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메모리 (10402)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 시계 시계 메모리 메모리 메모리 메모리 액세스 액세스 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
MT29F8G16ABACAWP:C Micron Technology Inc. MT29F8G16ABACAWP : c -
RFQ
 ECAD 7803 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F8G16 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 960 비 비 8gbit 플래시 512m x 16 평행한 -
MT48LC8M16A2TG-7E:G TR Micron Technology Inc. MT48LC8M16A2TG-7E : G TR -
RFQ
 ECAD 5861 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC8M16A2 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.4 ns 음주 8m x 16 평행한 14ns
MT40A2G4WE-075E:B TR Micron Technology Inc. MT40A2G4WE-075E : B TR -
RFQ
 ECAD 3640 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT40A2G4 sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (8x12) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 1.33 GHz 휘발성 휘발성 8gbit 음주 2G X 4 평행한 -
MT53B512M32D2NP-062 WT:C Micron Technology Inc. MT53B512M32D2NP-062 WT : C. -
RFQ
 ECAD 7574 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 200-WFBGA MT53B512 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,360 1.6GHz 휘발성 휘발성 16gbit 음주 512m x 32 - -
MT53D4DAHR-DC Micron Technology Inc. MT53D4DAHR-DC -
RFQ
 ECAD 6462 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 쓸모없는 MT53D4 - 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 1,360
MT41J128M8JP-107:G Micron Technology Inc. MT41J128M8JP-107 : g -
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 ECAD 9936 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT41J128M8 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 78-FBGA (8x11.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0036 1,000 933 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 음주 128m x 8 평행한 -
MT35XL01GBBA1G12-0AAT TR Micron Technology Inc. MT35XL01GBBA1G12-0AAT TR -
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 ECAD 6646 0.00000000 Micron Technology Inc. XCCELA ™ -MT35X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 24-TBGA MT35XL01 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 24-T-PBGA (6x8) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 133 MHz 비 비 1gbit 플래시 128m x 8 xccela 버스 -
EDY4016AABG-DR-F-D Micron Technology Inc. EDY4016AABG-DR-FD -
RFQ
 ECAD 3841 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA edy4016 sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 96-FBGA (7.5x13.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0036 1,980 1.2GHz 휘발성 휘발성 4gbit 음주 256m x 16 평행한 -
MT53B256M64D2NL-062 XT:B TR Micron Technology Inc. MT53B256M64D2NL-062 XT : B TR -
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 ECAD 8118 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 105 ° C (TC) - - MT53B256 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 1.6GHz 휘발성 휘발성 16gbit 음주 256m x 64 - -
MT53E128M16D1FW-046 AIT:A Micron Technology Inc. MT53E128M16D1FW-046 AIT : a 5.7400
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 ECAD 5357 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) MT53E128 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 557-MT53E128MD1FW-046AIT : a 귀 99 8542.32.0036 136 2.133 GHz 휘발성 휘발성 2gbit 음주 128m x 16 - -
TE28F128P33B85A Micron Technology Inc. TE28F128P33B85A -
RFQ
 ECAD 3023 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) 28F128P33 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 56-tsop 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 576 40MHz 비 비 128mbit 85 ns 플래시 8m x 16 평행한 85ns
MT46V64M4BG-5B:GTR Micron Technology Inc. MT46V64M4BG-5B : GTR -
RFQ
 ECAD 7880 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 60-FBGA MT46V64M4 sdram -ddr 2.5V ~ 2.7V 60-FBGA (8x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 256mbit 700 PS 음주 64m x 4 평행한 15ns
MT41K512M8DA-93:P Micron Technology Inc. MT41K512M8DA-93 : p -
RFQ
 ECAD 8040 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT41K512M8 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (8x10.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 1,260 1.066 GHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 512m x 8 평행한 -
MT40A256M16GE-083E:B Micron Technology Inc. MT40A256M16GE-083E : b -
RFQ
 ECAD 7032 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA MT40A256M16 sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 96-FBGA (9x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1 1.2GHz 휘발성 휘발성 4gbit 음주 256m x 16 평행한 -
JS28F00AP30EF0 Micron Technology Inc. JS28F00AP30EF0 -
RFQ
 ECAD 2809 0.00000000 Micron Technology Inc. Axcell ™ 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) JS28F00AP30 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 56-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0051 96 40MHz 비 비 1gbit 110 ns 플래시 64m x 16 평행한 110ns
