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메모리 (10402)

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MT53D1024M32D4BD-053 WT:D TR Micron Technology Inc. MT53D1024M32D4BD-053 WT : D TR -
RFQ
 ECAD 7366 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - MT53D1024 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 1.866 GHz 휘발성 휘발성 32gbit 음주 1g x 32 - -
MT47H128M8HQ-3 IT:G Micron Technology Inc. MT47H128M8HQ-3 IT : g -
RFQ
 ECAD 6742 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 60-FBGA MT47H128M8 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 60-FBGA (8x11.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 1,000 333 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 450 ps 음주 128m x 8 평행한 15ns
MT46V16M16TG-5B:F TR Micron Technology Inc. MT46V16M16TG-5B : F TR -
RFQ
 ECAD 2294 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V16M16 sdram -ddr 2.5V ~ 2.7V 66-tsop 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 256mbit 700 PS 음주 16m x 16 평행한 15ns
MT40A256M16GE-075E:B Micron Technology Inc. MT40A256M16GE-075E : b -
RFQ
 ECAD 2156 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA MT40A256M16 sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 96-FBGA (9x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,020 1.33 GHz 휘발성 휘발성 4gbit 음주 256m x 16 평행한 -
MT28EW01GABA1HPC-0SIT TR Micron Technology Inc. mt28ew01gaba1hpc-0sit tr 20.4100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-lbga MT28ew01 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 64-lbga (11x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 비 비 1gbit 95 ns 플래시 128m x 8, 64m x 16 평행한 60ns
MT46V256M4P-75:A TR Micron Technology Inc. MT46V256M4P-75 : A TR -
RFQ
 ECAD 1252 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V256M4 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 750 ps 음주 256m x 4 평행한 15ns
MT53E512M64D4NW-053 WT:E Micron Technology Inc. MT53E512M64D4NW-053 WT : e -
RFQ
 ECAD 7235 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 432-VFBGA MT53E512 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 432-VFBGA (15x15) - 쓸모없는 0000.00.0000 1,190 1.866 GHz 휘발성 휘발성 32gbit 음주 512m x 64 - -
MTFC64GANALAM-WT TR Micron Technology Inc. MTFC64Ganalam-WT Tr -
RFQ
 ECAD 1412 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - - MTFC64 - - Rohs3 준수 3 (168 시간) mtfc64ganalam-wttr 쓸모없는 0000.00.0000 1,000
NAND02GAH0IZC5E Micron Technology Inc. NAND02GAH0IZC5E -
RFQ
 ECAD 6535 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -25 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 153-LFBGA NAND02G 플래시 - NAND 3.135V ~ 3.465V 153-LFBGA (11.5x13) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 -nand02gah0izc5e 3A991B1A 8542.32.0071 136 52MHz 비 비 2gbit 플래시 256m x 8 MMC -
MT47H32M16NF-25E AIT:H TR Micron Technology Inc. MT47H32M16NF-25E AIT : H TR 4.4952
RFQ
 ECAD 5984 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 84-TFBGA MT47H32M16 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-FBGA (8x12.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 MT47H32M16NF-25EAIT : HTR 귀 99 8542.32.0028 2,000 400MHz 휘발성 휘발성 512mbit 400 PS 음주 32m x 16 평행한 15ns
MT29F128G08CEAAAC5:A Micron Technology Inc. MT29F128G08CEAAC5 : a -
RFQ
 ECAD 6020 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 52-VLGA MT29F128G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 52-VLGA (18x14) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 128gbit 플래시 16g x 8 평행한 -
MT53B256M64D2NK-053 WT ES:C TR Micron Technology Inc. MT53B256M64D2NK-053 WT ES : C TR -
RFQ
 ECAD 6559 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - MT53B256 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,000 1.866 GHz 휘발성 휘발성 16gbit 음주 256m x 64 - -
MTFC128GAZAQJP-AIT TR Micron Technology Inc. mtfc128gazaqjp-ait tr 57.4500
RFQ
 ECAD 3514 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 153-VFBGA MTFC128 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 153-VFBGA (11.5x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 557-MTFC128GAZAQJP-AITTR 2,000 200MHz 비 비 1tbit 플래시 128g x 8 MMC -
MT41J128M8JP-15E AIT:G Micron Technology Inc. MT41J128M8JP-15E AIT : g -
RFQ
 ECAD 3071 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT41J128M8 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 78-FBGA (8x11.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 667 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 음주 128m x 8 평행한 -
MT29F1G16ABBFAH4-AAT:F TR Micron Technology Inc. MT29F1G16ABBFAH4-AAT : F TR 2.9665
RFQ
 ECAD 1359 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA MT29F1G16 플래시 -Nand (SLC) 1.7V ~ 1.95V 63-VFBGA (9x11) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 557-MT29F1G16ABBFAH4-AAT : FTR 8542.32.0071 2,000 비 비 1gbit 플래시 64m x 16 평행한 -
