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메모리 (10402)

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MT48LC8M32B2P-7 IT TR Micron Technology Inc. MT48LC8M32B2P-7 IT TR -
RFQ
 ECAD 1046 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 86-TFSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC8M32B2 sdram 3V ~ 3.6V 86-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 143 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 6 ns 음주 8m x 32 평행한 14ns
MTFC8GAMALGT-AIT Micron Technology Inc. mtfc8gamalgt-ait -
RFQ
 ECAD 2998 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) MTFC8 플래시 - NAND - - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 557-mtfc8gamalgt-ait 쓸모없는 8542.32.0071 152 비 비 64gbit 플래시 8g x 8 MMC -
MT46H16M16LFBF-5:H Micron Technology Inc. MT46H16M16LFBF-5 : h -
RFQ
 ECAD 9064 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 60-VFBGA MT46H16M16 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 60-VFBGA (8x9) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5 ns 음주 16m x 16 평행한 15ns
MT48LC8M32LFB5-10 IT TR Micron Technology Inc. MT48LC8M32LFB5-10 IT TR -
RFQ
 ECAD 3814 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-VFBGA MT48LC8M32 sdram- 모바일 lpsdr 3V ~ 3.6V 90-VFBGA (8x13) - Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 100MHz 휘발성 휘발성 256mbit 7 ns 음주 8m x 32 평행한 15ns
MT28F640J3FS-115 MET TR Micron Technology Inc. MT28F640J3FS-115 MET TR -
RFQ
 ECAD 7885 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-FBGA MT28F640J3 플래시 2.7V ~ 3.6V 64-FBGA (10x13) 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 64mbit 115 ns 플래시 8m x 8, 4m x 16 평행한 -
MT52L256M64D2PP-107 WT:B Micron Technology Inc. MT52L256M64D2PP-107 WT : b -
RFQ
 ECAD 6177 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 253-VFBGA MT52L256 sdram- 모바일 lpddr3 1.2V 253-VFBGA (11x11.5) - 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,890 933 MHz 휘발성 휘발성 16gbit 음주 256m x 64 - -
MTFC128GAJAECE-IT TR Micron Technology Inc. MTFC128GAJAECE-IT TR -
RFQ
 ECAD 8429 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 169-LFBGA MTFC128 플래시 - NAND - 169-LFBGA (14x18) - 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 1tbit 플래시 128g x 8 MMC -
MT47H128M8BT-37E:A Micron Technology Inc. MT47H128M8BT-37E : a -
RFQ
 ECAD 9793 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 92-TFBGA MT47H128M8 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 92-FBGA (11x19) 다운로드 Rohs3 준수 5 (48 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 1,000 267 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 400 PS 음주 128m x 8 평행한 15ns
MT48LC16M4A2TG-75:G TR Micron Technology Inc. MT48LC16M4A2TG-75 : G TR -
RFQ
 ECAD 1622 0.00000000 Micron Technology Inc. - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC16M4A2 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5.4 ns 음주 16m x 4 평행한 15ns
MT53E256M32D2FW-046 AAT:B Micron Technology Inc. MT53E256M32D2FW-046 AAT : b 15.4950
RFQ
 ECAD 5679 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 상자 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 200-TFBGA sdram- 모바일 lpddr4x 1.06V ~ 1.17V 200-TFBGA (10x14.5) 다운로드 557-MT53E256M32D2FW-046AAT : b 1 2.133 GHz 휘발성 휘발성 8gbit 3.5 ns 음주 256m x 32 평행한 18ns
MT28F400B3WG-8 T Micron Technology Inc. MT28F400B3WG-8 T -
RFQ
 ECAD 9883 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT28F400B3 플래시 - 아니오 3V ~ 3.6V 48-tsop i 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 1,000 비 비 4mbit 80 ns 플래시 512k x 8, 256k x 16 평행한 80ns
MT53E2G32D8QD-046 WT:E TR Micron Technology Inc. MT53E2G32D8QD-046 WT : E TR -
RFQ
 ECAD 2290 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) MT53E2G32 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V - 쓸모없는 0000.00.0000 2,000 2.133 GHz 휘발성 휘발성 64gbit 음주 2G X 32 - -
MT29F1T08CUCABH8-6R:A TR Micron Technology Inc. MT29F1T08CUCABH8-6R : A TR -
RFQ
 ECAD 9053 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 152-lbga MT29F1T08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 152-lbga (14x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,000 167 MHz 비 비 1tbit 플래시 128g x 8 평행한 -
MT29F32G08CBACAL73A3WC1P Micron Technology Inc. MT29F32G08CBACAL73A3WC1P -
RFQ
 ECAD 9935 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 주사위 MT29F32G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 주사위 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 683 비 비 32gbit 플래시 4G X 8 평행한 -
MT29F1G16ABBFAH4-IT:F Micron Technology Inc. MT29F1G16ABBFAH4-IT : f -
RFQ
