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메모리 (10402)

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MT53D384M32D2DS-053 AUT:C Micron Technology Inc. MT53D384M32D2DS-053 AUT : c -
RFQ
 ECAD 8014 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 200-WFBGA MT53D384 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,360 1.866 GHz 휘발성 휘발성 12gbit 음주 384m x 32 - -
EDFP112A3PB-GD-F-D TR Micron Technology Inc. EDFP112A3PB-GD-FD TR -
RFQ
 ECAD 4587 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TA) - - EDFP112 sdram- 모바일 lpddr3 1.14V ~ 1.95V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1 800MHz 휘발성 휘발성 24gbit 음주 192m x 128 평행한 -
MT29GZ6A6BPIET-046AIT.112 TR Micron Technology Inc. MT29GZ6A6BPIET-046AIT.112 TR 18.3750
RFQ
 ECAD 2603 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 149-VFBGA 플래시 -Nand (SLC), DRAM -LPDDR4 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V 149-VFBGA (8x9.5) - 557-MT29GZ6A6BPIET-046AIT.112TR 2,000 비 비, 휘발성 8gbit 25 ns 플래시, 램 1g x 8 onfi 30ns
MT28EW01GABA1HPC-0AAT TR Micron Technology Inc. mt28ew01gaba1hpc-0aat tr -
RFQ
 ECAD 2855 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 64-lbga MT28ew01 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 64-lbga (11x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 비 비 1gbit 105 ns 플래시 128m x 8, 64m x 16 평행한 60ns
MT40A1G16HBA-083E:A Micron Technology Inc. MT40A1G16HBA-083E : a -
RFQ
 ECAD 9455 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA MT40A1G16 sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 96-FBGA (9.5x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,020 1.2GHz 휘발성 휘발성 16gbit 음주 1g x 16 평행한 -
NAND02GR3B2DZA6E Micron Technology Inc. NAND02GR3B2DZA6E -
RFQ
 ECAD 8415 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 63-TFBGA NAND02G 플래시 - NAND 1.7V ~ 1.95V 63-VFBGA (9.5x12) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 -Nand02gr3b2dza6e 3A991B1A 8542.32.0051 1,260 비 비 2gbit 45 ns 플래시 256m x 8 평행한 45ns
M29W800DT45ZE6E Micron Technology Inc. M29W800DT45ZE6E -
RFQ
 ECAD 9155 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFBGA M29W800 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0051 1,122 비 비 8mbit 45 ns 플래시 1m x 8, 512k x 16 평행한 45ns
RC28F128J3F75F Micron Technology Inc. RC28F128J3F75F -
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 ECAD 6114 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-TBGA RC28F128 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 64-ESYBGA (10x13) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 144 비 비 128mbit 75 ns 플래시 16m x 8, 8m x 16 평행한 75ns
M29DW640F70ZE6E Micron Technology Inc. M29DW640F70ZE6E -
RFQ
 ECAD 1002 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFBGA M29DW640 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 187 비 비 64mbit 70 ns 플래시 8m x 8, 4m x 16 평행한 70ns
MT46V16M16P-5B:M TR Micron Technology Inc. MT46V16M16P-5B : M TR -
RFQ
 ECAD 9973 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V16M16 sdram -ddr 2.5V ~ 2.7V 66-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 256mbit 700 PS 음주 16m x 16 평행한 15ns
PC48F4400P0VB0E4 Micron Technology Inc. PC48F4400P0VB0E4 -
RFQ
 ECAD 8876 0.00000000 Micron Technology Inc. Axcell ™ 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 64-lbga PC48F4400 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 64-ESYBGA (10x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 144 52MHz 비 비 512mbit 100 ns 플래시 32m x 16 평행한 100ns
MTFC32GAPALNA-AAT ES Micron Technology Inc. MTFC32GAPALNA-AAT ES -
RFQ
 ECAD 4700 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 100-tbga MTFC32G 플래시 - NAND - 100-TBGA (14x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 980 비 비 256gbit 플래시 32g x 8 MMC -
MT42L128M64D2MC-25 WT:A TR Micron Technology Inc. MT42L128M64D2MC-25 WT : A TR -
RFQ
 ECAD 9171 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 240-WFBGA MT42L128M64 sdram- 모바일 lpddr2 1.14V ~ 1.3V 240-FBGA (14x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0036 1,000 400MHz 휘발성 휘발성 8gbit 음주 128m x 64 평행한 -
MTFC16GAKAECN-4M IT Micron Technology Inc. MTFC16GAKAECN-4M IT -
RFQ
 ECAD 4694 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 153-VFBGA MTFC16 플래시 - NAND 1.7V ~ 1.9V 153-VFBGA (11.5x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,520 비 비 128gbit 플래시 16g x 8 MMC -
MT46V32M16FN-6:F Micron Technology Inc. MT46V32M16FN-6 : f -
RFQ
 ECAD 5081 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA MT46V32M16 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 60-FBGA (10x12.5) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 32m x 16 평행한 15ns
