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EDF8164A3PF-JD-F-D Micron Technology Inc. EDF8164A3PF-JD-FD -
RFQ
 ECAD 3139 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - EDF8164 sdram- 모바일 lpddr3 1.14V ~ 1.95V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,260 933 MHz 휘발성 휘발성 8gbit 음주 128m x 64 평행한 -
MT53B512M64D4PV-062 WT ES:C TR Micron Technology Inc. MT53B512M64D4PV-062 WT ES : C TR -
RFQ
 ECAD 5510 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - MT53B512 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 2,000 1.6GHz 휘발성 휘발성 32gbit 음주 512m x 64 - -
MT40A2G4WE-075E:D Micron Technology Inc. MT40A2G4WE-075E : d -
RFQ
 ECAD 9721 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT40A2G4 sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (8x12) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,140 1.33 GHz 휘발성 휘발성 8gbit 음주 2G X 4 평행한 -
MT48H32M16LFBF-6:B TR Micron Technology Inc. MT48H32M16LFBF-6 : B TR -
RFQ
 ECAD 3950 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-VFBGA MT48H32M16 sdram- 모바일 lpsdr 1.7V ~ 1.95V 54-VFBGA (6x9) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 166 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5 ns 음주 32m x 16 평행한 15ns
MT47H128M8CF-25E:M Micron Technology Inc. MT47H128M8CF-25E : m -
RFQ
 ECAD 1075 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 60-TFBGA MT47H128M8 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 60-FBGA (8x10) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 1 400MHz 휘발성 휘발성 1gbit 400 PS 음주 128m x 8 평행한 15ns
MT47H256M4BT-37E:A Micron Technology Inc. MT47H256M4BT-37E : a -
RFQ
 ECAD 7487 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 92-TFBGA MT47H256M4 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 92-FBGA (11x19) 다운로드 Rohs3 준수 5 (48 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 1,000 267 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 400 PS 음주 256m x 4 평행한 15ns
MT29F32G08AECCBH1-10ITZ:C TR Micron Technology Inc. MT29F32G08AECCBH1-10ITZ : C TR -
RFQ
 ECAD 5097 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-VBGA MT29F32G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 100-VBGA (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100MHz 비 비 32gbit 플래시 4G X 8 평행한 -
MT53B256M32D1DS-062 XT:C TR Micron Technology Inc. MT53B256M32D1DS-062 XT : C TR -
RFQ
 ECAD 4768 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 200-WFBGA MT53B256 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 1.6GHz 휘발성 휘발성 8gbit 음주 256m x 32 - -
MT48V8M16LFB4-8 XT:G Micron Technology Inc. MT48V8M16LFB4-8 XT : g -
RFQ
 ECAD 9354 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 sic에서 중단되었습니다 -20 ° C ~ 75 ° C (TA) 표면 표면 54-VFBGA MT48V8M16 sdram- 모바일 lpsdr 2.3V ~ 2.7V 54-VFBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 125MHz 휘발성 휘발성 128mbit 7 ns 음주 8m x 16 평행한 15ns
M29W400DB55ZE6F TR Micron Technology Inc. M29W400DB55ZE6F TR -
RFQ
 ECAD 7664 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFBGA M29W400 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x9) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 2,500 비 비 4mbit 55 ns 플래시 512k x 8, 256k x 16 평행한 55ns
MT29F8G01ADBFD12-AATES:F TR Micron Technology Inc. MT29F8G01ADBFD12-AATES : F TR 9.0001
RFQ
 ECAD 6990 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 MT29F8G01 플래시 -Nand (SLC) 1.7V ~ 1.95V 24-T-PBGA (6x8) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 비 비 8gbit 플래시 8g x 1 SPI - 확인되지 확인되지
MT41K64M16TW-107 AAT:J Micron Technology Inc. MT41K64M16TW-107 AAT : J. 4.2603
RFQ
 ECAD 5584 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA MT41K64M16 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (8x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 1,368 933 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 64m x 16 평행한 -
M29W160EB70N1 Micron Technology Inc. M29W160EB70N1 -
RFQ
 ECAD 7352 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) M29W160 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 48-tsop - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 96 비 비 16mbit 70 ns 플래시 2m x 8, 1m x 16 평행한 70ns
MT29F16G08MAAWP:A TR Micron Technology Inc. MT29F16G08MAAWP : A TR -
RFQ
 ECAD 6135 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F16G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 16gbit 플래시 2G X 8 평행한 -
MT53B384M64D4NH-062 WT:A TR Micron Technology Inc. MT53B384M64D4NH-062 WT : A TR -
RFQ
 ECAD 7463 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 272-WFBGA MT53B384 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 272-WFBGA (15x15) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 1,000 1.6GHz 휘발성 휘발성 24gbit 음주 384m x 64 - -
M29W800DB70N1 Micron Technology Inc. M29W800DB70N1 -
