SIC
close

메모리 (10402)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 시계 시계 메모리 메모리 메모리 메모리 액세스 액세스 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
M58BW32FB4T3T TR Micron Technology Inc. M58BW32FB4T3T TR -
RFQ
 ECAD 9926 0.00000000 Micron Technology Inc. - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 80BQFP M58BW32 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 80-PQFP (14x20) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0051 500 비 비 32mbit 45 ns 플래시 1m x 32 평행한 45ns
MT47H128M4CF-187E:G Micron Technology Inc. MT47H128M4CF-187E : g -
RFQ
 ECAD 7814 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 60-TFBGA MT47H128M4 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 60-FBGA (8x10) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 1,000 533 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 350 ps 음주 128m x 4 평행한 15ns
MT53B256M64D2TG-062 XT ES:C Micron Technology Inc. MT53B256M64D2TG-062 XT ES : C. -
RFQ
 ECAD 6566 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -30 ° C ~ 105 ° C (TC) - - MT53B256 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V - - 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 960 1.6GHz 휘발성 휘발성 16gbit 음주 256m x 64 - -
MT52L512M16D1PF-093 WT ES:B TR Micron Technology Inc. MT52L512M16D1PF-093 WT ES : B TR -
RFQ
 ECAD 6737 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - MT52L512 sdram- 모바일 lpddr3 1.2V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 1067 MHz 휘발성 휘발성 8gbit 음주 512m x 16 - -
PC28F800C3BD70A Micron Technology Inc. PC28F800C3BD70A -
RFQ
 ECAD 1979 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-TBGA PC28F800 플래시 - 블록 부트 2.7V ~ 3.6V 64-ESYBGA (10x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 2 비 비 8mbit 70 ns 플래시 512k x 16 평행한 70ns
MT53D768M64D8JS-053 WT ES:D Micron Technology Inc. MT53D768M64D8JS-053 WT ES : d -
RFQ
 ECAD 1543 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 366-VFBGA MT53D768 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 366-VFBGA (12x12.7) - 1 (무제한) 귀 99 8542.32.0036 1,360 1.866 GHz 휘발성 휘발성 48gbit 음주 768m x 64 - -
MT46V32M8FG-75E:G Micron Technology Inc. MT46V32M8FG-75E : g -
RFQ
 ECAD 4801 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 60-FBGA MT46V32M8 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 60-FBGA (8x14) 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 750 ps 음주 32m x 8 평행한 15ns
RC28F320C3BD70A Micron Technology Inc. RC28F320C3BD70A -
RFQ
 ECAD 6099 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-TBGA RC28F320 플래시 - 블록 부트 2.7V ~ 3.6V 64-ESYBGA (10x13) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 864 비 비 32mbit 70 ns 플래시 2m x 16 평행한 70ns
M29W320DB70N6E Micron Technology Inc. M29W320DB70N6E -
RFQ
 ECAD 1231 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) M29W320 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 576 비 비 32mbit 70 ns 플래시 4m x 8, 2m x 16 평행한 70ns
MT48H32M16LFBF-6:B Micron Technology Inc. MT48H32M16LFBF-6 : b -
RFQ
 ECAD 2072 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-VFBGA MT48H32M16 sdram- 모바일 lpsdr 1.7V ~ 1.95V 54-VFBGA (6x9) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 166 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5 ns 음주 32m x 16 평행한 15ns
MT29F128G08CEEDBJ4-12:D TR Micron Technology Inc. MT29F128G08 AREEDBJ4-12 : D TR -
RFQ
 ECAD 7810 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 132-VBGA MT29F128G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 132-VBGA (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,000 83MHz 비 비 128gbit 플래시 16g x 8 평행한 -
MT41K256M16HA-107 IT:E Micron Technology Inc. MT41K256M16HA-107 IT : e -
RFQ
 ECAD 2084 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA MT41K256M16 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (9x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 933 MHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 256m x 16 평행한 -
MT40A1G8SA-062E AIT:E Micron Technology Inc. MT40A1G8SA-062E AIT : e 9.2250
RFQ
 ECAD 3769 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT40A1G8 sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (7.5x11) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 MT40A1G8SA-062EAIT : e 귀 99 8542.32.0036 1,260 1.6GHz 휘발성 휘발성 8gbit 19 ns 음주 1g x 8 평행한 15ns
MTFC4GACAAEA-WT Micron Technology Inc. MTFC4GACAAEA-WT -
RFQ
 ECAD 1327 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 대부분 쓸모없는 -25 ° C ~ 85 ° C (TA) MTFC4 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 32gbit 플래시 4G X 8 MMC -
MT47H128M8CF-25:H TR Micron Technology Inc. MT47H128M8CF-25 : H TR -
RFQ
