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메모리 (10402)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	시계 시계	메모리 메모리	메모리 메모리	액세스 액세스	메모리 메모리	메모리 메모리	메모리 메모리	쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
MT46V256M4P-6T : a	-	RFQ	8160	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비)	MT46V256M4	sdram -ddr	2.3V ~ 2.7V	66-tsop	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0032	1,000	167 MHz	휘발성 휘발성	1gbit	700 PS	음주	256m x 4	평행한	15ns
MT29RZ4B4DZZNGPL-18WE.4U2	-	RFQ	9678	Micron Technology Inc.	-	대부분	쓸모없는				MT29RZ4				-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,000
MT29VZZZBC9FQOPR-053 W ES.G9G TR	-	RFQ	1919	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는				MT29VZZZBC9				-		1 (무제한)			쓸모없는	0000.00.0000	1,000
MT49H16M36SJ-25 IT : b	-	RFQ	8225	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	144-TFBGA	MT49H16M36	음주	1.7V ~ 1.9V	144-FBGA (18.5x11)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B2A	8542.32.0028	1,120	400MHz	휘발성 휘발성	576mbit	20 ns	음주	16m x 36	평행한	-
MT42L128M32D2MH-25 IT : a	-	RFQ	9978	Micron Technology Inc.	-	대부분	쓸모없는	-25 ° C ~ 85 ° C (TC)	표면 표면	134-VFBGA	MT42L128M32	sdram- 모바일 lpddr2	1.14V ~ 1.3V	134-FBGA (11x11.5)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)			귀 99	8542.32.0036	1,000	400MHz	휘발성 휘발성	4gbit		음주	128m x 32	평행한	-
MT53D384M32D2DS-053 AIT : c	-	RFQ	9200	Micron Technology Inc.	자동차, AEC-Q100	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	200-WFBGA	MT53D384	sdram- 모바일 lpddr4	1.1V	200-WFBGA (10x14.5)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)			쓸모없는	0000.00.0000	1,360	1.866 GHz	휘발성 휘발성	12gbit		음주	384m x 32	-	-
MT53D4DCFL-DC TR	-	RFQ	6840	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다				MT53D4				-			영향을받지 영향을받지			0000.00.0000	2,000
EDFP112A3PF-GD-FR TR	-	RFQ	3408	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-30 ° C ~ 85 ° C (TA)	-	-	EDFP112	sdram- 모바일 lpddr3	1.14V ~ 1.95V	-	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)			쓸모없는	0000.00.0000	1,000	800MHz	휘발성 휘발성	24gbit		음주	192m x 128	평행한	-
MT38W1011A90YZQXZI.XB8 TR	-	RFQ	3213	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는								-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		쓸모없는	0000.00.0000	2,500
MT41J256M16HA-107 : e	-	RFQ	8448	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	96-TFBGA	MT41J256M16	sdram -ddr3	1.425V ~ 1.575V	96-FBGA (9x14)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0036	1,000	933 MHz	휘발성 휘발성	4gbit	20 ns	음주	256m x 16	평행한	-
M50FW040N5G	-	RFQ	2182	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-20 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	40-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	M50FW040	플래시 - 아니오	3V ~ 3.6V	40-tsop	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0071	120	33MHz	비 비	4mbit	250 ns	플래시	512k x 8	평행한	-
MT41K1G8SN-125 : A TR	-	RFQ	4434	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	78-TFBGA	MT41K1G8	sdram -ddr3l	1.283V ~ 1.45V	78-FBGA (9x13.2)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)		MT41K1G8SN-125 : ATR	귀 99	8542.32.0036	2,000	800MHz	휘발성 휘발성	8gbit	13.75 ns	음주	1g x 8	평행한	-
MT25QU128ABA8ESF-0SIT TR	3.2342	RFQ	3142	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)	MT25QU128	플래시 - 아니오	1.7V ~ 2V	16- 형의 행위	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	133 MHz	비 비	128mbit		플래시	16m x 8	SPI	8ms, 2.8ms
MT29F32G08ABAAAWP-IT : A TR	-	RFQ	5802	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	MT29F32G08	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	48-tsop i	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)			3A991B1A	8542.32.0071	1,000		비 비	32gbit		플래시	4G X 8	평행한	-
MT40A512M8RH-075E : b	-	RFQ	2674	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	78-TFBGA	MT40A512M8	sdram -ddr4	1.14V ~ 1.26V	78-FBGA (9x10.5)	-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0036	1,260	1.33 GHz	휘발성 휘발성	4gbit		음주	512m x 8	평행한	-
EDFA112A2PD-GD-FR TR	-	RFQ	5454	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	-	-	EDFA112	sdram- 모바일 lpddr3	1.14V ~ 1.95V	-	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)			쓸모없는	0000.00.0000	1,000	800MHz	휘발성 휘발성	16gbit		음주	128m x 128	평행한	-