RFQ
 ECAD 3968 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) M29W800 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 96 비 비 8mbit 70 ns 플래시 1m x 8, 512k x 16 평행한 70ns
MT41K256M16HA-125 AAT:E TR Micron Technology Inc. MT41K256MA-125 AAT : E TR -
RFQ
 ECAD 9369 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA MT41K256M16 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (9x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0036 2,000 800MHz 휘발성 휘발성 4gbit 13.75 ns 음주 256m x 16 평행한 -
MT25QU01GBBB8ESF-0SIT TR Micron Technology Inc. MT25QU01GBBB8ESF-0SIT TR 13.1400
RFQ
 ECAD 3575 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) MT25QU01 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 16- 형의 행위 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 166 MHz 비 비 1gbit 플래시 128m x 8 SPI 8ms, 2.8ms
JS28F256P30B95A Micron Technology Inc. JS28F256P30B95A -
RFQ
 ECAD 8457 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) JS28F256P30 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 56-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 96 40MHz 비 비 256mbit 95 ns 플래시 16m x 16 평행한 95ns
MT46V64M8FN-5B:D TR Micron Technology Inc. MT46V64M8FN-5B : D TR -
RFQ
 ECAD 6090 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA MT46V64M8 sdram -ddr 2.5V ~ 2.7V 60-FBGA (10x12.5) 다운로드 rohs 비준수 5 (48 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 64m x 8 평행한 15ns
MT46H32M32LFCM-6:A TR Micron Technology Inc. MT46H32M32LFCM-6 : A TR -
RFQ
 ECAD 6084 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 90-VFBGA MT46H32M32 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 90-VFBGA (10x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 1,000 166 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 5 ns 음주 32m x 32 평행한 15ns
MT29F4G08ABAFAWP-AATES:F TR Micron Technology Inc. MT29F4G08ABAFAWP-AATES : F TR -
RFQ
 ECAD 3001 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F4G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 4gbit 플래시 512m x 8 평행한 -
MT48V8M16LFF4-8 IT:G Micron Technology Inc. MT48V8M16LFF4-8 IT : g -
RFQ
 ECAD 3525 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-VFBGA MT48V8M16 sdram- 모바일 lpsdr 2.3V ~ 2.7V 54-VFBGA (8x8) 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 125MHz 휘발성 휘발성 128mbit 7 ns 음주 8m x 16 평행한 15ns
MT58L512Y36PT-6 Micron Technology Inc. MT58L512Y36PT-6 18.9400
RFQ
 ECAD 891 0.00000000 Micron Technology Inc. SyncBurst ™ 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp sram- 표준 3.135V ~ 3.465V 100-TQFP (14x20.1) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1 166 MHz 휘발성 휘발성 18mbit 3.5 ns SRAM 512k x 36 평행한 -
MT48LC4M32B2B5-6A AAT:L Micron Technology Inc. MT48LC4M32B2B5-6A AAT : L. 9.7800
RFQ
 ECAD 6505 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 90-VFBGA MT48LC4M32B2 sdram 3V ~ 3.6V 90-VFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0002 1,440 167 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.4 ns 음주 4m x 32 평행한 12ns
M29W400DB55N6E Micron Technology Inc. M29W400DB55N6E -
RFQ
 ECAD 7854 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) M29W400 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 96 비 비 4mbit 55 ns 플래시 512k x 8, 256k x 16 평행한 55ns
MT41K256M16TW-107 XIT:P Micron Technology Inc. MT41K256M16TW-107 XIT : p 9.7900
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA MT41K256M16 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (8x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,224 933 MHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 256m x 16 평행한 -
PC48F4400P0TB0EE Micron Technology Inc. PC48F4400P0TB0EE -
RFQ
 ECAD 8847 0.00000000 Micron Technology Inc. Axcell ™ 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 64-lbga PC48F4400 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 64-ESYBGA (10x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 -pc48f4400p0tb0ee 3A991B1A 8542.32.0071 864 52MHz 비 비 512mbit 95 ns 플래시 32m x 16 평행한 95ns
MT49H32M18CSJ-25E IT:B TR Micron Technology Inc. MT49H32M18CSJ-25E IT : B TR -
RFQ
 ECAD 1416 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 144-TFBGA MT49H32M18 음주 1.7V ~ 1.9V 144-FBGA (18.5x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0028 1,000 400MHz 휘발성 휘발성 576mbit 15 ns 음주 32m x 18 평행한 -
MT53D1024M32D4NQ-046 WT:D Micron Technology Inc. MT53D1024M32D4NQ-046 WT : d -
RFQ
 ECAD 5234 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 200-VFBGA MT53D1024 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 200-VFBGA (10x14.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,360 2.133 GHz 휘발성 휘발성 32gbit 음주 1g x 32 - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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