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메모리 (10402)

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MT25QL128ABA1EW7-0SIT Micron Technology Inc. MT25QL128ABA1EW7-0SIT 4.1200
RFQ
 ECAD 144 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 MT25QL128 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-wpdfn (6x5) (MLP8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,940 133 MHz 비 비 128mbit 플래시 16m x 8 SPI 8ms, 2.8ms
MT57W1MH18BF-4 Micron Technology Inc. MT57W1MH18BF-4 23.0000
RFQ
 ECAD 926 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-TBGA SRAM-동기, DDR II 1.7V ~ 1.9V 165-FBGA (13x15) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1 250MHz 휘발성 휘발성 18mbit 450 ps SRAM 1m x 18 HSTL -
MT29F64G08CBCGBSX-37BES:G Micron Technology Inc. MT29F64G08CBCGBSX-37BES : g -
RFQ
 ECAD 6161 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) - - MT29F64G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 267 MHz 비 비 64gbit 플래시 8g x 8 평행한 -
MT35XL02GCBA1G12-0SIT TR Micron Technology Inc. MT35XL02GCBA1G12-0SIT TR -
RFQ
 ECAD 4536 0.00000000 Micron Technology Inc. XCCELA ™ -MT35X 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 24-TBGA MT35XL02 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 24-T-PBGA (6x8) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 133 MHz 비 비 2gbit 플래시 256m x 8 xccela 버스 -
M29W160ET90N1 Micron Technology Inc. M29W160ET90N1 -
RFQ
 ECAD 9926 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) M29W160 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 48-tsop - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 96 비 비 16mbit 90 ns 플래시 2m x 8, 1m x 16 평행한 90ns
MTFC16GKQDI-IT MS Micron Technology Inc. MTFC16GKQDI-IT MS -
RFQ
 ECAD 8219 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 - MTFC16G 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 128gbit 플래시 16g x 8 MMC -
PC28F00AP30EF0 Micron Technology Inc. PC28F00AP30EF0 -
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 ECAD 6374 0.00000000 Micron Technology Inc. Axcell ™ 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-TBGA PC28F00A 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 64-EASYBGA (8x10) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 184 52MHz 비 비 1gbit 100 ns 플래시 64m x 16 평행한 100ns
MT29F256G08AUCDBJ6-6IT:D TR Micron Technology Inc. MT29F256G08AUCDBJ6-6IT : D TR -
RFQ
 ECAD 5218 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 132-lbga MT29F256G08 플래시 -Nand (SLC) 2.7V ~ 3.6V 132-LBGA (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 167 MHz 비 비 256gbit 플래시 32g x 8 평행한 -
MT29F256G08AUCABH3-10ITZ:A TR Micron Technology Inc. MT29F256G08AUCABH3-10ITZ : A TR -
RFQ
 ECAD 3744 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lbga MT29F256G08 플래시 -Nand (SLC) 2.7V ~ 3.6V 100-lbga (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100MHz 비 비 256gbit 플래시 32g x 8 평행한 -
MT28F400B3WG-8 BET TR Micron Technology Inc. MT28F400B3WG-8 BET TR -
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 ECAD 3495 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT28F400B3 플래시 - 아니오 3V ~ 3.6V 48-tsop i 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 1,000 비 비 4mbit 80 ns 플래시 512k x 8, 256k x 16 평행한 80ns
MT41J512M8THD-15E:D Micron Technology Inc. MT41J512M8thd-15e : d -
RFQ
 ECAD 5663 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT41J512M8 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 78-FBGA (9x11.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 667 MHz 휘발성 휘발성 4gbit 13.5 ns 음주 512m x 8 평행한 -
MT44K16M36RB-125E:A TR Micron Technology Inc. MT44K16M36RB-125E : A Tr -
RFQ
 ECAD 4063 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 168-TBGA MT44K16M36 음주 1.28V ~ 1.42V 168-BGA (13.5x13.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 800MHz 휘발성 휘발성 576mbit 10 ns 음주 16m x 36 평행한 -
EDBA232B2PD-1D-F-D Micron Technology Inc. EDBA232B2PD-1D-FD -
RFQ
 ECAD 5322 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - EDBA232 sdram- 모바일 lpddr2 1.14V ~ 1.95V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,680 533 MHz 휘발성 휘발성 16gbit 음주 512m x 32 평행한 -
M58LT256KSB7ZA6F TR Micron Technology Inc. M58LT256KSB7ZA6F TR -
RFQ
 ECAD 2466 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-TBGA M58LT256 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 64-TBGA (10x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 52MHz 비 비 256mbit 70 ns 플래시 16m x 16 평행한 70ns
MTFC64GAPALNA-AIT ES TR Micron Technology Inc. mtfc64gapalna-ait es tr -
RFQ
 ECAD 9444 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 MTFC64 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 1,000
M29F400FT55N3E2 Micron Technology Inc. M29F400FT55N3E2 -
RFQ
