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메모리 (10402)

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MT41K1G4THV-15E:M Micron Technology Inc. MT41K1g4thv-15e : m -
RFQ
 ECAD 7586 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT41K1G4 sdram -ddr3 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (8x11.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0036 1,000 667 MHz 휘발성 휘발성 4gbit 13.5 ns 음주 1g x 4 평행한 -
MT42L32M16D1AB-3 WT:A Micron Technology Inc. MT42L32M16D1AB-3 WT : a -
RFQ
 ECAD 7757 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 121-WFBGA MT42L32M16 sdram- 모바일 lpddr2 1.14V ~ 1.95V 121-FBGA (6.5x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0036 1,000 333 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 음주 32m x 16 평행한 -
MT47R256M4CF-25E:H Micron Technology Inc. MT47R256M4CF-25E : h -
RFQ
 ECAD 3826 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 60-TFBGA MT47R256M4 sdram -ddr2 1.55V ~ 1.9V 60-FBGA (8x10) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 1,000 400MHz 휘발성 휘발성 1gbit 400 PS 음주 256m x 4 평행한 15ns
MT42L256M64D4EV-25 WT:A TR Micron Technology Inc. MT42L256M64D4EV-25 WT : A TR -
RFQ
 ECAD 5390 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 253-TFBGA MT42L256M64 sdram- 모바일 lpddr2 1.14V ~ 1.3V 253-FBGA (11x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0036 1,000 400MHz 휘발성 휘발성 16gbit 음주 256m x 64 평행한 -
MT48H16M16LFBF-75:G TR Micron Technology Inc. MT48H16M16LFBF-75 : G TR -
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 ECAD 8646 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-VFBGA MT48H16M16 sdram- 모바일 lpsdr 1.7V ~ 1.95V 54-VFBGA (8x9) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 16m x 16 평행한 15ns
M58WR064KT7AZB6F TR Micron Technology Inc. M58WR064KT7AZB6F TR -
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 ECAD 4502 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 56-VFBGA M58WR064 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 56-VFBGA (7.7x9) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 66MHz 비 비 64mbit 70 ns 플래시 4m x 16 평행한 70ns
MT53B2G32D8QD-062 WT:D TR Micron Technology Inc. MT53B2G32D8QD-062 WT : D TR -
RFQ
 ECAD 5449 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) MT53B2G32 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V - 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 2,000 1.6GHz 휘발성 휘발성 64gbit 음주 2G X 32 - -
PC28F512M29EWHB TR Micron Technology Inc. PC28F512M29EWHB TR -
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 ECAD 8976 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-lbga PC28F512 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 64-FBGA (11x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 비 비 512mbit 100 ns 플래시 64m x 8, 32m x 16 평행한 100ns
N25Q032A11ESF40F TR Micron Technology Inc. N25Q032A11ESF40F TR -
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 ECAD 7217 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) N25Q032A11 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 16- 형의 행위 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 108 MHz 비 비 32mbit 플래시 8m x 4 SPI 8ms, 5ms
MT46V32M16TG-5B IT:J TR Micron Technology Inc. MT46V32M16TG-5B IT : J TR -
RFQ
 ECAD 8194 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V32M16 sdram -ddr 2.5V ~ 2.7V 66-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0024 2,000 200MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 32m x 16 평행한 15ns
EDFA164A2PP-GD-F-R Micron Technology Inc. EDFA164A2PP-GD-FR -
RFQ
 ECAD 8394 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - EDFA164 sdram- 모바일 lpddr3 1.14V ~ 1.95V 220-FBGA (14x14) - 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 1,000 800MHz 휘발성 휘발성 16gbit 음주 256m x 64 평행한 -
MT46H8M16LFCF-10 IT Micron Technology Inc. MT46H8M16LFCF-10 IT -
RFQ
 ECAD 8672 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 60-VFBGA MT46H8M16 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.9V 60-VFBGA (8x10) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 104 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 7 ns 음주 8m x 16 평행한 15ns
M25P05-AVMP6TG TR Micron Technology Inc. M25P05-AVMP6TG TR -
RFQ
 ECAD 9557 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-vdfn d 패드 M25P05-A 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-vdfpn (6x5) (MLP8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 4,000 50MHz 비 비 512kbit 플래시 64k x 8 SPI 15ms, 5ms
MT46H8M16LFCF-75 IT Micron Technology Inc. MT46H8M16LFCF-75 IT -
RFQ
 ECAD 1495 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 60-VFBGA MT46H8M16 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.9V 60-VFBGA (8x10) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 6 ns 음주 8m x 16 평행한 15ns
MT48LC16M16A2P-7E IT:D TR Micron Technology Inc. MT48LC16M16A2P-7E IT : D TR -
RFQ
