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메모리 (10402)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 ECCN HTSUS 표준 표준 시계 시계 메모리 메모리 메모리 메모리 액세스 액세스 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
MT46V64M8FN-6 IT:F TR Micron Technology Inc. MT46V64M8FN-6 IT : F TR -
RFQ
 ECAD 6683 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA MT46V64M8 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 60-FBGA (10x12.5) 다운로드 rohs 비준수 5 (48 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 64m x 8 평행한 15ns
MT46V64M8P-6T:F Micron Technology Inc. MT46V64M8P-6T : f -
RFQ
 ECAD 2941 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V64M8 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-tsop 다운로드 Rohs3 준수 4 (72 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 64m x 8 평행한 15ns
N25Q128A13ESEC0E Micron Technology Inc. N25Q128A13ESEC0E -
RFQ
 ECAD 8151 0.00000000 Micron Technology Inc. - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) N25Q128A13 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-SOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,800 108 MHz 비 비 128mbit 플래시 32m x 4 SPI 8ms, 5ms
MT47H32M16CC-3:B TR Micron Technology Inc. MT47H32M16CC-3 : B TR -
RFQ
 ECAD 9081 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 84-TFBGA MT47H32M16 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-FBGA (12x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 5 (48 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 333 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 450 ps 음주 32m x 16 평행한 15ns
MT48V4M32LFB5-10 IT:G TR Micron Technology Inc. MT48V4M32LFB5-10 IT : G TR -
RFQ
 ECAD 8018 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-VFBGA MT48V4M32 sdram- 모바일 lpsdr 2.3V ~ 2.7V 90-VFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 100MHz 휘발성 휘발성 128mbit 7 ns 음주 4m x 32 평행한 15ns
MT48LC16M16A2TG-75 L:D TR Micron Technology Inc. MT48LC16M16A2TG-75 L : D TR -
RFQ
 ECAD 9851 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC16M16A2 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 16m x 16 평행한 15ns
MT47H64M16HR-187E:H TR Micron Technology Inc. MT47H64M16HR-187E : H TR -
RFQ
 ECAD 5148 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 84-TFBGA MT47H64M16 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-FBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0032 1,000 533 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 350 ps 음주 64m x 16 평행한 15ns
MT48LC8M16A2TG-6A:G Micron Technology Inc. MT48LC8M16A2TG-6A : g -
RFQ
 ECAD 9413 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC8M16A2 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 167 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.4 ns 음주 8m x 16 평행한 12ns
MT49H32M18CSJ-25E:B Micron Technology Inc. MT49H32M18CSJ-25E : b -
RFQ
 ECAD 1434 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 144-TFBGA MT49H32M18 음주 1.7V ~ 1.9V 144-FBGA (18.5x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0028 1,120 400MHz 휘발성 휘발성 576mbit 15 ns 음주 32m x 18 평행한 -
MT29F1T08CUCCBH8-6R:C TR Micron Technology Inc. MT29F1T08CUCCBH8-6R : C TR -
RFQ
 ECAD 3595 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 152-lbga MT29F1T08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 152-lbga (14x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 167 MHz 비 비 1tbit 플래시 128g x 8 평행한 -
MT46V16M16CY-5B:M TR Micron Technology Inc. MT46V16M16CY-5B : M TR -
RFQ
 ECAD 9692 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA MT46V16M16 sdram -ddr 2.5V ~ 2.7V 60-FBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 256mbit 700 PS 음주 16m x 16 평행한 15ns
MTFC16GJGEF-AIT Z Micron Technology Inc. mtfc16gjgef-ait z -
RFQ
 ECAD 7447 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 169-TFBGA MTFC16G 플래시 - NAND 1.65V ~ 3.6V 169-TFBGA (14x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 980 비 비 128gbit 플래시 16g x 8 MMC -
MT29F128G08EBEBBWP:B Micron Technology Inc. MT29F128G08EBEBBWP : b -
RFQ
 ECAD 5917 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F128G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1 비 비 128gbit 플래시 16g x 8 평행한 -
MT46V128M4BN-5B:F TR Micron Technology Inc. MT46V128M4BN-5B : F TR -
RFQ
 ECAD 1315 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA MT46V128M4 sdram -ddr 2.5V ~ 2.7V 60-FBGA (10x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 128m x 4 평행한 15ns
MT28F320J3RP-11 MET Micron Technology Inc. MT28F320J3RP-11 MET -
RFQ
 ECAD 6002 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT28F320J3 플래시 2.7V ~ 3.6V 56-tsop 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 32mbit 110 ns 플래시 4m x 8, 2m x 16 평행한 -
MT45W4MW16PFA-70 WT Micron Technology Inc. MT45W4MW16PFA-70 WT -
