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메모리 (10402)

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MT48LC16M16A2P-6A:G TR Micron Technology Inc. MT48LC16M16A2P-6A : G TR 5.3900
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC16M16A2 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 2,000 167 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 16m x 16 평행한 12ns
MT53D768M64D8SQ-046 WT:E Micron Technology Inc. MT53D768M64D8SQ-046 WT : e -
RFQ
 ECAD 4498 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 556-VFBGA MT53D768 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 556-VFBGA (12.4x12.4) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,360 2.133 GHz 휘발성 휘발성 48gbit 음주 768m x 64 - -
MT46V32M8BG-6:GTR Micron Technology Inc. MT46V32M8BG-6 : GTR -
RFQ
 ECAD 7316 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 60-FBGA MT46V32M8 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 60-FBGA (8x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 700 PS 음주 32m x 8 평행한 15ns
MT44K16M36RB-093E:B TR Micron Technology Inc. MT44K16M36RB-093E : B TR 57.5400
RFQ
 ECAD 6171 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 168-TBGA MT44K16M36 음주 1.28V ~ 1.42V 168-BGA (13.5x13.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 1,000 1.066 GHz 휘발성 휘발성 576mbit 8 ns 음주 16m x 36 평행한 -
MT48LC16M16A2P-7E L:D TR Micron Technology Inc. MT48LC16M16A2P-7E L : D TR -
RFQ
 ECAD 1961 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC16M16A2 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 16m x 16 평행한 14ns
MT29F256G08AKCBBH7-6IT:B Micron Technology Inc. MT29F256G08AKCBBH7-6IT : b -
RFQ
 ECAD 4621 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 152-TBGA MT29F256G08 플래시 -Nand (SLC) 2.7V ~ 3.6V 152-TBGA (14x18) - 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 980 167 MHz 비 비 256gbit 플래시 32g x 8 평행한 -
MT53B768M64D8NK-053 WT ES:D Micron Technology Inc. MT53B768M64D8NK-053 WT ES : d -
RFQ
 ECAD 1613 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 366-WFBGA MT53B768 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 366-WFBGA (15x15) - 1 (무제한) 귀 99 8542.32.0036 1,190 1.866 GHz 휘발성 휘발성 48gbit 음주 768m x 64 - -
MT48H32M16LFBF-75 IT:B TR Micron Technology Inc. MT48H32M16LFBF-75 IT : B TR -
RFQ
 ECAD 2102 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-VFBGA MT48H32M16 sdram- 모바일 lpsdr 1.7V ~ 1.95V 54-VFBGA (6x9) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5.4 ns 음주 32m x 16 평행한 15ns
MTFC16GJVEC-IT TR Micron Technology Inc. MTFC16GJVEC-IT TR -
RFQ
 ECAD 9892 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 - MTFC16G 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 128gbit 플래시 16g x 8 MMC -
MT29F1T08CUCCBH8-6R:C Micron Technology Inc. MT29F1T08CUCCBH8-6R : c -
RFQ
 ECAD 7965 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 152-lbga MT29F1T08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 152-lbga (14x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 980 167 MHz 비 비 1tbit 플래시 128g x 8 평행한 -
M25P40-VMP6TGB0A TR Micron Technology Inc. M25P40-VMP6TGB0A TR -
RFQ
 ECAD 6306 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-vdfn d 패드 M25P40 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 8-vdfpn (6x5) (MLP8) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 4,000 75MHz 비 비 4mbit 플래시 512k x 8 SPI 15ms, 5ms
MT47H64M16HR-3 AAT:H Micron Technology Inc. MT47H64M16HR-3 AAT : h -
RFQ
 ECAD 1846 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 84-TFBGA MT47H64M16 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-FBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 1,000 333 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 450 ps 음주 64m x 16 평행한 15ns
MT53D1024M32D4NQ-053 WT ES:D Micron Technology Inc. MT53D1024M32D4NQ-053 WT ES : d -
RFQ
 ECAD 7782 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 200-VFBGA MT53D1024 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 200-VFBGA (10x14.5) - 1 (무제한) 귀 99 8542.32.0036 1,360 1.866 GHz 휘발성 휘발성 32gbit 음주 1g x 32 - -
MT41J256M8HX-125:D Micron Technology Inc. MT41J256M8HX-125 : d -
RFQ
 ECAD 7278 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT41J256M8 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 78-FBGA (9x11.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 800MHz 휘발성 휘발성 2gbit 13.75 ns 음주 256m x 8 평행한 -
N25Q064A13ESED0E Micron Technology Inc. N25Q064A13ESED0E -
RFQ
 ECAD 5411 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) N25Q064A13 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8- w 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,800 108 MHz 비 비 64mbit 플래시 16m x 4 SPI 8ms, 5ms
