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메모리 (10402)

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MT40A1G8WE-075E IT:B TR Micron Technology Inc. MT40A1G8WE-075E IT : B TR -
RFQ
 ECAD 6357 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT40A1G8 sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (8x12) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 1.33 GHz 휘발성 휘발성 8gbit 음주 1g x 8 평행한 -
N25Q064A11ESECFF TR Micron Technology Inc. N25Q064A11ESECFF TR -
RFQ
 ECAD 8478 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) N25Q064A11 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 도 8- - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,500 108 MHz 비 비 64mbit 플래시 16m x 4 SPI 8ms, 5ms
MT49H16M18CFM-25:B TR Micron Technology Inc. MT49H16M18CFM-25 : B TR -
RFQ
 ECAD 7834 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 144-TFBGA MT49H16M18 음주 1.7V ~ 1.9V 144-µBGA (18.5x11) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0028 1,000 400MHz 휘발성 휘발성 288mbit 20 ns 음주 16m x 18 평행한 -
MT48LC16M16A2P-7E IT:D TR Micron Technology Inc. MT48LC16M16A2P-7E IT : D TR -
RFQ
 ECAD 2206 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC16M16A2 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 16m x 16 평행한 14ns
M25P05-AVMP6TG TR Micron Technology Inc. M25P05-AVMP6TG TR -
RFQ
 ECAD 9557 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-vdfn d 패드 M25P05-A 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-vdfpn (6x5) (MLP8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 4,000 50MHz 비 비 512kbit 플래시 64k x 8 SPI 15ms, 5ms
MT49H16M18CSJ-25:B Micron Technology Inc. MT49H16M18CSJ-25 : b -
RFQ
 ECAD 4440 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 144-TFBGA MT49H16M18 음주 1.7V ~ 1.9V 144-FBGA (18.5x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0028 1,120 400MHz 휘발성 휘발성 288mbit 20 ns 음주 16m x 18 평행한 -
MT53D384M32D2DS-053 XT:E TR Micron Technology Inc. MT53D384M32D2DS-053 XT : E TR -
RFQ
 ECAD 8174 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 200-WFBGA MT53D384 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 1.866 GHz 휘발성 휘발성 12gbit 음주 384m x 32 - -
MT29F4G08ABAFAWP-AAT:F TR Micron Technology Inc. MT29F4G08ABAFAWP-AAT : F TR 3.8912
RFQ
 ECAD 7790 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F4G08 플래시 -Nand (SLC) 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 MT29F4G08ABAFAWP-AAT : FTR 8542.32.0071 1,000 비 비 4gbit 플래시 512m x 8 평행한 -
MT48H8M16LFB4-10 Micron Technology Inc. MT48H8M16LFB4-10 -
RFQ
 ECAD 5567 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-VFBGA MT48H8M16 sdram- 모바일 lpsdr 1.7V ~ 1.9V 54-VFBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 104 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 7 ns 음주 8m x 16 평행한 15ns
EDF840AAABH-GD-F-D Micron Technology Inc. EDF840AAABH-GD-FD -
RFQ
 ECAD 9954 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 1,600
MT29F128G08AKCABH2-10:A Micron Technology Inc. MT29F128G08AKCABH2-10 : a -
RFQ
 ECAD 1710 0.00000000 Micron Technology Inc. - 튜브 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-tbga MT29F128G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 100-TBGA (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100MHz 비 비 128gbit 플래시 16g x 8 평행한 -
MT29F2G08ABAEAWP-IT:E Micron Technology Inc. MT29F2G08ABAEAWP-IT : e 3.9000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F2G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 960 비 비 2gbit 플래시 256m x 8 평행한 -
N25W064A11EF640E Micron Technology Inc. N25W064A11EF640E -
RFQ
 ECAD 6469 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -25 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-vdfn d 패드 N25W064 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 8-vdfpn (6x5) (MLP8) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 490 108 MHz 비 비 64mbit 플래시 16m x 4 SPI -
MT53B512M64D4PV-062 WT:C Micron Technology Inc. MT53B512M64D4PV-062 WT : C. -
RFQ
 ECAD 4035 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - MT53B512 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V - - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 840 1.6GHz 휘발성 휘발성 32gbit 음주 512m x 64 - -
MT29F1T208ECCBBJ4-37:B Micron Technology Inc. MT29F1T208ECCBBJ4-37 : b -
RFQ
 ECAD 9074 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 132-VBGA MT29F1T208 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 132-VBGA (12x18) - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,120 267 MHz 비 비 1.125tbit 플래시 144g x 8 평행한 -
MT29F512G08CUCABH3-12IT:A TR Micron Technology Inc. MT29F512G08CUCABH3-12IT : A TR -
RFQ
