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![]() | MT29F64G08AEAAAC5-Z : A TR | - | ![]() | 1709 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 52-VLGA | MT29F64G08 | 플래시 - NAND | 2.7V ~ 3.6V | 52-VLGA (18x14) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 비 비 | 64gbit | 플래시 | 8g x 8 | 평행한 | - | ||||
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![]() | M29W640GSL70ZS6F TR | - | ![]() | 8643 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 64-lbga | M29W640 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 64-FBGA (11x13) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,800 | 비 비 | 64mbit | 70 ns | 플래시 | 8m x 8, 4m x 16 | 평행한 | 70ns | ||||
![]() | mtfc8gacaens-k1 ait tr | - | ![]() | 1461 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 153-TFBGA | MTFC8 | 플래시 - NAND | 2.7V ~ 3.6V | 153-TFBGA (11.5x13) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 비 비 | 64gbit | 플래시 | 8g x 8 | MMC | - | ||||
![]() | MT29F128G08AEEBBH6-12 : B TR | - | ![]() | 5400 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 152-VBGA | MT29F128G08 | 플래시 - NAND | 2.7V ~ 3.6V | 152-VBGA (14x18) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | MT29F128G08AEEBBH6-12 : BTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 83MHz | 비 비 | 128gbit | 플래시 | 16g x 8 | 평행한 | - | |||
![]() | MT44K32M18RB-093 : A TR | - | ![]() | 8358 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 168-TBGA | MT44K32M18 | 음주 | 1.28V ~ 1.42V | 168-BGA (13.5x13.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 1.066 GHz | 휘발성 휘발성 | 576mbit | 10 ns | 음주 | 32m x 18 | 평행한 | - | ||
![]() | MT41K256M16TW-107 V : P | - | ![]() | 4914 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 96-TFBGA | MT41K256M16 | sdram -ddr3l | 1.283V ~ 1.45V | 96-FBGA (9x14) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 1,368 | 933 MHz | 휘발성 휘발성 | 4gbit | 20 ns | 음주 | 256m x 16 | 평행한 | - | ||
![]() | N25Q064A13E5340F TR | - | ![]() | 8742 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-XFBGA | N25Q064A13 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 8-XFSCSP (2.93x3.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 5,000 | 108 MHz | 비 비 | 64mbit | 플래시 | 16m x 4 | SPI | 8ms, 5ms | |||
![]() | MTFC16GJDEC-H1 WT | - | ![]() | 6348 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | 대부분 | 쓸모없는 | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | MTFC16G | 플래시 - NAND | 1.65V ~ 3.6V | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1 | 비 비 | 128gbit | 플래시 | 16g x 8 | MMC | - | ||||||||
![]() | MT46H32M32LFCG-6 IT : a | - | ![]() | 4308 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 152-VFBGA | MT46H32M32 | sdram- 모바일 lpddr | 1.7V ~ 1.95V | 152-VFBGA (14x14) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 166 MHz | 휘발성 휘발성 | 1gbit | 5 ns | 음주 | 32m x 32 | 평행한 | 15ns | ||
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![]() | MT29F128G08CBECBH6-12 : c | - | ![]() | 2669 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 152-VBGA | MT29F128G08 | 플래시 - NAND | 2.7V ~ 3.6V | 152-VBGA (14x18) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 83MHz | 비 비 | 128gbit | 플래시 | 16g x 8 | 평행한 | - | |||
![]() | MT29KZZZ6D4AGLDM-5 W.6N4 | - | ![]() | 6350 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 대부분 | 쓸모없는 | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | ||||||||||||||||||
![]() | MT41K256M8DA-107 : k | - | ![]() | 7640 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 78-TFBGA | MT41K256M8 | sdram -ddr3l | 1.283V ~ 1.45V | 78-FBGA (8x10.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 1,440 | 933 MHz | 휘발성 휘발성 | 2gbit | 20 ns | 음주 | 256m x 8 | 평행한 | - | ||
![]() | MT52L256M64D2QB-125 XT ES : b | - | ![]() | 9984 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 대부분 | 쓸모없는 | - | - | - | MT52L256 | sdram- 모바일 lpddr3 | 1.2V | - | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1,190 | 800MHz | 휘발성 휘발성 | 16gbit | 음주 | 256m x 64 | - | - | |||
MT29F2G08ABAGAWP-ite : G TR | 2.8500 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) | MT29F2G08 | 플래시 - NAND | 2.7V ~ 3.6V | 48-tsop i | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 비 비 | 2gbit | 플래시 | 256m x 8 | 평행한 | - | |||||
![]() | M28W160ECB70ZB6U TR | - | ![]() | 3552 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 46-TFBGA | M28W160 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 46-TFBGA (6.39x6.37) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0071 | 2,500 | 비 비 | 16mbit | 70 ns | 플래시 | 1m x 16 | 평행한 | 70ns |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
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