MT38M4041A3034EZZI.XK6 TR Micron Technology Inc. MT38M4041A3034EZZI.XK6 TR -
RFQ
 ECAD 2754 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 56-VFBGA MT38M4041 플래시 - 아니오, psram 1.7V ~ 1.95V 56-VFBGA (8x8) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 2,500 133 MHz 비 비, 휘발성 256mbit ((), 128mbit (RAM) 플래시, 램 16m x 16, 8m x 16 평행한 -
MTFC4GLDEA-0M WT Micron Technology Inc. MTFC4GLDEA-0M WT -
RFQ
 ECAD 3198 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 쟁반 쓸모없는 -25 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 153-WFBGA MTFC4 플래시 - NAND 1.65V ~ 3.6V 153-WFBGA (11.5x13) 다운로드 rohs 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 32gbit 플래시 4G X 8 MMC -
MT57W512H36BF-7.5 Micron Technology Inc. MT57W512H36BF-7.5 23.0000
RFQ
 ECAD 325 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-TBGA MT57W512H SRAM -DDR2 1.7V ~ 1.9V 165-FBGA (13x15) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz 휘발성 휘발성 18mbit 7.5 ns SRAM 512k x 36 평행한 -
M29W640GL70NB6E Micron Technology Inc. M29W640GL70NB6E -
RFQ
 ECAD 5667 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) M29W640 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 56-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 576 비 비 64mbit 70 ns 플래시 8m x 8, 4m x 16 평행한 70ns
RC48F4400P0VB0E3 Micron Technology Inc. RC48F4400P0VB0E3 -
RFQ
 ECAD 6588 0.00000000 Micron Technology Inc. Axcell ™ 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 64-TBGA RC48F4400 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 64-EASYBGA (8x10) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 144 52MHz 비 비 512mbit 100 ns 플래시 32m x 16 평행한 100ns
MT46V16M16TG-5G:F Micron Technology Inc. MT46V16M16TG-5G : f -
RFQ
 ECAD 1225 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V16M16 sdram -ddr 2.5V ~ 2.7V 66-tsop 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 256mbit 700 PS 음주 16m x 16 평행한 15ns
M29W640GST70ZF6E Micron Technology Inc. M29W640GST70ZF6E -
RFQ
 ECAD 3949 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-TBGA M29W640 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 64-TBGA (10x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 -M29W640GST70ZF6E 3A991B1A 8542.32.0071 816 비 비 64mbit 70 ns 플래시 8m x 8, 4m x 16 평행한 70ns
MT53D4DAKA-DC Micron Technology Inc. MT53D4DAKA-DC -
RFQ
 ECAD 7247 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 - - MT53D4 sdram- 모바일 lpddr4 - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 1,140 휘발성 휘발성 음주
MT48LC4M16A2TG-6:G TR Micron Technology Inc. MT48LC4M16A2TG-6 : G TR -
RFQ
 ECAD 5448 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC4M16A2 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 167 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5.5 ns 음주 4m x 16 평행한 12ns
MT45W4MW16PFA-70 WT Micron Technology Inc. MT45W4MW16PFA-70 WT -
RFQ
 ECAD 5206 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 sic에서 중단되었습니다 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 48-VFBGA MT45W4MW16 psram (의사 sram) 1.7V ~ 1.95V 48-VFBGA (6x8) 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 휘발성 휘발성 64mbit 70 ns psram 4m x 16 평행한 70ns
MT53B256M64D2NK-053 WT:C TR Micron Technology Inc. MT53B256M64D2NK-053 WT : C TR -
RFQ
 ECAD 8563 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - MT53B256 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 1.866 GHz 휘발성 휘발성 16gbit 음주 256m x 64 - -
MT46V32M16FN-5B:C TR Micron Technology Inc. MT46V32M16FN-5B : C TR -
RFQ
 ECAD 9488 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA MT46V32M16 sdram -ddr 2.5V ~ 2.7V 60-FBGA (10x12.5) - rohs 비준수 5 (48 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 32m x 16 평행한 15ns
M29W640GB70NB6E Micron Technology Inc. M29W640GB70NB6E -
RFQ
 ECAD 6267 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) M29W640 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 56-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 96 비 비 64mbit 70 ns 플래시 8m x 8, 4m x 16 평행한 70ns
MTFC64GJDDN-3M WT Micron Technology Inc. MTFC64GJDDN-3M WT -
RFQ
 ECAD 8924 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 쟁반 쓸모없는 -25 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 169-LFBGA MTFC64 플래시 - NAND 1.65V ~ 3.6V 169-LFBGA (14x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8523.51.0000 980 비 비 512gbit 플래시 64g x 8 MMC -
MT29F2G16ABBEAHC-IT:E TR Micron Technology Inc. MT29F2G16ABBEAHC-IT : E TR -
RFQ
 ECAD 2059 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA MT29F2G16 플래시 - NAND 1.7V ~ 1.95V 63-VFBGA (10.5x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 2gbit 플래시 128m x 16 평행한 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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