M25PE10-VD11 Micron Technology Inc. M25PE10-VD11 -
RFQ
 ECAD 1418 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) - - M25PE10 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 1 75MHz 비 비 1mbit 플래시 128k x 8 SPI 15ms, 5ms
MT44K32M18RB-093E:B TR Micron Technology Inc. MT44K32M18RB-093E : B TR -
RFQ
 ECAD 1562 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 168-TBGA MT44K32M18 음주 1.28V ~ 1.42V 168-BGA (13.5x13.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 1.066 GHz 휘발성 휘발성 576mbit 8 ns 음주 32m x 18 평행한 -
MT40A512M16JY-083E:B TR Micron Technology Inc. MT40A512M16JY-083E : B TR -
RFQ
 ECAD 2889 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA MT40A512M16 sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 96-FBGA (8x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 1.2GHz 휘발성 휘발성 8gbit 음주 512m x 16 평행한 -
MT28F008B3VG-9 B TR Micron Technology Inc. MT28F008B3VG-9 B TR -
RFQ
 ECAD 1051 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 40-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT28F008B3 플래시 - 아니오 3V ~ 3.6V 40-tsop i 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 1,000 비 비 8mbit 90 ns 플래시 1m x 8 평행한 90ns
MT53E1G32D2FW-046 AUT:B Micron Technology Inc. MT53E1G32D2FW-046 AUT : b 37.9050
RFQ
 ECAD 7462 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 상자 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TC) 표면 표면 200-TFBGA sdram- 모바일 lpddr4x 1.06V ~ 1.17V 200-TFBGA (10x14.5) 다운로드 557-MT53E1G32D2FW-046AUT : b 1 2.133 GHz 휘발성 휘발성 32gbit 3.5 ns 음주 1g x 32 평행한 18ns
MT62F1G64D4EK-023 AIT:C TR Micron Technology Inc. MT62F1G64D4EK-023 AIT : C TR 86.2500
RFQ
 ECAD 4729 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 557-MT62F1G64D4EK-023AIT : CTR 2,000
MT53D512M64D4NZ-046 WT:E Micron Technology Inc. MT53D512M64D4NZ-046 WT : e 49.0500
RFQ
 ECAD 1682 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 376-WFBGA MT53D512 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 376-WFBGA (14x14) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,190 2.133 GHz 휘발성 휘발성 32gbit 음주 512m x 64 - -
MT46V32M8FG-6 IT:G TR Micron Technology Inc. MT46V32M8FG-6 IT : G TR -
RFQ
 ECAD 9611 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 60-FBGA MT46V32M8 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 60-FBGA (8x14) 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 700 PS 음주 32m x 8 평행한 15ns
MT29F32G08AFACAWP-Z:C Micron Technology Inc. MT29F32G08AFACAWP-Z : c -
RFQ
 ECAD 4692 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F32G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 960 비 비 32gbit 플래시 4G X 8 평행한 -
MT53D1024M64D8WF-053 WT:D Micron Technology Inc. MT53D1024M64D8WF-053 WT : d -
RFQ
 ECAD 2596 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - MT53D1024 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,190 1.866 GHz 휘발성 휘발성 64gbit 음주 1G X 64 - -
JS28F256P30BFF TR Micron Technology Inc. JS28F256P30BFF TR -
RFQ
 ECAD 5083 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) JS28F256P30 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 56-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,600 40MHz 비 비 256mbit 110 ns 플래시 16m x 16 평행한 110ns
MT29F1G08ABADAWP:D TR Micron Technology Inc. MT29F1G08ABADAWP : D TR -
RFQ
 ECAD 4498 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F1G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 1gbit 플래시 128m x 8 평행한 -
MT40A4G4FSE-083E:A Micron Technology Inc. MT40A4G4FSE-083E : a -
RFQ
 ECAD 7749 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT40A4G4 sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (9.5x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,020 1.2GHz 휘발성 휘발성 16gbit 음주 4G X 4 평행한 -
MT25QL01GBBA8E12E01-2SIT TR Micron Technology Inc. MT25QL01GBBA8E12E01-2SIT TR -
RFQ
 ECAD 5117 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA MT25QL01 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 24-T-PBGA (6x8) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 2,500 133 MHz 비 비 1gbit 플래시 128m x 8 SPI 8ms, 2.8ms
MT48LC4M32LFB5-8 IT:G Micron Technology Inc. MT48LC4M32LFB5-8 IT : g -
RFQ
 ECAD 9544 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-VFBGA MT48LC4M32 sdram- 모바일 lpsdr 3V ~ 3.6V 90-VFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 125MHz 휘발성 휘발성 128mbit 7 ns 음주 4m x 32 평행한 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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