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메모리 (10402)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	시계 시계	메모리 메모리	메모리 메모리	액세스 액세스	메모리 메모리	메모리 메모리	메모리 메모리	쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
MT41K512M8RH-125 AAT : E TR	-	RFQ	8409	Micron Technology Inc.	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 105 ° C (TC)	표면 표면	78-TFBGA	MT41K512M8	sdram -ddr3l	1.283V ~ 1.45V	78-FBGA (9x10.5)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)			귀 99	8542.32.0036	2,000	800MHz	휘발성 휘발성	4gbit	13.75 ns	음주	512m x 8	평행한	-
M29DW640F70N6E	-	RFQ	9285	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	M29DW640	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	48-tsop	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	96		비 비	64mbit	70 ns	플래시	8m x 8, 4m x 16	평행한	70ns
RC48F4400P0TB00A	-	RFQ	8299	Micron Technology Inc.	Strataflash ™	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TC)	표면 표면	64-TBGA	RC48F4400	플래시 - 아니오	2.3V ~ 3.6V	64-EASYBGA (8x10)	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	144	52MHz	비 비	512mbit	85 ns	플래시	32m x 16	평행한	85ns
mtfc8gamalgt-ait tr	-	RFQ	8030	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)			MTFC8	플래시 - NAND	-		-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	557-mtfc8gamalgt-aittr	쓸모없는	8542.32.0071	2,000		비 비	64gbit		플래시	8g x 8	MMC	-
MT58L512L18FF-8.5	15.6400	RFQ	4	Micron Technology Inc.	SyncBurst ™	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	165-TBGA		sram- 표준	3.135V ~ 3.6V	165-FBGA (13x15)	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		3A991B2A	8542.32.0041	1	100MHz	휘발성 휘발성	8mbit	8.5 ns	SRAM	512k x 18	평행한	-
M36P0R8060E0ZAQE	-	RFQ	2030	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는				M36P0R8060				-	Rohs3 준수	3 (168 시간)			3A991B1A	8542.32.0071	253
MT47H128M8BT-37E L : a	-	RFQ	9615	Micron Technology Inc.	-	쟁반	sic에서 중단되었습니다	0 ° C ~ 85 ° C (TC)	표면 표면	92-TFBGA	MT47H128M8	sdram -ddr2	1.7V ~ 1.9V	92-FBGA (11x19)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0032	1,000	267 MHz	휘발성 휘발성	1gbit	400 PS	음주	128m x 8	평행한	15ns
MT46V64M8BN-75 L : D.	-	RFQ	5684	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	60-TFBGA	MT46V64M8	sdram -ddr	2.3V ~ 2.7V	60-FBGA (10x12.5)	-	Rohs3 준수	5 (48 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0024	1,000	133 MHz	휘발성 휘발성	512mbit	750 ps	음주	64m x 8	평행한	15ns
M25P20-VMN3PB	-	RFQ	5699	Micron Technology Inc.	-	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	M25P20	플래시 - 아니오	2.3V ~ 3.6V	도 8-	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0071	2,000	75MHz	비 비	2mbit		플래시	256k x 8	SPI	15ms, 5ms
MT29F1T08GBLCEJ4 : C TR	19.5450	RFQ	2212	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인								-				557-MT29F1T08GBLCEJ4 : CTR			2,000
MT47H128M8JN-3 : h	-	RFQ	3231	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 85 ° C (TC)	표면 표면	60-TFBGA	MT47H128M8	sdram -ddr2	1.7V ~ 1.9V	60-FBGA (8x10)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0032	1,000	333 MHz	휘발성 휘발성	1gbit	450 ps	음주	128m x 8	평행한	15ns
PC28F640P30TF65B TR	-	RFQ	8896	Micron Technology Inc.	Strataflash ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	64-TBGA	PC28F640	플래시 - 아니오	1.7V ~ 2V	64-EASYBGA (8x10)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		쓸모없는	0000.00.0000	2,000	52MHz	비 비	64mbit	65 ns	플래시	4m x 16	평행한	65ns
MT28F800B5WG-8 B TR	-	RFQ	1845	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	MT28F800B5	플래시 - 아니오	4.5V ~ 5.5V	48-tsop i	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0071	1,000		비 비	8mbit	80 ns	플래시	1m x 8, 512k x 16	평행한	80ns
EDFA164A2PH-GD-FR TR	-	RFQ	3285	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	-	-	EDFA164	sdram- 모바일 lpddr3	1.14V ~ 1.95V	-	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)			쓸모없는	0000.00.0000	1,000	800MHz	휘발성 휘발성	16gbit		음주	256m x 64	평행한	-
MT46V32M16P-5B : c	-	RFQ	1595	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비)	MT46V32M16	sdram -ddr	2.5V ~ 2.7V	66-tsop	-	Rohs3 준수	4 (72 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0024	1,000	200MHz	휘발성 휘발성	512mbit	700 PS	음주	32m x 16	평행한	15ns