RFQ
 ECAD 5206 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 sic에서 중단되었습니다 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 48-VFBGA MT45W4MW16 psram (의사 sram) 1.7V ~ 1.95V 48-VFBGA (6x8) 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 휘발성 휘발성 64mbit 70 ns psram 4m x 16 평행한 70ns
MTFC64GJDDN-3M WT Micron Technology Inc. MTFC64GJDDN-3M WT -
RFQ
 ECAD 8924 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 쟁반 쓸모없는 -25 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 169-LFBGA MTFC64 플래시 - NAND 1.65V ~ 3.6V 169-LFBGA (14x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8523.51.0000 980 비 비 512gbit 플래시 64g x 8 MMC -
MT38W1011A90YZQXZI.XB8 TR Micron Technology Inc. MT38W1011A90YZQXZI.XB8 TR -
RFQ
 ECAD 3213 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 2,500
MT29E3T08EQHBBG2-3ES:B Micron Technology Inc. MT29E3T08EQHBBG2-3ES : b -
RFQ
 ECAD 4752 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 272-LFBGA MT29E3T08 플래시 - NAND 2.5V ~ 3.6V 272-LFBGA (14x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 980 333 MHz 비 비 3tbit 플래시 384g x 8 평행한 -
MT57W512H36BF-7.5 Micron Technology Inc. MT57W512H36BF-7.5 23.0000
RFQ
 ECAD 325 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-TBGA MT57W512H SRAM -DDR2 1.7V ~ 1.9V 165-FBGA (13x15) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz 휘발성 휘발성 18mbit 7.5 ns SRAM 512k x 36 평행한 -
MT41J256M16HA-107:E Micron Technology Inc. MT41J256M16HA-107 : e -
RFQ
 ECAD 8448 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA MT41J256M16 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-FBGA (9x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 933 MHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 256m x 16 평행한 -
M50FW040N5G Micron Technology Inc. M50FW040N5G -
RFQ
 ECAD 2182 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -20 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 40-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) M50FW040 플래시 - 아니오 3V ~ 3.6V 40-tsop - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 120 33MHz 비 비 4mbit 250 ns 플래시 512k x 8 평행한 -
MT29F2G16ABBEAHC-IT:E TR Micron Technology Inc. MT29F2G16ABBEAHC-IT : E TR -
RFQ
 ECAD 2059 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA MT29F2G16 플래시 - NAND 1.7V ~ 1.95V 63-VFBGA (10.5x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 2gbit 플래시 128m x 16 평행한 -
MTFC4GLDEA-0M WT Micron Technology Inc. MTFC4GLDEA-0M WT -
RFQ
 ECAD 3198 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 쟁반 쓸모없는 -25 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 153-WFBGA MTFC4 플래시 - NAND 1.65V ~ 3.6V 153-WFBGA (11.5x13) 다운로드 rohs 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 32gbit 플래시 4G X 8 MMC -
M29W640GL70NB6E Micron Technology Inc. M29W640GL70NB6E -
RFQ
 ECAD 5667 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) M29W640 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 56-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 576 비 비 64mbit 70 ns 플래시 8m x 8, 4m x 16 평행한 70ns
M25PX80-VMP6TG0X TR Micron Technology Inc. M25PX80-VMP6TG0X TR -
RFQ
 ECAD 9396 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-vdfn d 패드 M25PX80 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 8-VFQFPN (6x5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 4,000 75MHz 비 비 8mbit 플래시 1m x 8 SPI 15ms, 5ms
M28W640HSB70ZA6E Micron Technology Inc. M28W640HSB70ZA6E -
RFQ
 ECAD 4001 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-TFBGA M28W640 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 64-TFBGA (10.5x6.39) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 816 비 비 64mbit 70 ns 플래시 4m x 16 평행한 70ns
MT29E768G08EEHBBJ4-3:B Micron Technology Inc. mt29e768g08eehbbj4-3 : b -
RFQ
 ECAD 7374 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 132-VBGA MT29E768G08 플래시 - NAND 2.5V ~ 3.6V 132-VBGA (12x18) - 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,120 333 MHz 비 비 768gbit 플래시 96g x 8 평행한 -
MT29F2G01AAAEDH4-ITX:E TR Micron Technology Inc. MT29F2G01AAAEDH4-ITX : E TR -
RFQ
 ECAD 4322 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA MT29F2G01 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 63-VFBGA (9x11) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 2gbit 플래시 2G x 1 SPI -
MT47H128M4B6-25:D TR Micron Technology Inc. MT47H128M4B6-25 : D TR -
RFQ
 ECAD 7712 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 60-FBGA MT47H128M4 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 60-FBGA 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0024 1,000 400MHz 휘발성 휘발성 512mbit 400 PS 음주 128m x 4 평행한 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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