRAM)		플래시, 램	512m x 16 (NAND), 128m x 32 (lpdram)	평행한	-
MT46H32M16LFBF-6 AIT : c	-	RFQ	8900	Micron Technology Inc.	자동차, AEC-Q100	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	60-VFBGA	MT46H32M16	sdram- 모바일 lpddr	1.7V ~ 1.95V	60-VFBGA (8x9)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.32.0036	1,000	166 MHz	휘발성 휘발성	512mbit	5 ns	음주	32m x 16	평행한	15ns
MT41K256M4JP-15E : g	-	RFQ	1420	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	78-TFBGA	MT41K256M4	sdram -ddr3	1.283V ~ 1.45V	78-FBGA (8x11.5)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.32.0032	1,000	667 MHz	휘발성 휘발성	1gbit	13.5 ns	음주	256m x 4	평행한	-
MT47H32M16CC-5E IT : b	-	RFQ	5355	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	84-TFBGA	MT47H32M16	sdram -ddr2	1.7V ~ 1.9V	84-FBGA (12x12.5)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.32.0024	1,000	200MHz	휘발성 휘발성	512mbit	600 ps	음주	32m x 16	평행한	15ns
MT48LC32M4A2TG-75 L : G TR	-	RFQ	8364	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비)	MT48LC32M4A2	sdram	3V ~ 3.6V	54-TSOP II	다운로드	rohs 비준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.32.0002	1,000	133 MHz	휘발성 휘발성	128mbit	5.4 ns	음주	32m x 4	평행한	15ns
MT58L128L32F1T-7.5TR	4.7200	RFQ	500	Micron Technology Inc.	SyncBurst ™	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	100-lqfp		sram- 표준	3.135V ~ 3.6V	100-TQFP (14x20.1)	다운로드	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	3A991B2A	8542.32.0041	500	113 MHz	휘발성 휘발성	4mbit	7.5 ns	SRAM	128k x 32	평행한	-
MT53B2G32D8QD-062 WT : D TR	-	RFQ	5449	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)			MT53B2G32	sdram- 모바일 lpddr4	1.1V		-		1 (무제한)		쓸모없는	0000.00.0000	2,000	1.6GHz	휘발성 휘발성	64gbit		음주	2G X 32	-	-
MT46V256M4P-6T : A TR	-	RFQ	1304	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비)	MT46V256M4	sdram -ddr	2.3V ~ 2.7V	66-tsop	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.32.0032	1,000	167 MHz	휘발성 휘발성	1gbit	700 PS	음주	256m x 4	평행한	15ns
M25P20-VMN6TP TR	-	RFQ	3233	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	M25P20	플래시 - 아니오	2.3V ~ 3.6V	도 8-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.32.0071	2,500	50MHz	비 비	2mbit		플래시	256k x 8	SPI	15ms, 5ms
MT53D384M64D4NY-046 XT : d	-	RFQ	8976	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-30 ° C ~ 105 ° C (TC)	-	-	MT53D384	sdram- 모바일 lpddr4	1.1V	-	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.32.0036	1,190	2.133 GHz	휘발성 휘발성	24gbit		음주	384m x 64	-	-
MT29F2T08CVCBBG6-6C : b	-	RFQ	2510	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	272-LFBGA	MT29F2T08	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	272-LFBGA (14x18)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)		3A991B1A	8542.32.0071	1	167 MHz	비 비	2tbit		플래시	256g x 8	평행한	-
MT40A1G16KNR-075 : e	20.8542	RFQ	1008	Micron Technology Inc.	-	쟁반	마지막으로 마지막으로	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	96-TFBGA	MT40A1G16	sdram -ddr4	1.14V ~ 1.26V	96-FBGA (7.5x13.5)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.32.0036	100	1.33 GHz	휘발성 휘발성	16gbit	19 ns	음주	1g x 16	평행한	15ns	확인되지 확인되지
MT29TZZZ5D6YKFAH-125 W.96N TR	-	RFQ	8276	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는				MT29TZZZ5				-	Rohs3 준수	3 (168 시간)		쓸모없는	0000.00.0000	1,000
M25P32-VMF6G	-	RFQ	5885	Micron Technology Inc.	-	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)	M25P32	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	16-SOP2	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	3A991B1A	8542.32.0071	1,225	75MHz	비 비	32mbit		플래시	4m x 8	SPI	15ms, 5ms
MT29F256G08CECCBH6-6ITR : c	-	RFQ	6476	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	152-VBGA	MT29F256G08	플래시 -Nand (MLC)	2.7V ~ 3.6V	152-VBGA (14x18)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	3A991B1A	8542.32.0071	980	167 MHz	비 비	256gbit		플래시	32g x 8	평행한	-
MT29F1G16ABBEAHC : E TR	-	RFQ	4140	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	63-VFBGA	MT29F1G16	플래시 - NAND	1.7V ~ 1.95V	63-VFBGA (10.5x13)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	3A991B1A	8542.32.0071	1,000		비 비	1gbit		플래시	64m x 16	평행한	-
MT42L32M16D1AB-3 WT : a	-	RFQ	7757	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	표면 표면	121-WFBGA	MT42L32M16	sdram- 모바일 lpddr2	1.14V ~ 1.95V	121-FBGA (6.5x8)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)		귀 99	8542.32.0036	1,000	333 MHz	휘발성 휘발성	512mbit		음주	32m x 16	평행한	-
M58WR064KT7AZB6F TR	-	RFQ	4502	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	56-VFBGA	M58WR064	플래시 - 아니오	1.7V ~ 2V	56-VFBGA (7.7x9)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	3A991B1A	8542.32.0071	2,500	66MHz	비 비	64mbit	70 ns	플래시	4m x 16	평행한	70ns
MT53D4DACB-DC	-	RFQ	2334	Micron Technology Inc.	-	대부분	쓸모없는		-	-	MT53D4	sdram- 모바일 lpddr4		-	-		1 (무제한)		쓸모없는	0000.00.0000	1,360		휘발성 휘발성			음주
MT35XL256ABA2GSF-0AAT TR	-	RFQ	1077	Micron Technology Inc.	XCCELA ™ -MT35X	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 105 ° C	표면 표면	24-TBGA	MT35XL256	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	24-T-PBGA (6x8)	-		1 (무제한)		쓸모없는	0000.00.0000	1,000	133 MHz	비 비	256mbit		플래시	32m x 8	xccela 버스	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

메모리 (10402)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²