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메모리 (10402)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 시계 시계 메모리 메모리 메모리 메모리 액세스 액세스 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
MTFC128GAZAQJP-AAT Micron Technology Inc. MTFC128GAZAQJP-AAT 73.9500
RFQ
 ECAD 8570 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 153-VFBGA MTFC128 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 153-VFBGA (11.5x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 557-MTFC128GAZAQJP-AAT 1 비 비 1tbit 플래시 128g x 8 EMMC -
MT25QU512ABB8E12-0AUT Micron Technology Inc. MT25QU512ABB8E12-0AUT 14.4100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA MT25QU512 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 24-T-PBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 -mt25qu512abb8e12-0aut 3A991B1A 8542.32.0051 1,122 133 MHz 비 비 512mbit 플래시 64m x 8 SPI 8ms, 2.8ms
MT41K64M16JT-15E:G Micron Technology Inc. MT41K64M16JT-15E : g -
RFQ
 ECAD 2645 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA MT41K64M16 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (8x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0036 1,000 667 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 13.5 ns 음주 64m x 16 평행한 -
MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E Micron Technology Inc. MT53D512M64D4NY-046 XT ES : e -
RFQ
 ECAD 3004 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 쓸모없는 -30 ° C ~ 105 ° C (TC) MT53D512 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V - 1 (무제한) 귀 99 8542.32.0036 1,190 2.133 GHz 휘발성 휘발성 32gbit 음주 512m x 64 - -
MT29F2G08ABAGAH4-AAT:G TR Micron Technology Inc. MT29F2G08ABAGAH4-AAT : G TR 2.7665
RFQ
 ECAD 4829 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA MT29F2G08 플래시 -Nand (SLC) 2.7V ~ 3.6V 63-VFBGA (9x11) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 557-MT29F2G08ABAGAH4-AAT : GTR 8542.32.0071 2,000 비 비 2gbit 20 ns 플래시 256m x 8 평행한 20ns
MT47H64M16HR-25E L:H TR Micron Technology Inc. MT47H64M16HR-25E L : H TR -
RFQ
 ECAD 1185 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 84-TFBGA MT47H64M16 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-FBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0032 1,000 400MHz 휘발성 휘발성 1gbit 400 PS 음주 64m x 16 평행한 15ns
MT53D512M32D2DS-053 WT:D TR Micron Technology Inc. MT53D512M32D2DS-053 WT : D TR -
RFQ
 ECAD 5696 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 200-WFBGA MT53D512 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 1.866 GHz 휘발성 휘발성 16gbit 음주 512m x 32 - -
MTFC32GASAQHD-AAT Micron Technology Inc. MTFC32GASAQHD-AAT 19.1400
RFQ
 ECAD 6760 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 153-VFBGA MTFC32G 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 153-VFBGA (11.5x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1,520 200MHz 비 비 256gbit 플래시 32g x 8 EMMC -
PN28F128M29EWHA TR Micron Technology Inc. PN28F128M29EWHA TR -
RFQ
 ECAD 4127 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) PN28F128M29 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 PN28F128M29ewhatr 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 128mbit 60 ns 플래시 16m x 8, 8m x 16 평행한 60ns
MT53B384M32D2NP-062 AAT:B TR Micron Technology Inc. MT53B384M32D2NP-062 AAT : B TR -
RFQ
 ECAD 5753 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 200-WFBGA MT53B384 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 1.6GHz 휘발성 휘발성 12gbit 음주 384m x 32 - -
MT58L64L32FT-10TR Micron Technology Inc. MT58L64L32ft-10tr 5.5100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Micron Technology Inc. SyncBurst ™ 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp sram- 표준 3.135V ~ 3.6V 100-TQFP (14x20.1) 다운로드 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 3A991B2A 8542.32.0041 500 66MHz 휘발성 휘발성 2mbit 10 ns SRAM 64k x 32 평행한 -
MT44K16M36RB-093E:A TR Micron Technology Inc. MT44K16M36RB-093E : A TR -
RFQ
 ECAD 5693 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 168-TBGA MT44K16M36 음주 1.28V ~ 1.42V 168-BGA (13.5x13.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 1.066 GHz 휘발성 휘발성 576mbit 8 ns 음주 16m x 36 평행한 -
JS28F640J3D75A Micron Technology Inc. JS28F640J3D75A -
RFQ
 ECAD 9368 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) JS28F640J3 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 56-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 576 비 비 64mbit 75 ns 플래시 8m x 8, 4m x 16 평행한 75ns
M29W128GL70N3F TR Micron Technology Inc. M29W128GL70N3F TR -
RFQ
 ECAD 5829 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) M29W128 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 56-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,200 비 비 128mbit 70 ns 플래시 16m x 8, 8m x 16 평행한 70ns
