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MT49H16M18FM-33:B TR Micron Technology Inc. MT49H16M18FM-33 : B TR -
RFQ
ECAD 6544 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 144-TFBGA MT49H16M18 음주 1.7V ~ 1.9V 144-µBGA (18.5x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 300MHz 휘발성 휘발성 288mbit 20 ns 음주 16m x 18 평행한 -
MT46V64M8BN-5B:F TR Micron Technology Inc. MT46V64M8BN-5B : F TR -
RFQ
ECAD 7386 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA MT46V64M8 sdram -ddr 2.5V ~ 2.7V 60-FBGA (10x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 64m x 8 평행한 15ns
N25Q064A13ESF42EE01 Micron Technology Inc. N25Q064A13ESF42EE01 -
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ECAD 3494 0.00000000 Micron Technology Inc. - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) N25Q064A13 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 16- 형의 행위 - Rohs3 준수 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 1,400 108 MHz 비 비 64mbit 플래시 16m x 4 SPI 8ms, 5ms
MT44K64M18RB-093F:A TR Micron Technology Inc. MT44K64M18RB-093F : A TR -
RFQ
ECAD 7111 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 168-TBGA MT44K64M18 rldram 3 1.28V ~ 1.42V 168-BGA (13.5x13.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 1.066 GHz 휘발성 휘발성 1.125gbit 7.5 ns 음주 64m x 18 평행한 -
MT46V64M4BG-6:GTR Micron Technology Inc. MT46V64M4BG-6 : GTR -
RFQ
ECAD 8464 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 60-FBGA MT46V64M4 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 60-FBGA (8x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 700 PS 음주 64m x 4 평행한 15ns
MT46H8M16LFBF-6 AT:K Micron Technology Inc. MT46H8M16LFBF-6 AT : k -
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ECAD 7114 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 60-VFBGA MT46H8M16 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 60-VFBGA (8x9) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 166 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5 ns 음주 8m x 16 평행한 15ns 확인되지 확인되지
MT45W4MW16BFB-706 WT Micron Technology Inc. MT45W4MW16BFB-706 WT -
RFQ
ECAD 1480 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 sic에서 중단되었습니다 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 54-VFBGA MT45W4MW16 psram (의사 sram) 1.7V ~ 1.95V 54-VFBGA (6x9) 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 휘발성 휘발성 64mbit 70 ns psram 4m x 16 평행한 70ns
MT48LC64M8A2P-75:C Micron Technology Inc. MT48LC64M8A2P-75 : c -
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ECAD 6902 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC64M8A2 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5.4 ns 음주 64m x 8 평행한 15ns
MT47H128M4B6-3:D TR Micron Technology Inc. MT47H128M4B6-3 : D TR -
RFQ
ECAD 7976 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 60-FBGA MT47H128M4 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 60-FBGA 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0024 1,000 333 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 450 ps 음주 128m x 4 평행한 15ns
MT47H32M8BP-37V:B Micron Technology Inc. MT47H32M8BP-37V : b -
RFQ
ECAD 1380 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 60-FBGA MT47H32M8B sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 60-FBGA (8x12) 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 267 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 500 PS 음주 32m x 8 평행한 15ns
MT29F1G08ABBEAH4-AITX:E TR Micron Technology Inc. MT29F1G08ABBEAH4-AITX : E TR -
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ECAD 9283 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA MT29F1G08 플래시 - NAND 1.7V ~ 1.95V 63-VFBGA (9x11) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 1gbit 플래시 128m x 8 평행한 -
MTFC128GAJAECE-AIT Micron Technology Inc. MTFC128GAJAECE-ait -
RFQ
ECAD 4236 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 169-LFBGA MTFC128 플래시 - NAND - 169-LFBGA (14x18) - 3A991B1A 8542.32.0071 1,520 비 비 1tbit 플래시 128g x 8 MMC -
MT48LC16M16A2TG-7E:D TR Micron Technology Inc. MT48LC16M16A2TG-7E : D TR -
RFQ
ECAD 6430 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC16M16A2 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 16m x 16 평행한 14ns
MT29F32G08CBACAL73A3WC1 Micron Technology Inc. MT29F32G08CBACAL73A3WC1 -
RFQ
ECAD 1287 0.00000000 Micron Technology Inc. - 튜브 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 주사위 MT29F32G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 주사위 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 696 비 비 32gbit 플래시 4G X 8 평행한 -
MT48H16M32L2B5-10 IT Micron Technology Inc. MT48H16M32L2B5-10 IT -
RFQ
