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MT29C1G12MAACAFAKD-6 IT TR Micron Technology Inc. MT29C1G12MAACAFAKD-6 IT TR -
RFQ
ECAD 9106 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 137-TFBGA MT29C1G12 플래시 -Nand, n lpdram 1.7V ~ 1.95V 137-TFBGA (10.5x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 166 MHz 비 비, 휘발성 1GBIT (NAND), 512MBIT (LPDRAM) 플래시, 램 128m x 8 (NAND), 16m x 32 (lpdram) 평행한 -
N25Q256A11EF840E Micron Technology Inc. N25Q256A11EF840E -
RFQ
ECAD 7233 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-vdfn d 패드 N25Q256A11 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 8-vdfpn (mlp8) (8x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 320 108 MHz 비 비 256mbit 플래시 64m x 4 SPI 8ms, 5ms
M29W320DB70N6F TR Micron Technology Inc. M29W320DB70N6F TR -
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ECAD 2808 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) M29W320 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,500 비 비 32mbit 70 ns 플래시 4m x 8, 2m x 16 평행한 70ns
MT29F1G16ABBDAH4-ITX:D Micron Technology Inc. mt29f1g16abbdah4-itx : d -
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ECAD 9000 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA MT29F1G16 플래시 - NAND 1.7V ~ 1.95V 63-VFBGA (9x11) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 비 비 1gbit 플래시 64m x 16 평행한 -
MT48H4M16LFB4-75:H TR Micron Technology Inc. MT48H4M16LFB4-75 : H TR -
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ECAD 9154 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-VFBGA MT48H4M16 sdram- 모바일 lpsdr 1.7V ~ 1.9V 54-VFBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 6 ns 음주 4m x 16 평행한 15ns
MT47H128M16RT-25E IT:C Micron Technology Inc. MT47H128M16RT-25E IT : c 15.2500
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ECAD 270 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 84-TFBGA MT47H128M16 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-FBGA (9x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,260 400MHz 휘발성 휘발성 2gbit 400 PS 음주 128m x 16 평행한 15ns
M25P20-VMN3TPB TR Micron Technology Inc. M25P20-VMN3TPB TR -
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ECAD 9131 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) M25P20 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 2,500 75MHz 비 비 2mbit 플래시 256k x 8 SPI 15ms, 5ms
MT53B512M64D4PV-062 WT ES:C TR Micron Technology Inc. MT53B512M64D4PV-062 WT ES : C TR -
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ECAD 5510 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - MT53B512 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 2,000 1.6GHz 휘발성 휘발성 32gbit 음주 512m x 64 - -
MT48H32M16LFBF-6:B TR Micron Technology Inc. MT48H32M16LFBF-6 : B TR -
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ECAD 3950 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-VFBGA MT48H32M16 sdram- 모바일 lpsdr 1.7V ~ 1.95V 54-VFBGA (6x9) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 166 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5 ns 음주 32m x 16 평행한 15ns
MT29F16G08CBACAWP-IT:C Micron Technology Inc. MT29F16G08CBACAWP-IT : c -
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ECAD 8607 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F16G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 16gbit 플래시 2G X 8 평행한 -
MT48LC8M16LFF4-8 XT:G Micron Technology Inc. MT48LC8M16LFF4-8 XT : g -
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ECAD 4663 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 sic에서 중단되었습니다 -20 ° C ~ 75 ° C (TA) 표면 표면 54-VFBGA MT48LC8M16 sdram- 모바일 lpsdr 3V ~ 3.6V 54-VFBGA (8x8) 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 125MHz 휘발성 휘발성 128mbit 7 ns 음주 8m x 16 평행한 15ns
M45PE10-VMP6TG TR Micron Technology Inc. M45PE10-VMP6TG TR -
RFQ
ECAD 2485 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-vdfn d 패드 M45PE10 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-vdfpn (6x5) (MLP8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 4,000 75MHz 비 비 1mbit 플래시 128k x 8 SPI 3ms
M25P10-AVMP6T TR Micron Technology Inc. M25P10-AVMP6T TR -
RFQ
ECAD 6852 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-vdfn d 패드 M25P10 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 8-VFQFPN (6x5) 다운로드 rohs 비준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 4,000 50MHz 비 비 1mbit 플래시 128k x 8 SPI 15ms, 5ms
MT29VZZZAC8FQKSL-053 W.G8F TR Micron Technology Inc. MT29VZZZAC8FQKSL-053 W.G8F TR -
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ECAD 7743 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 MT29VZZZAC8 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 1,000
EDB4432BBPA-1D-F-D Micron Technology Inc. EDB4432BBPA-1D-FD -
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ECAD 3833 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 168-WFBGA EDB4432 sdram- 모바일 lpddr2 1.14V ~ 1.95V 168-FBGA (12x12) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,680 533 MHz 휘발성 휘발성 4gbit 음주 128m x 32 평행한 -
MT53D8D1ASQ-DC TR Micron Technology Inc. MT53D8D1ASQ-DC TR -
