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메모리 (10402)

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MT52L256M32D1PF-093 WT ES:B TR Micron Technology Inc. MT52L256M32D1PF-093 WT ES : B TR -
RFQ
 ECAD 3673 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 178-VFBGA MT52L256 sdram- 모바일 lpddr3 1.2V 178-FBGA (11.5x11) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,000 1067 MHz 휘발성 휘발성 8gbit 음주 256m x 32 - -
M58BW16FB5T3T TR Micron Technology Inc. M58BW16FB5T3T TR -
RFQ
 ECAD 1432 0.00000000 Micron Technology Inc. - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 80BQFP M58BW16 플래시 - 아니오 2.5V ~ 3.3V 80-PQFP (14x20) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 500 비 비 16mbit 55 ns 플래시 512k x 32 평행한 55ns
MT29E3T08EQHBBG2-3ES:B Micron Technology Inc. MT29E3T08EQHBBG2-3ES : b -
RFQ
 ECAD 4752 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 272-LFBGA MT29E3T08 플래시 - NAND 2.5V ~ 3.6V 272-LFBGA (14x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 980 333 MHz 비 비 3tbit 플래시 384g x 8 평행한 -
M25PX80-VMP6TG0X TR Micron Technology Inc. M25PX80-VMP6TG0X TR -
RFQ
 ECAD 9396 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-vdfn d 패드 M25PX80 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 8-VFQFPN (6x5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 4,000 75MHz 비 비 8mbit 플래시 1m x 8 SPI 15ms, 5ms
MTFC8GLUEA-AIT TR Micron Technology Inc. mtfc8gluea-ait tr -
RFQ
 ECAD 1583 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 153-WFBGA MTFC8 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 153-WFBGA (11.5x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 64gbit 플래시 8g x 8 MMC -
PC48F4400P0TB0E4 Micron Technology Inc. PC48F4400P0TB0E4 -
RFQ
 ECAD 9519 0.00000000 Micron Technology Inc. Axcell ™ 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 64-lbga PC48F4400 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 64-ESYBGA (10x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0051 144 52MHz 비 비 512mbit 95 ns 플래시 32m x 16 평행한 95ns
MT53B256M32D1NP-062 WT ES:C TR Micron Technology Inc. MT53B256M32D1NP-062 WT ES : C TR -
RFQ
 ECAD 5678 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 200-WFBGA MT53B256 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,000 1.6GHz 휘발성 휘발성 8gbit 음주 256m x 32 - -
MT46H256M32L4JV-6 IT:A Micron Technology Inc. MT46H256M32L4JV-6 IT : a -
RFQ
 ECAD 6001 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 168-VFBGA MT46H256M32 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 168-VFBGA (12x12) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 166 MHz 휘발성 휘발성 8gbit 5 ns 음주 256m x 32 평행한 15ns
MT46V128M8P-6T:A Micron Technology Inc. MT46V128M8P-6T : a -
RFQ
 ECAD 5298 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V128M8 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 MT46V128M8P-6TA 귀 99 8542.32.0032 1,000 167 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 700 PS 음주 128m x 8 평행한 15ns
MT53B512M32D2NP-053 WT:C TR Micron Technology Inc. MT53B512M32D2NP-053 WT : C TR -
RFQ
 ECAD 6714 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 200-WFBGA MT53B512 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 1.866 GHz 휘발성 휘발성 16gbit 음주 512m x 32 - -
MT48H8M32LFF5-8 IT TR Micron Technology Inc. MT48H8M32LFF5-8 IT TR -
RFQ
 ECAD 8807 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-VFBGA MT48H8M32 sdram- 모바일 lpsdr 1.7V ~ 1.95V 90-VFBGA (8x13) 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 125MHz 휘발성 휘발성 256mbit 7 ns 음주 8m x 32 평행한 15ns
MT46V256M4P-6T:A Micron Technology Inc. MT46V256M4P-6T : a -
RFQ
 ECAD 8160 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V256M4 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 1,000 167 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 700 PS 음주 256m x 4 평행한 15ns
MT29RZ4B4DZZNGPL-18WE.4U2 Micron Technology Inc. MT29RZ4B4DZZNGPL-18WE.4U2 -
RFQ
 ECAD 9678 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 MT29RZ4 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000
MT29VZZZBC9FQOPR-053 W ES.G9G TR Micron Technology Inc. MT29VZZZBC9FQOPR-053 W ES.G9G TR -
RFQ
 ECAD 1919 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 MT29VZZZBC9 - 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 1,000
MT49H16M36SJ-25 IT:B Micron Technology Inc. MT49H16M36SJ-25 IT : b -
RFQ
 ECAD 8225 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 144-TFBGA MT49H16M36 음주 1.7V ~ 1.9V 144-FBGA (18.5x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0028 1,120 400MHz 휘발성 휘발성 576mbit 20 ns 음주 16m x 36 평행한 -
MT42L128M32D2MH-25 IT:A Micron Technology Inc. MT42L128M32D2MH-25 IT : a -