MT44K32M36RCT-125 IT:A TR Micron Technology Inc. MT44K32M36RCT-125 IT : A TR -
RFQ
 ECAD 7599 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 168-lbga MT44K32M36 rldram 3 1.28V ~ 1.42V 168-FBGA (13.5x13.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,000 800MHz 휘발성 휘발성 1.125gbit 12 ns 음주 32m x 36 평행한 -
MT46V64M16P-6T IT:A Micron Technology Inc. MT46V64M16P-6T IT : a -
RFQ
 ECAD 7415 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V64M16 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 1,000 167 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 700 PS 음주 64m x 16 평행한 15ns
MT46H64M16LFBF-6 IT:B Micron Technology Inc. MT46H64M16LFBF-6 IT : b -
RFQ
 ECAD 3242 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 60-VFBGA MT46H64M16 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 60-VFBGA (8x9) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 1,000 166 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 5 ns 음주 64m x 16 평행한 15ns
EDB4064B4PB-1D-F-R TR Micron Technology Inc. EDB4064B4PB-1D-FR TR -
RFQ
 ECAD 9487 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 216-WFBGA EDB4064 sdram- 모바일 lpddr2 1.14V ~ 1.95V 216-WFBGA (12x12) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 533 MHz 휘발성 휘발성 4gbit 음주 64m x 64 평행한 -
MT25QL128QLHS8E3WC2-0AAT Micron Technology Inc. MT25QL128QLHS8E3WC2-0AAT -
RFQ
 ECAD 2025 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 MT25QL128 - 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 1
MT44K16M36RB-093 IT:A Micron Technology Inc. MT44K16M36RB-093 IT : a -
RFQ
 ECAD 6425 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 168-TBGA MT44K16M36 음주 1.28V ~ 1.42V 168-BGA (13.5x13.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0024 1,000 1.066 GHz 휘발성 휘발성 576mbit 10 ns 음주 16m x 36 평행한 -
MT29F1T08GBLBEJ4:B TR Micron Technology Inc. MT29F1T08GBLBEJ4 : B TR -
RFQ
 ECAD 8998 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 132-VBGA MT29F1T08 플래시 - NAND 2.5V ~ 3.6V 132-VBGA (12x18) - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 557-MT29F1T08GBLBEJ4 : BTR 쓸모없는 2,000 비 비 1tbit 플래시 128g x 8 평행한
MT47H256M8THN-25E:H TR Micron Technology Inc. MT47H256M8THN-25E : H TR -
RFQ
 ECAD 9268 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 63-TFBGA MT47H256M8 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 63-FBGA (8x10) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0036 1,000 400MHz 휘발성 휘발성 2gbit 400 PS 음주 256m x 8 평행한 15ns
EDF8164A3MA-GD-F-R TR Micron Technology Inc. EDF8164A3MA-GD-FR TR -
RFQ
 ECAD 2230 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - EDF8164 sdram- 모바일 lpddr3 1.14V ~ 1.95V 253-FBGA (11x11) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,000 800MHz 휘발성 휘발성 8gbit 음주 128m x 64 평행한 -
TE28F128P30T85A Micron Technology Inc. TE28F128P30T85A -
RFQ
 ECAD 4655 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) 28F128p30 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 56-tsop 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 576 40MHz 비 비 128mbit 85 ns 플래시 8m x 16 평행한 85ns
MT53D4DASB-DC Micron Technology Inc. MT53D4DASB-DC -
RFQ
 ECAD 4232 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 쓸모없는 MT53D4 - 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 1,190
MTFC128GAPALNA-AIT ES TR Micron Technology Inc. mtfc128gapalna-ait es tr -
RFQ
 ECAD 6082 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 MTFC128 - 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 1,000
MT53D1024M32D4BD-053 WT:D TR Micron Technology Inc. MT53D1024M32D4BD-053 WT : D TR -
RFQ
 ECAD 7366 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - MT53D1024 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 1.866 GHz 휘발성 휘발성 32gbit 음주 1g x 32 - -
MT47H128M8HQ-3 IT:G Micron Technology Inc. MT47H128M8HQ-3 IT : g -
RFQ
 ECAD 6742 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 60-FBGA MT47H128M8 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 60-FBGA (8x11.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 1,000 333 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 450 ps 음주 128m x 8 평행한 15ns
MT46V16M16TG-5B:F TR Micron Technology Inc. MT46V16M16TG-5B : F TR -
RFQ
 ECAD 2294 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V16M16 sdram -ddr 2.5V ~ 2.7V 66-tsop 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 256mbit 700 PS 음주 16m x 16 평행한 15ns
MT40A256M16GE-075E:B Micron Technology Inc. MT40A256M16GE-075E : b -
RFQ
 ECAD 2156 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA MT40A256M16 sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 96-FBGA (9x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,020 1.33 GHz 휘발성 휘발성 4gbit 음주 256m x 16 평행한 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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