MT48LC64M8A2TG-75:C TR Micron Technology Inc. MT48LC64M8A2TG-75 : C TR -
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 ECAD 7990 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC64M8A2 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 rohs 비준수 4 (72 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5.4 ns 음주 64m x 8 평행한 15ns
MT49H8M36BM-TI:B TR Micron Technology Inc. MT49H8M36BM-TI : B TR -
RFQ
 ECAD 7219 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 144-TFBGA MT49H8M36 음주 1.7V ~ 1.9V 144-µBGA (18.5x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0028 1,000 휘발성 휘발성 288mbit 음주 8m x 36 평행한 -
MT41K1G8SN-107:A Micron Technology Inc. MT41K1G8SN-107 : a -
RFQ
 ECAD 3257 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT41K1G8 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (9x13.2) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,020 933 MHz 휘발성 휘발성 8gbit 20 ns 음주 1g x 8 평행한 -
MT35XL256ABA2GSF-0AAT TR Micron Technology Inc. MT35XL256ABA2GSF-0AAT TR -
RFQ
 ECAD 1077 0.00000000 Micron Technology Inc. XCCELA ™ -MT35X 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 24-TBGA MT35XL256 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 24-T-PBGA (6x8) - 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 1,000 133 MHz 비 비 256mbit 플래시 32m x 8 xccela 버스 -
EDFA364A3MA-GD-F-R Micron Technology Inc. EDFA364A3MA-GD-FR -
RFQ
 ECAD 8194 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - EDFA364 sdram- 모바일 lpddr3 1.14V ~ 1.95V - - 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 2,000 800MHz 휘발성 휘발성 16gbit 음주 256m x 64 평행한 -
M25PX16-VMN6TP TR Micron Technology Inc. M25PX16-VMN6TP TR -
RFQ
 ECAD 9813 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) M25PX16 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 2,500 75MHz 비 비 16mbit 플래시 2m x 8 SPI 15ms, 5ms
MT48LC64M4A2TG-6A:D Micron Technology Inc. MT48LC64M4A2TG-6A : d -
RFQ
 ECAD 8081 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC64M4A2 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 64m x 4 평행한 12ns
MT29F2T08CVCBBG6-6C:B Micron Technology Inc. MT29F2T08CVCBBG6-6C : b -
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 ECAD 2510 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 272-LFBGA MT29F2T08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 272-LFBGA (14x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1 167 MHz 비 비 2tbit 플래시 256g x 8 평행한 -
M25P10-V6D11 Micron Technology Inc. M25P10-V6D11 -
RFQ
 ECAD 5924 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) - - M25P10 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V - - Rohs3 준수 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 1 50MHz 비 비 1mbit 플래시 128k x 8 SPI -
NAND08GW3D2AN6E Micron Technology Inc. NAND08GW3D2AN6E -
RFQ
 ECAD 9190 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) NAND08G 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 -Nand08gw3d2an6e 3A991B1A 8542.32.0071 96 비 비 8gbit 25 ns 플래시 1g x 8 평행한 25ns
MT53D384M64D4NY-046 XT:D Micron Technology Inc. MT53D384M64D4NY-046 XT : d -
RFQ
 ECAD 8976 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -30 ° C ~ 105 ° C (TC) - - MT53D384 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,190 2.133 GHz 휘발성 휘발성 24gbit 음주 384m x 64 - -
N25Q064A13E14D1F TR Micron Technology Inc. N25Q064A13E14D1F TR -
RFQ
 ECAD 4910 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA N25Q064A13 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 24-T-PBGA (6x8) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 108 MHz 비 비 64mbit 플래시 16m x 4 SPI 8ms, 5ms
MT41K1G4THV-15E:M Micron Technology Inc. MT41K1g4thv-15e : m -
RFQ
 ECAD 7586 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT41K1G4 sdram -ddr3 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (8x11.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0036 1,000 667 MHz 휘발성 휘발성 4gbit 13.5 ns 음주 1g x 4 평행한 -
M29F400BB70N1 Micron Technology Inc. M29F400BB70N1 -
RFQ
 ECAD 4654 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) M29F400 플래시 - 아니오 4.5V ~ 5.5V 48-tsop - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 96 비 비 4mbit 70 ns 플래시 512k x 8, 256k x 16 평행한 70ns
MT42L32M16D1AB-3 WT:A Micron Technology Inc. MT42L32M16D1AB-3 WT : a -
RFQ
 ECAD 7757 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 121-WFBGA MT42L32M16 sdram- 모바일 lpddr2 1.14V ~ 1.95V 121-FBGA (6.5x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0036 1,000 333 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 음주 32m x 16 평행한 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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