 ECAD 9787 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 44-SOIC (0.496 ", 12.60mm 너비) M29F400 플래시 - 아니오 4.5V ~ 5.5V 44- 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 96 비 비 4mbit 55 ns 플래시 512k x 8, 256k x 16 평행한 55ns
M50FLW080AN5G Micron Technology Inc. M50FLW080AN5G -
RFQ
 ECAD 2296 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -20 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 40-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) M50FLW080 플래시 - 아니오 3V ~ 3.6V 40-tsop - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 120 33MHz 비 비 8mbit 250 ns 플래시 1m x 8 평행한 -
M36L0R7050U3ZSE Micron Technology Inc. M36L0R7050U3ZSE -
RFQ
 ECAD 1069 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 M36L0R7050 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 2,304
MT46V32M16P-5B L:J TR Micron Technology Inc. MT46V32M16P-5B L : J TR -
RFQ
 ECAD 8372 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V32M16 sdram -ddr 2.5V ~ 2.7V 66-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 32m x 16 평행한 15ns
MT46V64M8P-75 L:D Micron Technology Inc. MT46V64M8P-75 L : D. -
RFQ
 ECAD 4347 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V64M8 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-tsop - Rohs3 준수 4 (72 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 750 ps 음주 64m x 8 평행한 15ns
MT29F512G08CUCABH3-10:A Micron Technology Inc. MT29F512G08CUCABH3-10 : a -
RFQ
 ECAD 8398 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lbga MT29F512G08 플래시 -Nand (MLC) 2.7V ~ 3.6V 100-lbga (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100MHz 비 비 512gbit 플래시 64g x 8 평행한 -
M29W800DB70ZE6E Micron Technology Inc. M29W800DB70ZE6E -
RFQ
 ECAD 5618 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFBGA M29W800 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 187 비 비 8mbit 70 ns 플래시 1m x 8, 512k x 16 평행한 70ns
MT48LC4M32B2P-6A AAT:L Micron Technology Inc. MT48LC4M32B2P-6A AAT : L. -
RFQ
 ECAD 8405 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 86-TFSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC4M32B2 sdram 3V ~ 3.6V 86-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0002 1,080 167 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.4 ns 음주 4m x 32 평행한 12ns
MT46H128M32L2MC-5 WT:B TR Micron Technology Inc. MT46H128M32L2MC-5 WT : B TR -
RFQ
 ECAD 5219 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -25 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 240-WFBGA MT46H128M32 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 240-WFBGA (14x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0036 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 4gbit 5 ns 음주 128m x 32 평행한 15ns
MT48LC4M32B2P-6A AIT:L TR Micron Technology Inc. MT48LC4M32B2P-6A AIT : L TR -
RFQ
 ECAD 8443 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 86-TFSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC4M32B2 sdram 3V ~ 3.6V 86-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 2,000 167 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.4 ns 음주 4m x 32 평행한 12ns
MT48LC4M32LFF5-8:G Micron Technology Inc. MT48LC4M32LFF5-8 : g -
RFQ
 ECAD 9869 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 90-VFBGA MT48LC4M32 sdram- 모바일 lpsdr 3V ~ 3.6V 90-VFBGA (8x13) 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 125MHz 휘발성 휘발성 128mbit 7 ns 음주 4m x 32 평행한 15ns
MT58L128L32F1T-7.5 Micron Technology Inc. MT58L128L32F1T-7.5 2.6800
RFQ
 ECAD 85 0.00000000 Micron Technology Inc. SyncBurst ™ 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp MT58L128L32 sram- 동기 3.135V ~ 3.6V 100-TQFP (14x20.1) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 3A991B2A 8542.32.0041 500 113 MHz 휘발성 휘발성 4mbit 7.5 ns SRAM 128k x 32 평행한 -
MT35XU02GCBA2G12-0SIT TR Micron Technology Inc. MT35XU02GCBA2G12-0SIT TR -
RFQ
 ECAD 7368 0.00000000 Micron Technology Inc. XCCELA ™ -MT35X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 24-TBGA MT35XU02 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 24-T-PBGA (6x8) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 200MHz 비 비 2gbit 플래시 256m x 8 xccela 버스 -
MT48LC8M16A2P-75:G TR Micron Technology Inc. MT48LC8M16A2P-75 : G TR -
RFQ
 ECAD 3016 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC8M16A2 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.4 ns 음주 8m x 16 평행한 15ns
MT29F256G08AUCABJ3-10Z:A TR Micron Technology Inc. MT29F256G08AUCABJ3-10Z : A TR -
RFQ
 ECAD 2769 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) - - MT29F256G08 플래시 -Nand (SLC) 2.7V ~ 3.6V 132-LBGA (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100MHz 비 비 256gbit 플래시 32g x 8 평행한 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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