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메모리 (10402)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 시계 시계 메모리 메모리 메모리 메모리 액세스 액세스 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
MT46V64M16P-75:A Micron Technology Inc. MT46V64M16P-75 : a -
RFQ
 ECAD 7052 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V64M16 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 750 ps 음주 64m x 16 평행한 15ns
M29W128GL70ZA3E Micron Technology Inc. M29W128GL70ZA3E -
RFQ
 ECAD 5860 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 64-TBGA M29W128 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 64-TBGA (10x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 136 비 비 128mbit 70 ns 플래시 16m x 8, 8m x 16 평행한 70ns
MT29F64G8CBCBBH1-1:B TR Micron Technology Inc. MT29F64G8CBCBBH1-1 : B TR -
RFQ
 ECAD 8593 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 100-VBGA MT29F64G8 100-VBGA (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 1,000
MT29F16G08CBACAWP:C Micron Technology Inc. MT29F16G08CBACAWP : c -
RFQ
 ECAD 9975 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F16G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 16gbit 플래시 2G X 8 평행한 -
M28W640HCT70ZB6E Micron Technology Inc. M28W640HCT70ZB6E -
RFQ
 ECAD 5152 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFBGA M28W640 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 48-TFBGA (6.39x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 160 비 비 64mbit 70 ns 플래시 4m x 16 평행한 70ns
MT29E1T08CPCBBH8-6:B TR Micron Technology Inc. MT29E1T08CPCBBH8-6 : B TR -
RFQ
 ECAD 8340 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 152-lbga MT29E1T08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 152-lbga (14x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,000 167 MHz 비 비 1tbit 플래시 128g x 8 평행한 -
MT29F64G08CBCGBWP-BES:G TR Micron Technology Inc. MT29F64G08CBCGBWP-BES : G TR -
RFQ
 ECAD 1777 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F64G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 64gbit 플래시 8g x 8 평행한 -
MT29TZZZ7D7EKKBT-107 W.97V Micron Technology Inc. MT29TZZZ7D7D7D7EKKBT-107 W.97V -
RFQ
 ECAD 5105 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 1,520
MT46V32M8TG-6T L:G TR Micron Technology Inc. MT46V32M8TG-6T L : G TR -
RFQ
 ECAD 3940 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V32M8 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-tsop 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 700 PS 음주 32m x 8 평행한 15ns
MT29F32G08CBEDBL83A3WC1 Micron Technology Inc. MT29F32G08CBEDBL83A3WC1 -
RFQ
 ECAD 4223 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 주사위 MT29F32G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 주사위 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1 비 비 32gbit 플래시 4G X 8 평행한 -
MT29F128G08CFAAAWP-ITZ:A TR Micron Technology Inc. MT29F128G08CFAAAWP-ITZ : A TR -
RFQ
 ECAD 6141 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F128G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 128gbit 플래시 16g x 8 평행한 -
M29F800FB55N3F2 TR Micron Technology Inc. M29F800FB55N3F2 TR -
RFQ
 ECAD 1592 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) M29F800 플래시 - 아니오 4.5V ~ 5.5V 48-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 1,500 비 비 8mbit 55 ns 플래시 1m x 8, 512k x 16 평행한 55ns
MT41J128M8JP-15E IT:G TR Micron Technology Inc. MT41J128M8JP-15E IT : G TR -
RFQ
 ECAD 8150 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT41J128M8 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 78-FBGA (8x11.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0036 2,000 667 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 음주 128m x 8 평행한 -
MT53B512M64D4NZ-062 WT:D TR Micron Technology Inc. MT53B512M64D4NZ-062 WT : D TR -
RFQ
 ECAD 1266 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - MT53B512 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 1.6GHz 휘발성 휘발성 32gbit 음주 512m x 64 - -
MT48V8M16LFF4-10:G Micron Technology Inc. MT48V8M16LFF4-10 : g -
RFQ
 ECAD 3846 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-VFBGA MT48V8M16 sdram- 모바일 lpsdr 2.3V ~ 2.7V 54-VFBGA (8x8) 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 100MHz 휘발성 휘발성 128mbit 7 ns 음주 8m x 16 평행한 15ns
MT46H8M32LFB5-5:H Micron Technology Inc. MT46H8M32LFB5-5 : h -
RFQ
 ECAD 3542 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 90-VFBGA MT46H8M32 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 90-VFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5 ns 음주 8m x 32 평행한 15ns