 ECAD 8454 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 60-TFBGA MT47H128M8 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 60-FBGA (8x10) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 2,000 400MHz 휘발성 휘발성 1gbit 400 PS 음주 128m x 8 평행한 15ns
MT28F004B5VG-8 T Micron Technology Inc. MT28F004B5VG-8 T -
RFQ
 ECAD 4040 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 40-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT28F004B5 플래시 - 아니오 4.5V ~ 5.5V 40-tsop i 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 1,000 비 비 4mbit 80 ns 플래시 512k x 8 평행한 80ns
MT29F256G08EBHBFJ4-3ITF:B Micron Technology Inc. MT29F256G08EBHBFJ4-3ITF : b 8.1600
RFQ
 ECAD 2109 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 132-VBGA MT29F256G08 플래시 -Nand (TLC) 2.5V ~ 3.6V 132-VBGA (12x18) - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 557-MT29F256G08EBHBFJ4-3ITF : b 1,120 333 MHz 비 비 256gbit 플래시 32g x 8 평행한 -
MT45W1MW16BDGB-701 IT Micron Technology Inc. MT45W1MW16BDGB-701 IT -
RFQ
 ECAD 5138 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 54-VFBGA MT45W1MW16 psram (의사 sram) 1.7V ~ 1.95V 54-VFBGA (6x8) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 16mbit 70 ns psram 1m x 16 평행한 70ns
MTFC8GLWDQ-3M AIT Z Micron Technology Inc. MTFC8GLWDQ-3M AIT Z -
RFQ
 ECAD 9370 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lbga MTFC8 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 100-lbga (14x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 980 비 비 64gbit 플래시 8g x 8 MMC -
MT48H16M32LFCM-6 IT:B TR Micron Technology Inc. MT48H16M32LFCM-6 IT : B TR -
RFQ
 ECAD 4506 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-VFBGA MT48H16M32 sdram- 모바일 lpsdr 1.7V ~ 1.95V 90-VFBGA (10x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 166 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5 ns 음주 16m x 32 평행한 15ns
MT46V32M4TG-75:D TR Micron Technology Inc. MT46V32M4TG-75 : D TR -
RFQ
 ECAD 2463 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V32M4 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-tsop 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 750 ps 음주 32m x 4 평행한 15ns
MT62F4G32D8DV-026 WT ES:B Micron Technology Inc. MT62F4G32D8DV-026 WT ES : b 90.4650
RFQ
 ECAD 9094 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 활동적인 -25 ° C ~ 85 ° C - - sdram- 모바일 lpddr5 - - - 557-MT62F4G32D8DV-026WTES : b 1 3.2GHz 휘발성 휘발성 128gbit 음주 4G X 32 평행한 -
MT41K128M16HA-15E IT:D Micron Technology Inc. MT41K128M16HA-15E IT : d -
RFQ
 ECAD 4589 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA MT41K128M16 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (9x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 667 MHz 휘발성 휘발성 2gbit 13.5 ns 음주 128m x 16 평행한 -
MT46V64M8FN-75:D Micron Technology Inc. MT46V64M8FN-75 : d -
RFQ
 ECAD 8356 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA MT46V64M8 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 60-FBGA (10x12.5) - rohs 비준수 5 (48 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 750 ps 음주 64m x 8 평행한 15ns
MT29F16G08AJADAWP-IT:D TR Micron Technology Inc. MT29F16G08AJADAWP-IT : D TR -
RFQ
 ECAD 7400 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F16G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 16gbit 플래시 2G X 8 평행한 -
MT48LC32M8A2FB-75 L:D TR Micron Technology Inc. MT48LC32M8A2FB-75 L : D TR -
RFQ
 ECAD 3586 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 60-FBGA MT48LC32M8A2 sdram 3V ~ 3.6V 60-FBGA (8x16) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 32m x 8 평행한 15ns
JS28F256J3D95A Micron Technology Inc. JS28F256J3D95A -
RFQ
 ECAD 8708 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) JS28F256J3 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 56-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 96 비 비 256mbit 95 ns 플래시 32m x 8, 16m x 16 평행한 95ns
N25Q064A13ESF41G Micron Technology Inc. N25Q064A13ESF41G -
RFQ
 ECAD 6202 0.00000000 Micron Technology Inc. - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) N25Q064A13 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 16- 형의 행위 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,225 108 MHz 비 비 64mbit 플래시 16m x 4 SPI 8ms, 5ms
MT46H32M32LFMA-5 IT:B TR Micron Technology Inc. MT46H32M32LFMA-5 IT : B TR -
RFQ
 ECAD 3737 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 168-WFBGA MT46H32M32 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 168-WFBGA (12x12) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 1gbit 5 ns 음주 32m x 32 평행한 15ns
MT53D384M16D1Z1AMWC1 Micron Technology Inc. MT53D384M16D1Z1AMWC1 -
RFQ
 ECAD 6452 0.00000000 Micron Technology Inc. * 대부분 활동적인 MT53D384 - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

RFQ 목록 (0 항목)
카트 목록 (0 항목)
Wishlist위시리스트 (0 항목)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

목록 비교 (0 항목)
검색을 위해 Enter를 누르거나 ESC를 닫습니다