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MT29F1T08CPECBH8-12:C TR Micron Technology Inc. MT29F1T08CPECBH8-12 : C TR -
RFQ
 ECAD 9364 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 152-lbga MT29F1T08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 152-lbga (14x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,000 83MHz 비 비 1tbit 플래시 128g x 8 평행한 -
MT48LC32M8A2BB-75 L:D Micron Technology Inc. MT48LC32M8A2BB-75 L : D. -
RFQ
 ECAD 7550 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 60-FBGA MT48LC32M8A2 sdram 3V ~ 3.6V 60-FBGA (8x16) 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 32m x 8 평행한 15ns
MT29F2G08ABAFAH4-S:F Micron Technology Inc. MT29F2G08ABAFAH4-S : F. -
RFQ
 ECAD 1767 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA MT29F2G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 63-VFBGA (9x11) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 비 비 2gbit 플래시 256m x 8 평행한 -
PC28F640P30TF65A Micron Technology Inc. PC28F640P30TF65A -
RFQ
 ECAD 6457 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-TBGA PC28F640 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 64-EASYBGA (8x10) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 864 52MHz 비 비 64mbit 65 ns 플래시 4m x 16 평행한 65ns
MT29F2G08ABBEAM69A3WC1 Micron Technology Inc. MT29F2G08ABBEAM69A3WC1 -
RFQ
 ECAD 4771 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 주사위 MT29F2G08 플래시 - NAND 1.7V ~ 1.95V 주사위 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 1 비 비 2gbit 플래시 256m x 8 평행한 -
MT28EW512ABA1LPC-0SIT TR Micron Technology Inc. Mt28ew512aba1lpc-0sit tr 9.3300
RFQ
 ECAD 6415 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-lbga MT28ew512 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 64-lbga (11x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 비 비 512mbit 95 ns 플래시 64m x 8, 32m x 16 평행한 60ns
MT28GU256AAA1EGC-0SIT Micron Technology Inc. MT28GU256AAA1EGC-0SIT -
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 ECAD 5033 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-TBGA MT28GU256 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 64-TBGA (10x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,800 133 MHz 비 비 256mbit 96 ns 플래시 32m x 8 평행한 -
EDF8164A3PD-GD-F-D Micron Technology Inc. EDF8164A3PD-GD-FD -
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 ECAD 4843 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - EDF8164 sdram- 모바일 lpddr3 1.14V ~ 1.95V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 960 800MHz 휘발성 휘발성 8gbit 음주 128m x 64 평행한 -
MT29F16G08ABCCBH1-10:C Micron Technology Inc. MT29F16G08ABCCBH1-10 : c -
RFQ
 ECAD 1059 0.00000000 Micron Technology Inc. - 튜브 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-VBGA MT29F16G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 100-VBGA (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100MHz 비 비 16gbit 플래시 2G X 8 평행한 -
MT46V64M8P-75 L:D TR Micron Technology Inc. MT46V64M8P-75 L : D TR -
RFQ
 ECAD 6231 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V64M8 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-tsop - Rohs3 준수 4 (72 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 750 ps 음주 64m x 8 평행한 15ns
MT47H128M4CB-3:B TR Micron Technology Inc. MT47H128M4CB-3 : B TR -
RFQ
 ECAD 4777 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 60-FBGA MT47H128M4 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 60-FBGA 다운로드 Rohs3 준수 5 (48 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 333 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 450 ps 음주 128m x 4 평행한 15ns
PC28F128P30BF65E Micron Technology Inc. PC28F128P30BF65E -
RFQ
 ECAD 2009 년 년 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-TBGA PC28F128 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 64-ESYBGA (10x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 864 52MHz 비 비 128mbit 65 ns 플래시 8m x 16 평행한 65ns
MT48H4M16LFF4-10 Micron Technology Inc. MT48H4M16LFF4-10 -
RFQ
 ECAD 9173 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 sic에서 중단되었습니다 -25 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-VFBGA MT48H4M16 sdram- 모바일 lpsdr 1.7V ~ 1.9V 54-VFBGA (8x8) 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 104 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 7 ns 음주 4m x 16 평행한 15ns
MT29C1G12MAAJYAMD-5 IT TR Micron Technology Inc. MT29C1G12MAAJYAMD-5 IT TR -
RFQ
 ECAD 3312 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 130-VFBGA MT29C1G12 플래시 -Nand, n lpdram 1.7V ~ 1.95V 130-VFBGA (8x9) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200MHz 비 비, 휘발성 1GBIT (NAND), 512MBIT (LPDRAM) 플래시, 램 128m x 8 (NAND), 16m x 32 (lpdram) 평행한 -
MT47H128M8CF-25E AIT:H Micron Technology Inc. MT47H128M8CF-25E AIT : h -
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 ECAD 7378 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 60-TFBGA MT47H128M8 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 60-FBGA (8x10) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 1,000 400MHz 휘발성 휘발성 1gbit 400 PS 음주 128m x 8 평행한 15ns