 ECAD 3948 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lbga MT29F512G08 플래시 -Nand (MLC) 2.7V ~ 3.6V 100-lbga (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83MHz 비 비 512gbit 플래시 64g x 8 평행한 -
M25P32-VMF6TP TR Micron Technology Inc. M25P32-VMF6TP TR -
RFQ
 ECAD 6619 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) M25P32 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 16-SOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 75MHz 비 비 32mbit 플래시 4m x 8 SPI 15ms, 5ms
MT41K1G8TRF-125:E TR Micron Technology Inc. MT41K1G8TRF-125 : E TR -
RFQ
 ECAD 8168 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT41K1G8 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (9.5x11.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 800MHz 휘발성 휘발성 8gbit 13.5 ns 음주 1g x 8 평행한 -
MT48LC8M8A2TG-75:G TR Micron Technology Inc. MT48LC8M8A2TG-75 : G TR -
RFQ
 ECAD 8415 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC8M8A2 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5.4 ns 음주 8m x 8 평행한 15ns
MT29F128G08CBCABH6-6:A TR Micron Technology Inc. MT29F128G08CBCABH6-6 : A TR -
RFQ
 ECAD 6749 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 152-VBGA MT29F128G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 152-VBGA (14x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 166 MHz 비 비 128gbit 플래시 16g x 8 평행한 -
MT29F32G08ABEDBJ4-12:D TR Micron Technology Inc. MT29F32G08ABEDBJ4-12 : D TR -
RFQ
 ECAD 9731 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 132-VBGA MT29F32G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 132-VBGA (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) MT29F32G08ABEDBJ4-12 : DTR 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83MHz 비 비 32gbit 플래시 4G X 8 평행한 -
MT48V8M16LFF4-8 XT:G Micron Technology Inc. MT48V8M16LFF4-8 XT : g -
RFQ
 ECAD 1604 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 sic에서 중단되었습니다 -20 ° C ~ 75 ° C (TA) 표면 표면 54-VFBGA MT48V8M16 sdram- 모바일 lpsdr 2.3V ~ 2.7V 54-VFBGA (8x8) 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 125MHz 휘발성 휘발성 128mbit 7 ns 음주 8m x 16 평행한 15ns
MT47H64M16HR-25E IT:H Micron Technology Inc. MT47H64M16HR-25E IT : h -
RFQ
 ECAD 3123 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 84-TFBGA MT47H64M16 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-FBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 1,000 400MHz 휘발성 휘발성 1gbit 400 PS 음주 64m x 16 평행한 15ns
MT47H128M16RT-25E AIT:C TR Micron Technology Inc. MT47H128M16RT-25E AIT : C TR 18.2400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 84-TFBGA MT47H128M16 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-FBGA (9x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 400MHz 휘발성 휘발성 2gbit 400 PS 음주 128m x 16 평행한 15ns
MT29F256G08CJAAAWP-Z:A Micron Technology Inc. MT29F256G08CJAAAWP-Z : a -
RFQ
 ECAD 1417 0.00000000 Micron Technology Inc. - 튜브 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F256G08 플래시 -Nand (MLC) 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 960 비 비 256gbit 플래시 32g x 8 평행한 -
MT46V32M16CV-5B:J Micron Technology Inc. MT46V32M16CV-5B : J. -
RFQ
 ECAD 7713 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA MT46V32M16 sdram -ddr 2.5V ~ 2.7V 60-FBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0024 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 32m x 16 평행한 15ns
MT61M256M32JE-10 AAT:A Micron Technology Inc. MT61M256M32JE-10 AAT : a -
RFQ
 ECAD 6178 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 180-TFBGA MT61M256 sgram -gddr6 1.21V ~ 1.29V 180-FBGA (12x14) 다운로드 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 1,260 1.25GHz 휘발성 휘발성 8gbit 숫양 256m x 32 평행한 -
MTFC8GLUDM-AIT TR Micron Technology Inc. mtfc8gludm-ait tr -
RFQ
 ECAD 4672 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 - MTFC8 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 64gbit 플래시 8g x 8 MMC -
MT53B256M32D1DS-062 AAT:C Micron Technology Inc. MT53B256M32D1DS-062 AAT : c -
RFQ
 ECAD 7944 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 200-WFBGA MT53B256 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,360 휘발성 휘발성 8gbit 음주 256m x 32 - - 확인되지 확인되지
MT53D512M64D4RQ-053 WT ES:E TR Micron Technology Inc. MT53D512M64D4RQ-053 WT ES : E TR -
RFQ
 ECAD 2706 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 556-WFBGA MT53D512 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 556-WFBGA (12.4x12.4) - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 1.866 GHz 휘발성 휘발성 32gbit 음주 512m x 64 - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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