MT47H64M16HR-3 L : g	-	RFQ	3545	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 85 ° C (TC)	표면 표면	84-TFBGA	MT47H64M16	sdram -ddr2	1.7V ~ 1.9V	84-FBGA (8x12.5)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0032	1,000	333 MHz	휘발성 휘발성	1gbit	450 ps	음주	64m x 16	평행한	15ns
MT35XL256ABA2G12-0AAT TR	-	RFQ	5534	Micron Technology Inc.	XCCELA ™ -MT35X	테이프 & tr (TR)	마지막으로 마지막으로	-40 ° C ~ 105 ° C	표면 표면	24-TBGA	MT35XL256	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	24-T-PBGA (6x8)	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	2,000	133 MHz	비 비	256mbit		플래시	32m x 8	xccela 버스	-
MT46V32M16BN-5B : c	-	RFQ	6863	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	60-TFBGA	MT46V32M16	sdram -ddr	2.5V ~ 2.7V	60-FBGA (10x12.5)	-	Rohs3 준수	5 (48 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0024	1,000	200MHz	휘발성 휘발성	512mbit	700 PS	음주	32m x 16	평행한	15ns
MT53B384M32D2DS-062 XT : B TR	-	RFQ	7833	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-30 ° C ~ 105 ° C (TC)	표면 표면	200-WFBGA	MT53B384	sdram- 모바일 lpddr4	1.1V	200-WFBGA (10x14.5)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0036	2,000	1.6GHz	휘발성 휘발성	12gbit		음주	384m x 32	-	-
PC28F256P30B85A	-	RFQ	1913	Micron Technology Inc.	Strataflash ™	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	64-TBGA	PC28F256	플래시 - 아니오	1.7V ~ 2V	64-ESYBGA (10x13)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	144	52MHz	비 비	256mbit	85 ns	플래시	16m x 16	평행한	85ns
MT53D768M64D8RG-053 WT ES : D TR	-	RFQ	4424	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	-	-	MT53D768	sdram- 모바일 lpddr4	1.1V	-	-		1 (무제한)			귀 99	8542.32.0036	1,000	1.866 GHz	휘발성 휘발성	48gbit		음주	768m x 64	-	-
M29F400FB55N3F2 TR	-	RFQ	3491	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	M29F400	플래시 - 아니오	4.5V ~ 5.5V	48-tsop i	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0071	1,500		비 비	4mbit	55 ns	플래시	512k x 8, 256k x 16	평행한	55ns
MT28FW512ABA1HPC -0AAT	-	RFQ	2632	Micron Technology Inc.	자동차, AEC-Q100	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	표면 표면	64-lbga	MT28FW512	플래시 - 아니오	1.7V ~ 3.6V	64-lbga (11x13)	-		3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,104		비 비	512mbit	105 ns	플래시	32m x 16	평행한	60ns
MT35XL256ABA1G12-0AAT TR	-	RFQ	2172	Micron Technology Inc.	XCCELA ™ -MT35X	테이프 & tr (TR)	마지막으로 마지막으로	-40 ° C ~ 105 ° C	표면 표면	24-TBGA	MT35XL256	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	24-T-PBGA (6x8)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	2,000	133 MHz	비 비	256mbit		플래시	32m x 8	xccela 버스	-
M25P16-V6D11	-	RFQ	5353	Micron Technology Inc.	-	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	-	-	M25P16	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	-	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0071	1	75MHz	비 비	16mbit		플래시	2m x 8	SPI	-
MT61K512M32KPA-14 : B TR	-	RFQ	4897	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	180-TFBGA	MT61K512	sgram -gddr6	1.31V ~ 1.391V	180-FBGA (12x14)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)		MT61K512M32KPA-14 : BTR	귀 99	8542.32.0036	2,000	7GHz	휘발성 휘발성	16gbit		음주	512m x 32	평행한	-
MT53D4DAWT-DC	-	RFQ	8084	Micron Technology Inc.	-	쟁반	활동적인		-	-	MT53D4	sdram- 모바일 lpddr4		-	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지			0000.00.0000	1,190		휘발성 휘발성			음주
MT29F1G08ABAEAH4-AATX : E TR	2.6952	RFQ	5025	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	표면 표면	63-VFBGA	MT29F1G08	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	63-VFBGA (9x11)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		비 비	1gbit		플래시	128m x 8	평행한	-
MT41K1G4RH-107 : e	-	RFQ	7299	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	78-TFBGA	MT41K1G4	sdram -ddr3l	1.283V ~ 1.45V	78-FBGA (9x10.5)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)			귀 99	8542.32.0036	1,000	933 MHz	휘발성 휘발성	4gbit	20 ns	음주	1g x 4	평행한	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

메모리 (10402)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²