M29F160FB5KN3E2 TR Micron Technology Inc. M29F160FB5KN3E2 TR -
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 ECAD 8200 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 M29F160 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1B1 8542.32.0071 1,500
MT29F1HT08ELHBBG1-3R:B TR Micron Technology Inc. MT29F1HT08ELHBBG1-3R : B TR -
RFQ
 ECAD 7620 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 272-VFBGA MT29F1HT08 플래시 - NAND 2.5V ~ 3.6V 272-VBGA (14x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 333 MHz 비 비 1.5tbit 플래시 192g x 8 평행한 -
MT48LC32M8A2P-6A:D TR Micron Technology Inc. MT48LC32M8A2P-6A : D TR -
RFQ
 ECAD 5803 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC32M8A2 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 32m x 8 평행한 12ns
MT29F1T08CUCCBH8-6R:C TR Micron Technology Inc. MT29F1T08CUCCBH8-6R : C TR -
RFQ
 ECAD 3595 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 152-lbga MT29F1T08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 152-lbga (14x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 167 MHz 비 비 1tbit 플래시 128g x 8 평행한 -
N25Q128A13ESEC0E Micron Technology Inc. N25Q128A13ESEC0E -
RFQ
 ECAD 8151 0.00000000 Micron Technology Inc. - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) N25Q128A13 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-SOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,800 108 MHz 비 비 128mbit 플래시 32m x 4 SPI 8ms, 5ms
MT29F128G08EBEBBWP:B Micron Technology Inc. MT29F128G08EBEBBWP : b -
RFQ
 ECAD 5917 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F128G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1 비 비 128gbit 플래시 16g x 8 평행한 -
MT46V32M16P-6T IT:F Micron Technology Inc. MT46V32M16P-6T IT : f -
RFQ
 ECAD 1593 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V32M16 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 32m x 16 평행한 15ns
N25Q064A13EF8H0F TR Micron Technology Inc. N25Q064A13EF8H0F TR -
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 ECAD 8170 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-vdfn d 패드 N25Q064A13 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-vdfpn (mlp8) (8x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 108 MHz 비 비 64mbit 플래시 16m x 4 SPI 8ms, 5ms
MT42L16M32D1LG-25 AAT:A Micron Technology Inc. MT42L16M32D1LG-25 AAT : a -
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 ECAD 2726 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 168-WFBGA MT42L16M32 sdram- 모바일 lpddr2 1.14V ~ 1.95V 168-WFBGA (12x12) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0032 1,000 400MHz 휘발성 휘발성 512mbit 음주 16m x 32 평행한 -
MT47H64M8SH-187E:H TR Micron Technology Inc. MT47H64M8SH-187E : H TR -
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 ECAD 9787 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 60-TFBGA MT47H64M8 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 60-FBGA (8x10) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 2,000 533 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 350 ps 음주 64m x 8 평행한 15ns
MT46V64M8P-6T:F Micron Technology Inc. MT46V64M8P-6T : f -
RFQ
 ECAD 2941 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V64M8 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-tsop 다운로드 Rohs3 준수 4 (72 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 64m x 8 평행한 15ns
MT46V32M8FG-75:G Micron Technology Inc. MT46V32M8FG-75 : g -
RFQ
 ECAD 4197 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 60-FBGA MT46V32M8 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 60-FBGA (8x14) 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 750 ps 음주 32m x 8 평행한 15ns
MT48LC16M16A2TG-75 L:D TR Micron Technology Inc. MT48LC16M16A2TG-75 L : D TR -
RFQ
 ECAD 9851 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC16M16A2 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 16m x 16 평행한 15ns
MT52L256M32D1PF-107 WT:B TR Micron Technology Inc. MT52L256M32D1PF-107 WT : B TR 16.9600
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 ECAD 2 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 178-VFBGA MT52L256 sdram- 모바일 lpddr3 1.2V 178-FBGA (11.5x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 933 MHz 휘발성 휘발성 8gbit 음주 256m x 32 - -
MT29F64G08AECDBJ4-6:D TR Micron Technology Inc. MT29F64G08AECDBJ4-6 : D TR -
RFQ
 ECAD 7754 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 132-VBGA MT29F64G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 132-VBGA (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 166 MHz 비 비 64gbit 플래시 8g x 8 평행한 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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