RFQ
 ECAD 9978 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 -25 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 134-VFBGA MT42L128M32 sdram- 모바일 lpddr2 1.14V ~ 1.3V 134-FBGA (11x11.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0036 1,000 400MHz 휘발성 휘발성 4gbit 음주 128m x 32 평행한 -
MT53D384M32D2DS-053 AIT:C Micron Technology Inc. MT53D384M32D2DS-053 AIT : c -
RFQ
 ECAD 9200 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 200-WFBGA MT53D384 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,360 1.866 GHz 휘발성 휘발성 12gbit 음주 384m x 32 - -
MT53D4DCFL-DC TR Micron Technology Inc. MT53D4DCFL-DC TR -
RFQ
 ECAD 6840 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 MT53D4 - 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 2,000
EDFP112A3PF-GD-F-R TR Micron Technology Inc. EDFP112A3PF-GD-FR TR -
RFQ
 ECAD 3408 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TA) - - EDFP112 sdram- 모바일 lpddr3 1.14V ~ 1.95V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,000 800MHz 휘발성 휘발성 24gbit 음주 192m x 128 평행한 -
MT38W1011A90YZQXZI.XB8 TR Micron Technology Inc. MT38W1011A90YZQXZI.XB8 TR -
RFQ
 ECAD 3213 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 2,500
MT41J256M16HA-107:E Micron Technology Inc. MT41J256M16HA-107 : e -
RFQ
 ECAD 8448 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA MT41J256M16 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-FBGA (9x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 933 MHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 256m x 16 평행한 -
M50FW040N5G Micron Technology Inc. M50FW040N5G -
RFQ
 ECAD 2182 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -20 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 40-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) M50FW040 플래시 - 아니오 3V ~ 3.6V 40-tsop - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 120 33MHz 비 비 4mbit 250 ns 플래시 512k x 8 평행한 -
MT41K1G8SN-125:A TR Micron Technology Inc. MT41K1G8SN-125 : A TR -
RFQ
 ECAD 4434 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT41K1G8 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (9x13.2) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) MT41K1G8SN-125 : ATR 귀 99 8542.32.0036 2,000 800MHz 휘발성 휘발성 8gbit 13.75 ns 음주 1g x 8 평행한 -
MT25QU128ABA8ESF-0SIT TR Micron Technology Inc. MT25QU128ABA8ESF-0SIT TR 3.2342
RFQ
 ECAD 3142 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) MT25QU128 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 16- 형의 행위 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 133 MHz 비 비 128mbit 플래시 16m x 8 SPI 8ms, 2.8ms
MT29F32G08ABAAAWP-IT:A TR Micron Technology Inc. MT29F32G08ABAAAWP-IT : A TR -
RFQ
 ECAD 5802 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F32G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 32gbit 플래시 4G X 8 평행한 -
MT40A512M8RH-075E:B Micron Technology Inc. MT40A512M8RH-075E : b -
RFQ
 ECAD 2674 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT40A512M8 sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (9x10.5) - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,260 1.33 GHz 휘발성 휘발성 4gbit 음주 512m x 8 평행한 -
EDFA112A2PD-GD-F-R TR Micron Technology Inc. EDFA112A2PD-GD-FR TR -
RFQ
 ECAD 5454 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - EDFA112 sdram- 모바일 lpddr3 1.14V ~ 1.95V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,000 800MHz 휘발성 휘발성 16gbit 음주 128m x 128 평행한 -
MT47H64M16HR-3 L:G Micron Technology Inc. MT47H64M16HR-3 L : g -
RFQ
 ECAD 3545 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 84-TFBGA MT47H64M16 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-FBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 1,000 333 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 450 ps 음주 64m x 16 평행한 15ns
MT35XL256ABA2G12-0AAT TR Micron Technology Inc. MT35XL256ABA2G12-0AAT TR -
RFQ
 ECAD 5534 0.00000000 Micron Technology Inc. XCCELA ™ -MT35X 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 -40 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 24-TBGA MT35XL256 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 24-T-PBGA (6x8) - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 133 MHz 비 비 256mbit 플래시 32m x 8 xccela 버스 -
MT46V32M16BN-5B:C Micron Technology Inc. MT46V32M16BN-5B : c -
RFQ
 ECAD 6863 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA MT46V32M16 sdram -ddr 2.5V ~ 2.7V 60-FBGA (10x12.5) - Rohs3 준수 5 (48 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 32m x 16 평행한 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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