MT28F800B3WP-9 B TR Micron Technology Inc. MT28F800B3WP-9 B TR -
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 ECAD 5731 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT28F800B3 플래시 - 아니오 3V ~ 3.6V 48-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 1,000 비 비 8mbit 90 ns 플래시 1m x 8, 512k x 16 평행한 90ns
MT25TL01GBBB8E12-0AAT TR Micron Technology Inc. MT25TL01GBB8E12-0AAT TR -
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 ECAD 4266 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA MT25TL01 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 24-T-PBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 133 MHz 비 비 1gbit 플래시 128m x 8 SPI 8ms, 2.8ms
MT29F512G08CMCCBH7-6R:C TR Micron Technology Inc. MT29F512G08CMCCBH7-6R : C TR -
RFQ
 ECAD 7801 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 152-TBGA MT29F512G08 플래시 -Nand (MLC) 2.7V ~ 3.6V 152-TBGA (14x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 166 MHz 비 비 512gbit 플래시 64g x 8 평행한 -
MT28F640J3FS-115 GMET TR Micron Technology Inc. MT28F640J3FS-115 GMET TR -
RFQ
 ECAD 3991 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-FBGA MT28F640J3 플래시 2.7V ~ 3.6V 64-FBGA (10x13) 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 64mbit 115 ns 플래시 8m x 8, 4m x 16 평행한 -
MT45W4MW16BCGB-708 WT TR Micron Technology Inc. MT45W4MW16BCGB-708 WT TR -
RFQ
 ECAD 5441 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 54-VFBGA MT45W4MW16 psram (의사 sram) 1.7V ~ 1.95V 54-VFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 64mbit 70 ns psram 4m x 16 평행한 70ns
JS28F640J3F75B TR Micron Technology Inc. JS28F640J3F75B TR -
RFQ
 ECAD 2009 년 년 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) JS28F640J3 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 56-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,600 비 비 64mbit 75 ns 플래시 8m x 8, 4m x 16 평행한 75ns
MT28F004B5VG-8 B TR Micron Technology Inc. MT28F004B5VG-8 B TR -
RFQ
 ECAD 3583 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 40-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT28F004B5 플래시 - 아니오 4.5V ~ 5.5V 40-tsop i 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 1,000 비 비 4mbit 80 ns 플래시 512k x 8 평행한 80ns
MT48LC2M32B2P-6 IT:G TR Micron Technology Inc. MT48LC2M32B2P-6 IT : G TR -
RFQ
 ECAD 5490 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 86-TFSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC2M32B2 sdram 3V ~ 3.6V 86-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 167 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5.5 ns 음주 2m x 32 평행한 12ns
MT46V32M16TG-75:C TR Micron Technology Inc. MT46V32M16TG-75 : C TR -
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 ECAD 2930 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V32M16 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-tsop - rohs 비준수 4 (72 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 750 ps 음주 32m x 16 평행한 15ns
MT46V32M8TG-75 L:G TR Micron Technology Inc. MT46V32M8TG-75 L : G TR -
RFQ
 ECAD 6076 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V32M8 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-tsop 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 750 ps 음주 32m x 8 평행한 15ns
MT29F128G08CECABH1-12Z:A Micron Technology Inc. MT29F128G08CECABH1-12Z : a -
RFQ
 ECAD 7483 0.00000000 Micron Technology Inc. - 튜브 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-VBGA MT29F128G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 100-VBGA (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83MHz 비 비 128gbit 플래시 16g x 8 평행한 -
MT35XL01GBBA3G12-0SIT TR Micron Technology Inc. MT35XL01GBBA3G12-0SIT TR -
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 ECAD 1898 0.00000000 Micron Technology Inc. XCCELA ™ -MT35X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 24-TBGA MT35XL01 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 24-T-PBGA (6x8) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 133 MHz 비 비 1gbit 플래시 128m x 8 xccela 버스 -
MT29VZZZ7D7DQKWL-062 W.97Y Micron Technology Inc. MT29VZZZ7D7DQKWL-062 W.97Y -
RFQ
 ECAD 7318 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 MT29VZZZ7 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 1,520
MT29F64G08AKCBBH2-12IT:B Micron Technology Inc. MT29F64G08AKCBBH2-12IT : b -
RFQ
 ECAD 5787 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-tbga MT29F64G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 100-TBGA (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83MHz 비 비 64gbit 플래시 8g x 8 평행한 -
MT52L1G32D4PG-107 WT:B Micron Technology Inc. MT52L1G32D4PG-107 WT : b 53.9550
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 ECAD 1814 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 178-VFBGA MT52L1G32 sdram- 모바일 lpddr3 1.2V 178-FBGA (12x11.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,680 933 MHz 휘발성 휘발성 32gbit 음주 1g x 32 - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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