 ECAD 8002 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA MT29F1G16 플래시 -Nand (SLC) 1.7V ~ 1.95V 63-VFBGA (9x11) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 557-MT29F1G16ABBFAH4-IT : f 8542.32.0071 210 비 비 1gbit 플래시 64m x 16 평행한 -
MT28F320J3BS-11 MET Micron Technology Inc. MT28F320J3BS-11이 만났다 -
RFQ
 ECAD 5900 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-FBGA MT28F320J3 플래시 2.7V ~ 3.6V 64-FBGA (10x13) 다운로드 Rohs3 준수 4 (72 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 32mbit 110 ns 플래시 4m x 8, 2m x 16 평행한 -
MT29F64G08CBABBWPR:B Micron Technology Inc. MT29F64G08CBABBWPR : b -
RFQ
 ECAD 4235 0.00000000 Micron Technology Inc. - 튜브 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F64G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 960 비 비 64gbit 플래시 8g x 8 평행한 -
MTFC32GLTDM-WT Micron Technology Inc. MTFC32GLTDM-WT -
RFQ
 ECAD 4998 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 쟁반 쓸모없는 -25 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 - MTFC32G 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 256gbit 플래시 32g x 8 MMC -
MT41K512M8DA-107 AAT:P Micron Technology Inc. MT41K512M8DA-107 AAT : p 8.8700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT41K512M8 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1 933 MHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 512m x 8 평행한 -
MT46V128M8P-75:A TR Micron Technology Inc. MT46V128M8P-75 : A TR -
RFQ
 ECAD 8868 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V128M8 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 750 ps 음주 128m x 8 평행한 15ns
MT53B256M32D1NP-062 WT:C Micron Technology Inc. MT53B256M32D1NP-062 WT : C. -
RFQ
 ECAD 4184 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 200-WFBGA MT53B256 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,360 1.6GHz 휘발성 휘발성 8gbit 음주 256m x 32 - -
EDFM432A1PF-GD-F-D Micron Technology Inc. EDFM432A1PF-GD-FD -
RFQ
 ECAD 2571 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 - EDFM432 sdram- 모바일 lpddr3 1.14V ~ 1.95V 216-FBGA (12x12) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,680 800MHz 휘발성 휘발성 12gbit 음주 384m x 32 평행한 -
M29W200BB70N6E Micron Technology Inc. M29W200BB70N6E -
RFQ
 ECAD 2516 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) M29W200 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 48-tsop - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 96 비 비 2mbit 70 ns 플래시 256k x 8, 128k x 16 평행한 70ns
MT29F1G08ABBEAH4-ITX:E TR Micron Technology Inc. MT29F1G08ABBEAH4-ITX : E TR -
RFQ
 ECAD 4943 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA MT29F1G08 플래시 - NAND 1.7V ~ 1.95V 63-VFBGA (9x11) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 1gbit 플래시 128m x 8 평행한 -
JS28F128J3F75D TR Micron Technology Inc. JS28F128J3F75D TR -
RFQ
 ECAD 7424 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) JS28F128J3 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 56-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,600 비 비 128mbit 75 ns 플래시 16m x 8, 8m x 16 평행한 75ns
MT49H32M18CFM-18:B TR Micron Technology Inc. MT49H32M18CFM-18 : B TR -
RFQ
 ECAD 8085 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 144-TFBGA MT49H32M18 음주 1.7V ~ 1.9V 144-µBGA (18.5x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0028 1,000 533 MHz 휘발성 휘발성 576mbit 15 ns 음주 32m x 18 평행한 -
MT53D384M32D2DS-046 AUT:C TR Micron Technology Inc. MT53D384M32D2DS-046 AUT : C TR -
RFQ
 ECAD 4577 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TC) 표면 표면 200-WFBGA MT53D384 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 2,000 2.133 GHz 휘발성 휘발성 12gbit 음주 384m x 32 - -
MT48LC4M16A2TG-6 IT:G Micron Technology Inc. MT48LC4M16A2TG-6 IT : g -
RFQ
 ECAD 8941 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC4M16A2 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 167 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5.5 ns 음주 4m x 16 평행한 12ns
MT29F64G08CECCBH1-12Z:C TR Micron Technology Inc. MT29F64G08CECCBH1-12Z : C TR -
RFQ
 ECAD 3716 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-VBGA MT29F64G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 100-VBGA (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83MHz 비 비 64gbit 플래시 8g x 8 평행한 -
MT28F800B5WP-8 BET Micron Technology Inc. MT28F800B5WP-8 BET -
RFQ
 ECAD 4007 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT28F800B5 플래시 - 아니오 4.5V ~ 5.5V 48-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 1,000 비 비 8mbit 80 ns 플래시 1m x 8, 512k x 16 평행한 80ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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