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ECAD 8359 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 MT53d8 - 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 2,000
N25Q512A83G1241E Micron Technology Inc. N25Q512A83G1241E -
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ECAD 8866 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA N25Q512A83 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 24-T-PBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 187 108 MHz 비 비 512mbit 플래시 128m x 4 SPI 8ms, 5ms
MT48LC16M16A2BG-75 IT:D Micron Technology Inc. MT48LC16M16A2BG-75 IT : d -
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ECAD 6523 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-VFBGA MT48LC16M16A2 sdram 3V ~ 3.6V 54-VFBGA (8x14) 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 16m x 16 평행한 15ns
EDF8164A3PF-JD-F-D Micron Technology Inc. EDF8164A3PF-JD-FD -
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ECAD 3139 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - EDF8164 sdram- 모바일 lpddr3 1.14V ~ 1.95V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,260 933 MHz 휘발성 휘발성 8gbit 음주 128m x 64 평행한 -
MT46V32M16FN-6 IT:F Micron Technology Inc. MT46V32M16FN-6 IT : f -
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ECAD 2642 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA MT46V32M16 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 60-FBGA (10x12.5) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 32m x 16 평행한 15ns
MT46V32M16TG-6T IT:F Micron Technology Inc. MT46V32M16TG-6T IT : f -
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ECAD 5987 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V32M16 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-tsop 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 32m x 16 평행한 15ns
MT41K512M8RH-125 V:E Micron Technology Inc. MT41K512M8RH-125 V : e -
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ECAD 7445 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT41K512M8 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (9x10.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0036 1,260 800MHz 휘발성 휘발성 4gbit 13.75 ns 음주 512m x 8 평행한 -
MT49H16M36BM-33:B Micron Technology Inc. MT49H16M36BM-33 : b -
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ECAD 2436 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 144-TFBGA MT49H16M36 음주 1.7V ~ 1.9V 144-µBGA (18.5x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 300MHz 휘발성 휘발성 576mbit 20 ns 음주 16m x 36 평행한 -
MT25QU256ABA1EW7-0SIT TR Micron Technology Inc. MT25QU256ABA1EW7-0SIT TR 4.3200
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ECAD 3328 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 MT25QU256 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 8-wpdfn (6x5) (MLP8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 133 MHz 비 비 256mbit 플래시 32m x 8 SPI 8ms, 2.8ms
MT40A2G4SA-075:E TR Micron Technology Inc. MT40A2G4SA-075 : E TR 10.1850
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ECAD 1375 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT40A2G4 sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (7.5x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 1.33 GHz 휘발성 휘발성 8gbit 음주 2G X 4 평행한 -
MT41K512M8RG-107:N Micron Technology Inc. MT41K512M8RG-107 : n -
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ECAD 3427 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT41K512M8 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (7.5x10.6) - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,260 933 MHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 512m x 8 평행한 -
MT40A2G4WE-075E:D Micron Technology Inc. MT40A2G4WE-075E : d -
RFQ
ECAD 9721 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT40A2G4 sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (8x12) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,140 1.33 GHz 휘발성 휘발성 8gbit 음주 2G X 4 평행한 -
PC28F256P30TFA Micron Technology Inc. PC28F256P30TFA -
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ECAD 7802 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-TBGA PC28F256 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 64-ESYBGA (10x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 864 52MHz 비 비 256mbit 100 ns 플래시 16m x 16 평행한 100ns
MT29F2T08CUHBBM4-3RES:B TR Micron Technology Inc. MT29F2T08CUHBBM4-3RES : B TR -
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ECAD 7836 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) - - MT29F2T08 플래시 - NAND 2.5V ~ 3.6V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 333 MHz 비 비 2tbit 플래시 256g x 8 평행한 -
MT41K256M16TW-93:P Micron Technology Inc. MT41K256M16TW-93 : p -
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ECAD 9347 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA MT41K256M16 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (8x14) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 1,080 1.066 GHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 256m x 16 평행한 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고