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메모리 (10402)

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MT29F2G16ABBEAHC:E Micron Technology Inc. MT29F2G16ABBEAHC : e -
RFQ
 ECAD 8514 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA MT29F2G16 플래시 - NAND 1.7V ~ 1.95V 63-VFBGA (10.5x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,140 비 비 2gbit 플래시 128m x 16 평행한 -
MT52L512M32D2PU-107 WT:B Micron Technology Inc. MT52L512M32D2PU-107 WT : b -
RFQ
 ECAD 6035 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 MT52L512 sdram- 모바일 lpddr3 1.2V - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,680 933 MHz 휘발성 휘발성 16gbit 음주 512m x 32 - -
MT29F128G08AMAAAC5-ITZ:A Micron Technology Inc. MT29F128G08AMAC5-ITZ : a -
RFQ
 ECAD 1058 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 52-VLGA MT29F128G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 52-VLGA (18x14) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 980 비 비 128gbit 플래시 16g x 8 평행한 -
M29F400BB55M6T TR Micron Technology Inc. M29F400BB55M6T TR -
RFQ
 ECAD 9198 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-SOIC (0.496 ", 12.60mm 너비) M29F400 플래시 - 아니오 4.5V ~ 5.5V 44- - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 500 비 비 4mbit 55 ns 플래시 512k x 8, 256k x 16 평행한 55ns
M25P20S-VMN6TPB TR Micron Technology Inc. M25P20S-VMN6TPB TR -
RFQ
 ECAD 2212 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) M25P20 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0071 2,500 75MHz 비 비 2mbit 플래시 256k x 8 SPI 15ms, 5ms
MT46V32M16P-6T:F Micron Technology Inc. MT46V32M16P-6T : f -
RFQ
 ECAD 5350 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V32M16 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 32m x 16 평행한 15ns
MT47H64M16HW-3:H Micron Technology Inc. MT47H64M16HW-3 : h -
RFQ
 ECAD 6164 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 0 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 84-TFBGA MT47H64M16 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-FBGA (8x12.5) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0032 1,000 333 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 450 ps 음주 64m x 16 평행한 15ns
MT53B384M64D4TP-062 XT ES:B Micron Technology Inc. MT53B384M64D4TP-062 XT ES : b -
RFQ
 ECAD 3952 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -30 ° C ~ 105 ° C (TC) - - MT53B384 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V - - 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 1,120 1.6GHz 휘발성 휘발성 24gbit 음주 384m x 64 - -
MTFC16GJUEF-AIT Micron Technology Inc. mtfc16gjuef-ait -
RFQ
 ECAD 9960 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 169-TFBGA MTFC16G 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 169-TFBGA (14x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 128gbit 플래시 16g x 8 MMC -
MT53B384M64D4NK-062 WT:A TR Micron Technology Inc. MT53B384M64D4NK-062 WT : A TR -
RFQ
 ECAD 7550 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 366-WFBGA MT53B384 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 366-WFBGA (15x15) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 1,000 1.6GHz 휘발성 휘발성 24gbit 음주 384m x 64 - -
N25Q256A81ESF40G Micron Technology Inc. N25Q256A81ESF40G -
RFQ
 ECAD 5839 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) N25Q256A81 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 16-SOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,225 108 MHz 비 비 256mbit 플래시 64m x 4 SPI 8ms, 5ms
MTFC8GACAALT-4M IT TR Micron Technology Inc. MTFC8GACAALT-4M IT TR -
RFQ
 ECAD 9877 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-tbga MTFC8 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 100-TBGA (14x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) mtfc8gacaalt-4mittr 쓸모없는 8542.32.0071 1,000 비 비 64gbit 플래시 8g x 8 MMC -
MT46H16M16LFBF-6 IT:H Micron Technology Inc. MT46H16M16LFBF-6 IT : h -
RFQ
 ECAD 1464 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 60-VFBGA MT46H16M16 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 60-VFBGA (8x9) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 166 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5 ns 음주 16m x 16 평행한 12ns
MT55L256V18P1T-7.5TR Micron Technology Inc. MT55L256V18P1T-7.5TR 4.9100
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Micron Technology Inc. ZBT® 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp SRAM -ZBT 3.135V ~ 3.465V 100-TQFP (14x20.1) 다운로드 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 500 133 MHz 휘발성 휘발성 4mbit 4.2 ns SRAM 256k x 18 평행한 -
MT53B2DDNP-DC TR Micron Technology Inc. MT53B2DDNP-DC TR -
RFQ
 ECAD 9293 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 200-WFBGA sdram- 모바일 lpddr4 200-WFBGA (10x14.5) - 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 2,000 휘발성 휘발성 음주
M25PX80-VMP6TG0U TR Micron Technology Inc. M25PX80-VMP6TG0U TR -
RFQ