MT53D384M32D2DS-053 AUT:C TR Micron Technology Inc. MT53D384M32D2DS-053 AUT : C TR -
RFQ
 ECAD 5094 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 200-WFBGA MT53D384 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 2,000 1.866 GHz 휘발성 휘발성 12gbit 음주 384m x 32 - -
MT62F2G64D8EK-023 WT:B TR Micron Technology Inc. MT62F2G64D8EK-023 WT : B TR 90.4650
RFQ
 ECAD 5802 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -25 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 441-TFBGA sdram- 모바일 lpddr5 1.05V 441-TFBGA (14x14) - 557-MT62F2G64D8EK-023WT : BTR 2,000 4.266 GHz 휘발성 휘발성 128gbit 음주 2G X 64 평행한 -
MT29E384G08EBHBBJ4-3ES:B TR Micron Technology Inc. MT29E384G08EBHBBJ4-3ES : B TR -
RFQ
 ECAD 3009 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 132-VBGA MT29E384G08 플래시 - NAND 2.5V ~ 3.6V 132-VBGA (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 333 MHz 비 비 384gbit 플래시 48g x 8 평행한 -
MT25QL01GBBA8E12-0SIT TR Micron Technology Inc. MT25QL01GBBA8E12-0SIT TR -
RFQ
 ECAD 6302 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA MT25QL01 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 24-T-PBGA (6x8) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 133 MHz 비 비 1gbit 플래시 128m x 8 SPI 8ms, 2.8ms
MTFC4GMWDQ-AIT A Micron Technology Inc. mtfc4gmwdq-ait a -
RFQ
 ECAD 3736 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lbga MTFC4 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 100-lbga (14x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) mtfc4gmwdq-aita 쓸모없는 8542.32.0071 1 비 비 32gbit 플래시 4G X 8 MMC -
MT48LC8M32LFF5-8 Micron Technology Inc. MT48LC8M32LFF5-8 -
RFQ
 ECAD 1088 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 90-VFBGA MT48LC8M32 sdram- 모바일 lpsdr 3V ~ 3.6V 90-VFBGA (8x13) 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 125MHz 휘발성 휘발성 256mbit 7 ns 음주 8m x 32 평행한 15ns
MT51K256M32HF-60 N:B TR Micron Technology Inc. MT51K256M32HF-60 N : B TR 39.0000
RFQ
 ECAD 6445 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 MT51K256 sgram -gddr5 1.3V ~ 1.545V - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 2,000 1.5GHz 휘발성 휘발성 8gbit 숫양 256m x 32 평행한 -
M45PE20-VMP6TG TR Micron Technology Inc. M45PE20-VMP6TG TR -
RFQ
 ECAD 4151 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-vdfn d 패드 M45PE20 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-vdfpn (6x5) (MLP8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 4,000 75MHz 비 비 2mbit 플래시 256k x 8 SPI 15ms, 3ms
MT46H128M16LFB7-5 IT:B Micron Technology Inc. MT46H128M16LFB7-5 IT : b -
RFQ
 ECAD 1164 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 60-VFBGA MT46H128M16 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 60-VFBGA (10x10) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0036 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 2gbit 5 ns 음주 128m x 16 평행한 15ns
M29W320DB7AZA6F TR Micron Technology Inc. M29W320DB7AZA6F TR -
RFQ
 ECAD 9640 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 63-TFBGA M29W320 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 63-TFBGA (7x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 비 비 32mbit 70 ns 플래시 4m x 8, 2m x 16 평행한 70ns
MT28EW128ABA1HJS-0SIT Micron Technology Inc. mt28ew128aba1hjs-0sit 7.1400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT28ew128 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 56-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 557-1776 3A991B1A 8542.32.0071 576 비 비 128mbit 95 ns 플래시 16m x 8, 8m x 16 평행한 60ns
MT62F1G64D4EK-023 AUT:B TR Micron Technology Inc. MT62F1G64D4EK-023 AUT : B TR 73.4400
RFQ
 ECAD 8570 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 441-TFBGA sdram- 모바일 lpddr5 1.05V 441-TFBGA (14x14) - 557-MT62F1G64D4EK-023AUT : BTR 2,000 2.133 GHz 휘발성 휘발성 64gbit 음주 1G X 64 평행한 -
MT48LC64M4A2TG-75 L:D Micron Technology Inc. MT48LC64M4A2TG-75 L : D. -
RFQ
 ECAD 8409 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC64M4A2 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 64m x 4 평행한 15ns
MT49H16M36FM-25E:B Micron Technology Inc. MT49H16M36FM-25E : b -
RFQ
 ECAD 3976 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 144-TFBGA MT49H16M36 음주 1.7V ~ 1.9V 144-µBGA (18.5x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0032 1,000 400MHz 휘발성 휘발성 576mbit 15 ns 음주 16m x 36 평행한 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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