M25PE16-VMW6TG TR	-	RFQ	1370	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비)	M25PE16	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	8- w	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0071	1,500	75MHz	비 비	16mbit		플래시	2m x 8	SPI	15ms, 3ms
MT40A1G8WE-083E AIT : B TR	-	RFQ	6860	Micron Technology Inc.	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	78-TFBGA	MT40A1G8	sdram -ddr4	1.14V ~ 1.26V	78-FBGA (8x12)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0036	2,000	1.2GHz	휘발성 휘발성	8gbit		음주	1g x 8	평행한	-
JS28F064M29EWLA	-	RFQ	9420	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	JS28F064M29	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	56-tsop	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	576		비 비	64mbit	70 ns	플래시	8m x 8, 4m x 16	평행한	70ns
MT58L64L32ft-10tr	5.5100	RFQ	2	Micron Technology Inc.	SyncBurst ™	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	100-lqfp		sram- 표준	3.135V ~ 3.6V	100-TQFP (14x20.1)	다운로드	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		3A991B2A	8542.32.0041	500	66MHz	휘발성 휘발성	2mbit	10 ns	SRAM	64k x 32	평행한	-
MT25QL128QLHS8E3WC2-0AAT	-	RFQ	2025	Micron Technology Inc.	-	대부분	쓸모없는				MT25QL128				-		1 (무제한)			쓸모없는	0000.00.0000	1
M29W128GL70N3F TR	-	RFQ	5829	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	M29W128	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	56-tsop	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,200		비 비	128mbit	70 ns	플래시	16m x 8, 8m x 16	평행한	70ns
MT25QU512ABB8E12-0AUT	14.4100	RFQ	1	Micron Technology Inc.	자동차, AEC-Q100	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	24-TBGA	MT25QU512	플래시 - 아니오	1.7V ~ 2V	24-T-PBGA (6x8)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	-mt25qu512abb8e12-0aut	3A991B1A	8542.32.0051	1,122	133 MHz	비 비	512mbit		플래시	64m x 8	SPI	8ms, 2.8ms
MT52L512M32D2PF-107 WT : b	31.9800	RFQ	1	Micron Technology Inc.	-	쟁반	활동적인	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	표면 표면	178-VFBGA	MT52L512	sdram- 모바일 lpddr3	1.2V	178-FBGA (11.5x11)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0036	1,890	933 MHz	휘발성 휘발성	16gbit		음주	512m x 32	-	-
MT46V64M8TG-6T IT : F TR	-	RFQ	4588	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비)	MT46V64M8	sdram -ddr	2.3V ~ 2.7V	66-tsop	-	rohs 비준수	4 (72 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0024	1,000	167 MHz	휘발성 휘발성	512mbit	700 PS	음주	64m x 8	평행한	15ns
EDFA164A2PP-GD-FR TR	-	RFQ	5975	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	-	-	EDFA164	sdram- 모바일 lpddr3	1.14V ~ 1.95V	220-FBGA (14x14)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0036	1,000	800MHz	휘발성 휘발성	16gbit		음주	256m x 64	평행한	-
MT48H16M32L2B5-10 TR	-	RFQ	5461	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	90-VFBGA	MT48H16M32	sdram- 모바일 lpsdr	1.7V ~ 1.9V	90-VFBGA (8x13)	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0024	1,000	100MHz	휘발성 휘발성	512mbit	7.5 ns	음주	16m x 32	평행한	-
MT40A1G8WE-075E : b	-	RFQ	9783	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	78-TFBGA	MT40A1G8	sdram -ddr4	1.14V ~ 1.26V	78-FBGA (8x12)	다운로드			영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0036	1,140	1.33 GHz	휘발성 휘발성	8gbit		음주	1g x 8	평행한	-
MT45W4MW16BFB-706 WT TR	-	RFQ	8848	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	표면 표면	54-VFBGA	MT45W4MW16	psram (의사 sram)	1.7V ~ 1.95V	54-VFBGA (6x9)	다운로드	rohs 비준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		3A991B2A	8542.32.0041	2,000		휘발성 휘발성	64mbit	70 ns	psram	4m x 16	평행한	70ns
MT44K32M36RCT-125 IT : A TR	-	RFQ	7599	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	168-lbga	MT44K32M36	rldram 3	1.28V ~ 1.42V	168-FBGA (13.5x13.5)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)			쓸모없는	0000.00.0000	1,000	800MHz	휘발성 휘발성	1.125gbit	12 ns	음주	32m x 36	평행한	-
MT44K16M36RB-093E : A TR	-	RFQ	5693	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	168-TBGA	MT44K16M36	음주	1.28V ~ 1.42V	168-BGA (13.5x13.5)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0024	1,000	1.066 GHz	휘발성 휘발성	576mbit	8 ns	음주	16m x 36	평행한	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

메모리 (10402)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²