 ECAD 7762 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-vdfn d 패드 M25PX80 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 8-VFQFPN (6x5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 4,000 75MHz 비 비 8mbit 플래시 1m x 8 SPI 15ms, 5ms
MT29F4G08ABAEAH4-ITS:E Micron Technology Inc. MT29F4G08ABAEAH4-ITS : e 3.3184
RFQ
 ECAD 7826 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA MT29F4G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 63-VFBGA (9x11) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 비 비 4gbit 플래시 512m x 8 평행한 -
MT47H32M16HR-187E:G Micron Technology Inc. MT47H32M16HR-187E : g -
RFQ
 ECAD 3485 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 84-TFBGA MT47H32M16 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-FBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 1,000 533 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 350 ps 음주 32m x 16 평행한 15ns
MT49H16M18CSJ-25 IT:B TR Micron Technology Inc. MT49H16M18CSJ-25 IT : B TR -
RFQ
 ECAD 8082 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 144-TFBGA MT49H16M18 음주 1.7V ~ 1.9V 144-FBGA (18.5x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0028 1,000 400MHz 휘발성 휘발성 288mbit 20 ns 음주 16m x 18 평행한 -
M58WR032KU70D16 TR Micron Technology Inc. M58WR032KU70D16 TR -
RFQ
 ECAD 8171 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 - M58WR032 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V - - Rohs3 준수 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 2,500 66MHz 비 비 32mbit 70 ns 플래시 2m x 16 평행한 70ns
MT46V32M16TG-75 IT:C Micron Technology Inc. MT46V32M16TG-75 IT : c -
RFQ
 ECAD 9887 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V32M16 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-tsop - rohs 비준수 4 (72 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 750 ps 음주 32m x 16 평행한 15ns
M45PE80-VMP6 Micron Technology Inc. M45PE80-VMP6 -
RFQ
 ECAD 2183 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-vdfn d 패드 M45PE80 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-vdfpn (6x5) (MLP8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 490 75MHz 비 비 8mbit 플래시 1m x 8 SPI 15ms, 3ms
MT28GU01GAAA2EGC-0SIT Micron Technology Inc. MT28GU01GAAA2EGC-0SIT -
RFQ
 ECAD 4883 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-TBGA MT28GU01 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 64-TBGA (10x8) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 1,800 133 MHz 비 비 1gbit 96 ns 플래시 64m x 16 평행한 -
MT41K512M8DA-107 AIT:P TR Micron Technology Inc. MT41K512M8DA-107 AIT : P TR 8.8800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT41K512M8 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 933 MHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 512m x 8 평행한 -
MT49H16M18FM-33:B TR Micron Technology Inc. MT49H16M18FM-33 : B TR -
RFQ
 ECAD 6544 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 144-TFBGA MT49H16M18 음주 1.7V ~ 1.9V 144-µBGA (18.5x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 300MHz 휘발성 휘발성 288mbit 20 ns 음주 16m x 18 평행한 -
MT46V64M8BN-5B:F TR Micron Technology Inc. MT46V64M8BN-5B : F TR -
RFQ
 ECAD 7386 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA MT46V64M8 sdram -ddr 2.5V ~ 2.7V 60-FBGA (10x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 64m x 8 평행한 15ns
N25Q064A13ESF42EE01 Micron Technology Inc. N25Q064A13ESF42EE01 -
RFQ
 ECAD 3494 0.00000000 Micron Technology Inc. - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) N25Q064A13 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 16- 형의 행위 - Rohs3 준수 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 1,400 108 MHz 비 비 64mbit 플래시 16m x 4 SPI 8ms, 5ms
MT44K64M18RB-093F:A TR Micron Technology Inc. MT44K64M18RB-093F : A TR -
RFQ
 ECAD 7111 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 168-TBGA MT44K64M18 rldram 3 1.28V ~ 1.42V 168-BGA (13.5x13.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 1.066 GHz 휘발성 휘발성 1.125gbit 7.5 ns 음주 64m x 18 평행한 -
MT46V64M4BG-6:GTR Micron Technology Inc. MT46V64M4BG-6 : GTR -
RFQ
 ECAD 8464 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 60-FBGA MT46V64M4 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 60-FBGA (8x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 700 PS 음주 64m x 4 평행한 15ns
MT46H8M16LFBF-6 AT:K Micron Technology Inc. MT46H8M16LFBF-6 AT : k -
RFQ
 ECAD 7114 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 60-VFBGA MT46H8M16 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 60-VFBGA (8x9) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 166 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5 ns 음주 8m x 16 평행한 15ns 확인되지 확인되지
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    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

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  • In-stock Warehouse

    15,000m2

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