 ECAD 2206 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC16M16A2 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 16m x 16 평행한 14ns
MT40A1G8WE-075E IT:B TR Micron Technology Inc. MT40A1G8WE-075E IT : B TR -
RFQ
 ECAD 6357 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT40A1G8 sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (8x12) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 1.33 GHz 휘발성 휘발성 8gbit 음주 1g x 8 평행한 -
MT29F1G08ABAEAH4-AATX:E TR Micron Technology Inc. MT29F1G08ABAEAH4-AATX : E TR 2.6952
RFQ
 ECAD 5025 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA MT29F1G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 63-VFBGA (9x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 1gbit 플래시 128m x 8 평행한 -
MT48LC64M8A2TG-75 L:C Micron Technology Inc. MT48LC64M8A2TG-75 L : C. -
RFQ
 ECAD 3764 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC64M8A2 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 rohs 비준수 4 (72 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5.4 ns 음주 64m x 8 평행한 15ns
JS28F128J3D75B TR Micron Technology Inc. JS28F128J3D75B TR -
RFQ
 ECAD 1021 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) JS28F128J3 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 56-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,600 비 비 128mbit 75 ns 플래시 16m x 8, 8m x 16 평행한 75ns
MT53D384M32D2DS-053 XT:E TR Micron Technology Inc. MT53D384M32D2DS-053 XT : E TR -
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 ECAD 8174 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 200-WFBGA MT53D384 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 1.866 GHz 휘발성 휘발성 12gbit 음주 384m x 32 - -
N25Q064A11ESECFF TR Micron Technology Inc. N25Q064A11ESECFF TR -
RFQ
 ECAD 8478 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) N25Q064A11 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 도 8- - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,500 108 MHz 비 비 64mbit 플래시 16m x 4 SPI 8ms, 5ms
MT28F640J3FS-115 XMET TR Micron Technology Inc. MT28F640J3FS-115 XMET TR -
RFQ
 ECAD 8399 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-FBGA MT28F640J3 플래시 2.7V ~ 3.6V 64-FBGA (10x13) 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 64mbit 115 ns 플래시 8m x 8, 4m x 16 평행한 -
MTFC64GJVDN-WT Micron Technology Inc. MTFC64GJVDN-WT -
RFQ
 ECAD 9665 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 쟁반 쓸모없는 -25 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 169-LFBGA MTFC64 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 169-LFBGA (14x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 512gbit 플래시 64g x 8 MMC -
MT47H64M16HR-3 L:G Micron Technology Inc. MT47H64M16HR-3 L : g -
RFQ
 ECAD 3545 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 84-TFBGA MT47H64M16 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-FBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 1,000 333 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 450 ps 음주 64m x 16 평행한 15ns
EDFP112A3PB-GDTJ-F-R TR Micron Technology Inc. EDFP112A3PB-GDTJ-FR TR -
RFQ
 ECAD 5617 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 105 ° C (TC) - - EDFP112 sdram- 모바일 lpddr3 1.14V ~ 1.95V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,000 800MHz 휘발성 휘발성 24gbit 음주 192m x 128 평행한 -
MT29E256G08CECBBH6-6:B TR Micron Technology Inc. MT29E256G08CECBBH6-6 : B TR -
RFQ
 ECAD 5084 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 152-VBGA MT29E256G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 152-VBGA (14x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,000 167 MHz 비 비 256gbit 플래시 32g x 8 평행한 -
M25PE16-VMP6G Micron Technology Inc. M25PE16-VMP6G -
RFQ
 ECAD 3164 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-vdfn d 패드 M25PE16 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-vdfpn (6x5) (MLP8) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 490 75MHz 비 비 16mbit 플래시 2m x 8 SPI 15ms, 3ms
EDFA112A2PD-GD-F-R TR Micron Technology Inc. EDFA112A2PD-GD-FR TR -
RFQ
 ECAD 5454 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - EDFA112 sdram- 모바일 lpddr3 1.14V ~ 1.95V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,000 800MHz 휘발성 휘발성 16gbit 음주 128m x 128 평행한 -
MT53D4DAWT-DC Micron Technology Inc. MT53D4DAWT-DC -
RFQ
 ECAD 8084 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 - - MT53D4 sdram- 모바일 lpddr4 - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 1,190 휘발성 휘발성 음주
MT49H16M18CSJ-25:B Micron Technology Inc. MT49H16M18CSJ-25 : b -
RFQ
 ECAD 4440 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 144-TFBGA MT49H16M18 음주 1.7V ~ 1.9V 144-FBGA (18.5x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0028 1,120 400MHz 휘발성 휘발성 288mbit 20 ns 음주 16m x 18 평행한 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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