ECAD 1831 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-VFBGA MT48H16M32 sdram- 모바일 lpsdr 1.7V ~ 1.9V 90-VFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 100MHz 휘발성 휘발성 512mbit 7.5 ns 음주 16m x 32 평행한 -
TE28F256J3D95B TR Micron Technology Inc. TE28F256J3D95B TR -
RFQ
ECAD 1037 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) 28F256J3 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 56-tsop 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,600 비 비 256mbit 95 ns 플래시 32m x 8, 16m x 16 평행한 95ns
MT42L128M32D1TK-25 AIT:A TR Micron Technology Inc. MT42L128M32D1TK-25 AIT : A TR -
RFQ
ECAD 3613 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -25 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 134-WFBGA MT42L128M32 sdram- 모바일 lpddr2 1.14V ~ 1.3V 134-FBGA (10x11.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0036 1,000 400MHz 휘발성 휘발성 4gbit 음주 128m x 32 평행한 -
MT29F16G08ABCBBH1-12:B TR Micron Technology Inc. MT29F16G08ABCBBH1-12 : B TR -
RFQ
ECAD 7916 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-VBGA MT29F16G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 100-VBGA (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83MHz 비 비 16gbit 플래시 2G X 8 평행한 -
MT57W1MH18JF-5 Micron Technology Inc. MT57W1MH18JF-5 25.3300
RFQ
ECAD 707 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-TBGA SRAM-동기, DDR II 1.7V ~ 1.9V 165-FBGA (13x15) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1 200MHz 휘발성 휘발성 18mbit 450 ps SRAM 1m x 18 HSTL -
MT25TL512HBA8E12-0AAT Micron Technology Inc. MT25TL512HBA8E12-0AAT -
RFQ
ECAD 7366 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA MT25TL512 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 24-T-PBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0051 1,122 133 MHz 비 비 512mbit 플래시 64m x 8 SPI 8ms, 2.8ms
MTFC64GAPAKEA-WT TR Micron Technology Inc. MTFC64GAPAKEA-WT TR -
RFQ
ECAD 7566 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -25 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 153-WFBGA MTFC64 플래시 - NAND - 153-WFBGA (11.5x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 1,000 비 비 512gbit 플래시 64g x 8 MMC -
MT46V256M4P-75:A TR Micron Technology Inc. MT46V256M4P-75 : A TR -
RFQ
ECAD 1252 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V256M4 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 750 ps 음주 256m x 4 평행한 15ns
MT29F32G08ABAAAWP-IT:A TR Micron Technology Inc. MT29F32G08ABAAAWP-IT : A TR -
RFQ
ECAD 5802 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F32G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 32gbit 플래시 4G X 8 평행한 -
PC48F4400P0TB0E4 Micron Technology Inc. PC48F4400P0TB0E4 -
RFQ
ECAD 9519 0.00000000 Micron Technology Inc. Axcell ™ 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 64-lbga PC48F4400 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 64-ESYBGA (10x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0051 144 52MHz 비 비 512mbit 95 ns 플래시 32m x 16 평행한 95ns
MT40A512M8RH-075E:B Micron Technology Inc. MT40A512M8RH-075E : b -
RFQ
ECAD 2674 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT40A512M8 sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (9x10.5) - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,260 1.33 GHz 휘발성 휘발성 4gbit 음주 512m x 8 평행한 -
MT52L4DAPQ-DC TR Micron Technology Inc. MT52L4DAPQ-DC TR -
RFQ
ECAD 1911 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 MT52L4 - 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 1,000
MT48LC8M16A2B4-6A AIT:L TR Micron Technology Inc. MT48LC8M16A2B4-6A AIT : L TR -
RFQ
ECAD 3472 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-VFBGA MT48LC8M16A2 sdram 3V ~ 3.6V 54-VFBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 2,000 167 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.4 ns 음주 8m x 16 평행한 12ns
MT47H32M16NF-25E AIT:H TR Micron Technology Inc. MT47H32M16NF-25E AIT : H TR 4.4952
RFQ
ECAD 5984 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 84-TFBGA MT47H32M16 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-FBGA (8x12.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 MT47H32M16NF-25EAIT : HTR 귀 99 8542.32.0028 2,000 400MHz 휘발성 휘발성 512mbit 400 PS 음주 32m x 16 평행한 15ns
MT53D4DCFL-DC TR Micron Technology Inc. MT53D4DCFL-DC TR -
RFQ
ECAD 6840 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 MT53D4 - 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 2,000
MT40A512M16HA-083E IT:A TR Micron Technology Inc. MT40A512M16HA-083E IT : A TR -
RFQ
ECAD 4097 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA MT40A512M16 sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 96-FBGA (9x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 1.2GHz 휘발성 휘발성 8gbit 음주 512m x 16 평행한 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고